化合物Gd12Ni6Pb的磁性能研究

利用振动样品磁强计（VSM）对三元化合物Gd12Ni5Pb的磁学性能进行了研究，测定了在外加磁场0．1T和0．5T下化合物Gd12Ni6Pb的磁矩与温度之间的关系，在160K以上，化合物Gd12Ni6Pb的磁化率与温度关系为线性关系服居里-外斯定律，每个Gd原子的有效磁矩的实验值为μeff=8．61μR。还测定了在84K和室温（300k）时磁矩随磁场变化的关系。当外磁场为2．1T时，Gd12Ni6Pb的磁矩都远没有达到饱和。     

实用振动样品磁强计(VSM)的研制

本振动样品磁强计（VSM）利用一只扬声器作为振源，用一套具有独自特色的消振装置使系统稳定，整套装置能在X、Y、Z三方向可调（包括粗调、细调）.利用外磁场对振动的样品磁化。利用霍耳片检测外部磁场，由镇相放大器检测线圈中产生的感应信号，利用A／D数据采集卡，通过计算机采集磁场信号和感应信号，实时显示测量结果并打印数据。     

磁场对B-A规性能的影响

文章详细叙述了Ｂ－Ａ型电离规受弱磁场（＜６０高斯）影响的性能，这个Ｂ－Ａ规灵敏度随．（ｌ）磁场的大小，（２）磁场的方向，特别是发射电子方向和磁场方位之间夹角改变而变化。如果要求Ｂ－Ａ规在磁场中工作，必须仔细选择相对于磁场的安装方位才能得到最佳状态。     

纳米磁性液体薄膜磁光特性研究

制备出了纳米磁性液体薄膜，研究了纳米磁性液体薄膜在不同外加磁场（垂直和平行）下，其透射光学特性随着磁场变化的规律，对纳米磁性液体薄膜磁光现象产生的原因进行了解释。研究发现：（1）薄膜外加垂直磁场时，光透射强度随着磁场强度的增加而减小；（2）薄膜外加平行磁场时，垂直偏振光和平行偏振光的透射强度随着磁场强度的增加而变化规律不同；（3）存在一个临界磁场，其值约为4776A/m，当外加磁场（垂直和平行）强度＞4776A/m后，薄膜透射光强的变化规律有明显不同，这种现象是由于外加磁场使纳米磁性液体微粒产生聚集，磁场〉4776A/m后，形成有规则的排列结构所造成；（4）纳米磁性液体外加垂直磁场下透射强度的响应时间随磁场强度的变化情况。     

实用振动样品磁强计（VSM）的研制

本振动样品磁强计利用一只扬声器作为振源，用一套具有独自特色的消振装置使系统稳定，整套装置能在Ｘ、Ｙ、Ｚ三方向可调（包括粗调，细调）。利用外磁场对振动的样品磁化，利用霍耳片检测外部磁场，由锁相放大器检测线圈中产生的感应信号，利用Ａ／Ｄ数据采集卡，计算机采集磁场信号和感应信号，实时显示测量结果并打印数据。     

新技术新设备在NdFeB永磁体生产中的应用(2)

针对NdFeB磁体的特点及相关技术需求，中国已开发出一整套有自已特色的生产设备，能有效生产高档磁体。本栏目上期介绍了NdFeB磁体的涂层耐蚀新工艺——达克洛技术，氢化及气流磨（HD＋JM）制粉工艺与设备，本期重点介绍磁场取向成型技术和设备，包括可变换极向的脉冲磁场取向设备；脉冲磁场等静压机（CIP）；磁场橡皮模压机（RIP）；测量高矫顽力磁体完整回线的脉冲磁强仪（PFM）等，以引起广大磁体厂家对工艺技术改造的重视。[编按]     

Nd-Fe-B粉末颗粒间的磁团聚现象及有限元模拟计算

用扫描电镜（SEM）观察了Nd-Fe-B磁粉颗粒之间的磁团聚现象。对呈自然松散状态的Nd-Fe-B磁粉的磁化曲线测量结果表明，磁团聚现象是造成Nd-Fe-B磁粉难以充分取向的重要原因。用有限元数值分析方法对Nd-Fe-B磁粉颗粒之间的磁团聚相互作用进行了模拟计算。结果表明，随着Nd-Fe-B粉末颗粒间距的减小，颗粒之间的磁团聚作用力明显增大。当Nd-Fe-B粉末中存在α－Fe时，颗粒这间的磁团聚作用力明显高于无α－Fe时的磁团聚力。由于大部分有效取向外磁场被磁团聚效应抵消了，用通常的取向外磁场（≤2．0T）难以使Nd-Fe-B粉充分取向。     

FeZrBCu射频溅射薄膜磁导率和巨磁阻抗效应的研究

采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了（Fe0.88Zr0.07B0.05）97Cu3薄膜样品。X射线衍射结果表明，未经任何后期处理的沉积态薄膜为非晶态结构。在5kHz～13MHz频率范围内，着重研究了沉积态样品的有效磁导率和巨磁阻抗（GMI）效应的变化特性。研究结果表明，样品具有极好的软磁性能和GMI效应，其矫顽力仅为58A／m，饱和磁化强度约为1．15×106A／m，在13MHz的频率下最大巨磁阻抗比达到17％。并发现有效磁导率比随外磁场的变化，在各向异性场仇。0．4kA／m处出现了峰值，GMI效应也在此磁场的位置处出现峰值。这表明GMI效应与磁场诱导的有效磁导率的变化紧密关联。     

FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法

利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜，溅射过程中施加一横向静磁场，并在真空中退火。实验结果表明，FeCoSiB的应力阻抗效应与制备工艺（工作气压、溅射磁场）和退火条件（退火温度、退火时间）有着非常密切的联系。当偏置磁场从60 Oe增加到120 Oe时，薄膜的应力阻抗从0．5％提高到了1．65％。在80 Oe磁场下，薄膜经300℃、40min退火处理后，应力阻抗效应达1．86％。     

巨大晶胞化合物Ho117Fe52Ge112的结构磁性能研究

利用X射线衍射技术和振动样品磁强计（VSM）研究了巨大晶胞三元化合物Ho117Fe52Ge112的结构与磁性能,测定了外加磁场为0．5T时该化合物的磁矩随温度的变化关系。该化合物具有Tb117Fe52Ge112结构类型,空间群为Fm3m（No．225）点阵参数为a=2．80832（8）nm。在90K到室温的范围内,Ho117Fe52Ge112的磁化率与温度关系服从居里——外斯定律,每个化学式有效磁矩的实验值为ueff=111．25us。测定了室温（300K）时磁矩随外加磁场的变化关系。当外加磁场到2．1T时,该化合物的磁矩约为3．61emu／g,还没有达到饱和状态。