平面型CZT探测器对中低能γ射线的响应

在X、γ射线的探测和应用领域，为得到一种可在室温下工作、对X和γ射线探测效率高、能量分辨好、可作为成像应用时图像清晰的探测器，人们对许多材料进行了研究比较。CdZnTe探测器与Si、Ge半导体探测器相比，优点：1）禁带宽带宽，可在室温下工作；2）原子序数高，密度高，对X，γ射线有较高的阻止（吸收衰减）本领，探测效率高；3）电阻率高、漏电流小、噪声低。     

CdTe核辐射探测器及其极化效应

为寻找高分辨率、高效率的室温γ、X射线探测器,克服Si(Li)、Ge(Li)探测器只能在液氮温度下工作的缺点,人们对用化合物半导体材料(如CdTe、GaAs、HgI等)制备核辐射探测器产生了浓厚兴趣。由于它们的平均原子序数较高,禁带宽度较大,对γ或X射线的阻止本领大,能在较大的温度范围内工作,即使在室温下也有较高的探测效率和分辨率。     

高能量γ射线源

文章介绍了用Am-Be中子源得到5-10MeV能区单能γ射线,以及在反应堆上得到高能单色低本底γ射线的方法。它们可以用来刻度γ探测器如Ge(Li),HPGe,NaI(Tl)和BGO等的能量线性,能量分辨和相对效率。     

密闭式电热增压液氮自动注入器

HPGe,Si(Li)及Ge(Li)等半导体探测器有良好的能量分辨率,已广泛用于γ、X射线谱的分析。这类探测器不仅要在低温下工作,有的还需要在液氮温度下保存。因此,定期地向低温恒温器内充液氮是采用这类探测器后     

大体积同轴Ge(Li)探测器制备工艺及表面处理的初步研究

为了满足微量元素γ射线能谱测量的需要,制备高分辨率,高效率的实用Ge(Li)探测器是必要的。大体积Ge(Li)探测器的制备工艺相对小体积的有其特殊的要求。本文重点论述了130cm~3的单开端同轴型Ge(Li)探测器的制备工艺及其特点,表面处理的初步研究以及最后的封装结果。并就表面处理,探测器对能量分辨率的影响、探测器效率等问题进行了讨论。     

Ge(Li)探测器γ射线能量测量中心的几何效应

在实验中应用Ge(Li)探测器时,应确切了解测定γ射线能量的误差,这一点在各方面的应用中有重要作用。例如通过热中子(n,γ)反应研究核能级纲图时,根据Ritz原理,产生假能级的几率正比于γ射线能量的误差。因而能量误差越小,能级可靠性就越高。在瞬发和缓发中子活化分析中,要知道γ射线能量以便更好的分辨各种元素。 γ射线能量误差来源于;Ge(Li)探测系统输出的信号辐度与入射γ光子能量间的非线性,仪器的漂移,峰位拟合误差和几何效应引起的误差。几何效应是由于源的体积大     

高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器

本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置放大器对最大端点能量为18.6keV的氚β,~(241)Am 59.5keV的低能γ和X射线的能谱及~(55)Fe 5.9keV的X射线进行了测量。对~(55)Fe 5.9keV的X射线能量分辨率为190eV,并可在室温下存放。     

N型碲锌镉探测器的制备和性能

碲锌镉(CZT)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率,因此近年来发展迅速。我们实验室已制成φ8mm×1.7mm灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。     

高分辨率HPGe探测器及其稳定性

半导体探测器具有良好的能量分辨率,在能谱分析中已引起人们广泛的兴趣。Si材料原子序数(Z=14)较小,探测能量大于30keV的射线时,其效率迅速下降,因此人们选用Ge(Li)探测器。但它在制造和使用中存在两个主要的问题,一是必需用Li离子补偿Ge材料,二是Li在Ge中固有的不稳定性,使器件严禁升高到室温,即使是偶然的一次,也会导致器件的补偿度毁坏。这两个缺点,在用高纯Ge材料制备的探测器(HPGe探测器)中是不存在的,     

碘化汞核辐射半导体探测器

由于硅(锂)和锗(锂)探测器都需要在液氮温度下保存和工作,因此人们集中发展了原子序数高的、能在室温下工作的半导体探测器。现在主要研究的室温半导体化合物探测器有砷化镓、碲化镉和碘化汞。HgI_2是七十年代发展起来的一种新型室温核辐射探测器。由于它具有很高的原子序数和较大的禁带宽度,因而它的光电吸收截面大、探测效率高、能在常温下工作,体积小,使用方便。它可探测的能量范围较大,但更适合于探测能量在几个keV至150keV的X射线和γ射线。在医学生物学、放射性监测、野外探矿、能谱分析等方面有     

硅PIN光敏二极管探测X、γ射线的性能及应用

介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PIN光敏二极管配合10mm×10mm×10mm的CsI(Tl)晶体测量γ射线时,在20℃下对137Cs0.662MeVγ射线的能量分辨率为9.9%,60Co的1.332MeVγ射线的能量分辨率为6.4%,-10℃下的能量分辨率分别为8.7%和6.3%。     

室温X(γ)射线半导体探测器的最新发展

在X(γ)射线能谱仪和工业检测仪表中以及剂量仪器中都期待理想的室温X(γ)射线半导体探测器的产生。 1982年11月彭华寿同志在第一次全国核探测器学术会议上作的“低能核辐射探测器进展”一文中谈到,多年来室温化合物半导体探测器的发展一直得到人们的注意,十多年来,国外较集中的对CdTe和HgI_2两种材料进行了研究,并取得了很大的进展,但尚     

MCNP模拟HP-Ge探测器效率刻度曲线

利用MCNP模拟得到了某型HP-Ge探测器对一系列不同能量γ射线的响应能谱,根据响应能谱得到了相应的全能峰探测效率,在此基础上对探测器效率刻度曲线进行了模拟,可为HP-Ge探测器的设计和使用提供参考和依据。模拟结果表明:探测器对低能γ射线(60~300 keV)探测效率较高,随着能量的增加其效率逐渐减小;对能量在160 keV~1.8 MeV范围的γ射线,探测器效率与射线能量在双对数坐标中的关系为一条直线。     

样条函数在实验核物理中的一种应用

本文应用三次样条函数来求解某一核素特定能量γ跃迁的内转换系数值。用三组三次样条函数拟合Ge(Li)探测器的实验测定效率,给出该区域中任一能量γ射线的探测效率。     

在回旋加速器上用α束进行在束测量时的γ本底研究

随着加速器技术的发展以及高分辨、高效率半导体探测器的不断提高,在束γ谱学越来越受到人们的重视,因为它是研究原子核高自旋态的有力工具,可以为研究核结构提供更丰富的信息。在一定人射能量的核反应过程中,往往可以同时打开几个反应道,用Ge(Li)探测器进行在束测量时,就会记录到许多γ射线,使在束γ谱变得相当复杂,在这样测得的γ谱中,还附加了许多本底γ峰,它们主要来自Ge(Li)探测器中的非弹性中子散射和中子核反应所产     

~(166m)Ho γ射线相对强度测量

~(166m)Ho是一个长寿命(T_(1/2)=1200a)源,能区范围80—1400keV,在这个较宽能区内有近40条γ射线。仅用一个~(166m)HO源就可完成上述能区的能量刻度和代替多重混合源 来刻度探测器效率。因此它是刻度高分辨Ge(Li)探测器十分合适的放射源。 文献[1—3]给出了~(166m)HO的γ射线的相对强度值,但互有差异,因此我们重新研究它。     

130cm~3和100cm~3同轴Ge(Li)探测器相对效率刻度

由于Ge(Li)探测器具有优良的能量分辨,因此它是定量分析γ谱的有力工具。在活化分析、同位素放射性杂质的鉴定以及核谱研究中都有着重要意义。而精确地测量γ强度,主要取决于探测器效率曲线的精确刻度。每个Ge(Li)探测器的几何尺寸不一,故探测器的效率ε随能量Er的变化关系必须实验测定。     

用LiF热释光探测器诊断γ射线能谱

给出了一种用LiF热释光探测器诊断γ射线能谱的方法。该方法是用滤片(如：铜)逐级衰减γ射线．用LiF热释光探测器记录衰减后的γ射线的总剂量．解出了射线的能谱。由于LiF热释光探测器是绝对标定的．所以该方法给出的能谱是绝对注量与能量的关系,并在标准γ射线源上和强场物理实验中得到了验证。     

在0.3～10MeV能区内Ge(Li)探测器效率的绝对刻度

对42cm~3同轴双开端Ge(Li)探测器的效率进行了刻度,γ射线能量为0.3～10MeV。计算了源-探测器距离为10cm时FEP和DEP的绝对效率曲线,并给出了改变源-探测器距离时效率值的外推计算结果。检验了适合本探测器的FEP和DEP幅度分布的函数形式及效率曲线的函数表达式。     

HP-Siγ射线计数器

HP-Siγ射线计数器是目前室温条件下γ射线强度测量较为理想的探测器,它具有工作偏压低、体积小、线性好、性能稳定等特点。