高度集成的调幅／调频收音机芯片

Si473X是高度集成的调幅／调频收音机芯片，它将从接收输入信号到输出音频信号的所有功能全部集成至单颗芯片，只需两颗外部元器件和0．15cm^2的电路板空间。     

VCSELs输出功率取得重大突破

美国Photonics Spectra杂志2007年7月号报道了Princeton Optronics Inc．的VCSELs（垂直腔面发射激光器）在输出功率方面的重大突破，展现了用作固体激光器泵浦源的光明前景。目前，一个VCSEL的二维阵列，连续输出超过230W，功率密度1kW／cm^2（芯片面积0．22cm^2）；准连续输出达100W，室温工作，脉宽100μs，占空比0．3％，功率密度3．5kW／cm^2。     

东芝公司正式宣布推出集成64核心芯片

近日,日本东芝公司宣布,他们已经研发出来了一种低功耗集成64核心的SOC芯片,据了解,这项技术将用于汽车产品和数字消费产品领域。据官方介绍,这款SOC芯片将集成64个内核,而芯片的面积为209．3平方毫米,由两个32核心的模块组成。集成了双通道DDR3内存控制器,并支持硬件加速和其他外接设备。     

展讯发布首款40纳米2．5G基带芯片

展讯通信有限公司宣布业界首款基于40纳米CMOS工艺的2．5G基带芯片——SC6530开始供货,预计将于5月实现量产。除采用40纳米工艺设计,SC6530是展讯首款采用尖端技术将基带芯片与射频收发器集成于单芯片的2．5G产品,不仅简化了设计,而且降低了整体解决方案的布板面积。     

4G技术演进及移动终端芯片设计

文章分析了4G技术可能的演进进程，在此基础上，对移动终端基带处理芯片进行了介绍，并探讨了多模移动终端基带处理芯片的关键技术。作者认为4G终端技术是4G技术研究的重点，而移动终端基带处理芯片研发是4G终端技术研究的重点，为此提出了一种统一无线平台，利用该平台可方便地进行多模移动终端基带处理芯片的研发。     

光子集成芯片：世界上最快的光芯片

在美国硅谷实验室中．Infinera研发的创始人DavidWelch手持着一个2cm宽的金色长方体，这就是用磷化铟等材料制成的半导体光子集成芯片。在这个外表看似简单的芯片中．集成了大量的复杂光电器件。使得光通信从此进入了一个更低成本、更高容量的新时代。     

科汇裕利推出Nordic的nRF240X和nRF24ZI

半导体分销商科汇裕利最近发布了Nordic公司用于无线通信的2．4GHZ元件nRF240X和采用6x6mm封装的、完整的4Mbit／s数字2．4GHz无线音频流器件nRF2421，这两种器件都采用单芯片设计，特别适合需要成本低、电流消耗最低但同时性能和集成度很高的应用。NRF240X包括nRF2401(G)_收发器和nRF2402(G)发射器，这两种元件集成在同一芯片中，     

TTPCom推出AJAR3G应用平台

TTPCom公司发布业界最全面的面向批量市场的功能手机软件开发环境AJAR3G。AJAR3G具有超过30种预先集成的TTPCom的应用程序，其中超过20种来自业界领导第三方厂商。AJAR3G基于2G／2、5G版本开发而来．使用户仅需进行一次应用投资就可应用在多个网络、多种架构和不同的手机设计上面。AJAR3G适用于多种蜂窝芯片，覆盖的手机从低端到高端，     

瑞萨发布超小型2G／3G双模RF收发器R2A6028ILG

瑞萨科技公司（Renesas）宣布推出超小型2G／3G双模射频（RF）收发器R2A60281LG,可支持蜂窝通信的2G和3G模式。该器件在单个芯片中集成了移动电话所需的大多数高频信号处理功能。样品交付将于2008年3月从日本开始。R2A60281LG在一个芯片中集成的2G／3G双模功能支持全球移动电话标准,比瑞萨科技以前的RF收发器大约减少了20％的安装面积,支持3G的高速数字接口功能。www.cn.renesas.com     

IBM联盟研制出22nm SRAM

IBM联合联盟厂商AMD、意法半导体、Freescale、东芝以及CNSE发布首款22纳米技术工艺生产的SRAM芯片，SRAM存储单元由传统的6个晶体管集成在0．1μm^2区域中。传统的SRAM芯片集成密度受到堆积基础尺寸影响，也就是一个单元的面积，不过IBM联盟研究机构优化了单位存储单元设计，以及电路设计，以增强其可靠性，借助新技术使得提升SRAM单元存储密度成为可能。     

氮化硅微型芯片电容

本文主要介绍以氮化硅为介质、面积为0.2×0.3mm~2、0.44×0.5mm~2,容量为4～80pf的芯片电容的制备方法、性能、稳定性试验及其在直流到18G Hz范围内的各微波混合集成宽带放大器中的应用结果.     

几种新型宽带光接入方案及关键光电器件(续)

(上接第4期) 2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA) 对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示.     

首款4G基带芯片合肥问世

日前,由合肥东芯通信公司承担的合芜蚌试验区重大科技项目取得重大成果,自主研发出国内4GTD-LTE基带芯片。该芯片从研发到流片仅用了26个月时间,一次流片成功,并取得测试成功。该款芯片硅片面积为40mm^2,采用65nm工艺,封装后芯片尺寸为11×11mm^2,在同等工艺条件下面积最小,     

盛群推出64K串行接口EEPROM

Maxim推出高性能、完全集成的SiGe混频器MAX9994。MAX9994专为2．5G／3G无线基站系统设计，具有无与伦比的线性度、噪声性能和极高的集成度。该芯片具有8．3dB的转换增益、9．7dB的噪声系数和26．2dBm的11P3。此外，MAX9994还具有业界优异的2RF-2LO性能，在-10dBm RF电平下为67dBc，     

韩国推出全球首个4G终端芯片

韩国LG电子公司日前宣布开发成功全球首个4G终端芯片-LTE（LongTermEvolution简称）终端调制解调芯片,该芯片符合现有的全部LTE标准,集成了现有的LTE技术。     

IDT扩展双端口和FIFO产品系列

英飞凌科技公司推出的业界最小的成帧器和线路接口单元组件—OctalFALC，采用任意输入时钟并集成了模拟切换装置，每个芯片上可提供8个端口。与上一代产品相比，新组件将线路卡芯片的密度提高了一倍，并将材料成本降低了大约15％，且支持全部三种基群速率标准T1/E1/J1信道，非常适用于2G／3G无线基站、DSL接入多路复用器、数字接入交叉连接和DLC系统等应用。www．infineon．com     

小身材大诱惑 浩鑫XPC Barebone SG33G5M

浩鑫的这款新迷你电脑系统XPC Barebone SG33G5．虽然身材娇小．在性能和人体工学设计上．和其它电脑相比都毫不逊色。采用IntelG33Express／ICH9DH整合芯片主板．可以扩展高达4GB的DDR2内存，集成的IntelGMA3100显卡支持HDMI和VFD显示功能．即能在播放音乐．电视或者DVD的时候显示多种信息。另外XPC Barebone SG33G5M还支持Core2Duo／Core2Quad／Celeron／PentiumDualCore处理器。     

韩推出全球首个4G终端芯片

韩国LG电子公司日前宣布开发成功全球首个4G终端芯片——LTE终端调制解调芯片，并成功地进行了现场演示。据报道，该芯片符合现有的全部LTE标准，集成了现有的LTE技术。其最高上行、下行的数据传输率分别为100Mbps和50Mbps，约为目前HSDPA技术的5倍。芯片边长约为13毫米。     

富士通微电子推出一款多模多频RF收发芯片

富士通微电子宣布推出其进入移动电话RF收发器市场以来的首款产品-RF收发芯片。该款RF收发芯片用于移动电话．支持2GGSM／GPS／EDGE和3G UMTS／HSPA协议,并在单一芯片上集成了3G DigRF接口。这款新型收发芯片体型小巧,无需外部SAW滤波器和低噪声放大器（LNA）。     

用于LTE和3G的两颗射频芯片

SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件。这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时,还可以同时支持6个3G和LTE波段。在该芯片丰富