IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

IRF4000：用于PoE的集成MOSFET

国际整流器公司宣布推出100V额定电压的集成了四个HEXFET MOSFET的器件IRF4000,适合以太网供电(PoE)应用。新器件和用于网络与通信基础设备系统如以太网交换、路由器和集线器的IEEE 802．3af标准兼容,每个端口提供 15W、可以替代四个单独 SOT-223封装的MOSFET, 降低占位面积多达80％。     

IRF6622／28129：DirectFET MOSFET

国际整流器推出三款新型25VDirect FETMOSFET：IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOS．FET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块以及嵌入式DC-DC转换器。     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新60V、80V和100V的N沟道HEXFET~(R) MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

IR新型40V同步整流MOSFET 优化电信和数据通讯应用

电源管理供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET,优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。 IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

IRF虚拟化技术在气象网络中的应用

通过IRF虚拟化技术把两个或多个物理上连接在一起的交换机结合在一起,对外呈现出的是一个逻辑上的、虚拟出的交换机,可以实现跨设备链路汇聚,提高线路的冗余性和可靠性,与传统的网络架构相比简化配置,方便管理,本文通过对交换机虚拟化技术的阐述,并结合该技术在气象通信国内主干网汇聚层的应用实例分析,体现IRF的技术和发展优势。     

电源技术

国际整流器公司(IR)推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494HEXFETN沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56％。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏电荷减低达50％。若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5％,这将使器件结温降低15℃～20℃。新MOSFET专为正激或推挽式功率     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

电源技术

用于Itanium处理器热管理MOSFET 国际整流器(IR)公司的IRF6601型和IRF6602型MOSFET均通过其管壳顶部散热设计,来使电源系统满足英特尔公司Itanium2处理器的散热要求。这两种MOSFET的输出电压为1.3V,维持电流可高达100A。它们拟用于英特尔公司     

IR推出DirectFET MOSFET芯片组专为注重成本的DC-DC应用而设计

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出了IRF6708S2和IRF6728M30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输入同步降压应用（如笔记本电脑）而设计。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少部件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。     

IR 1176同步整流集成电路由IR公司推出

国际整流器公司(IRF)推出专用同步整流集成电路IR1176。该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率。 IR1176同步整流集成电路辅之以直流-直流变换器专用HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下的电路内效率分别达85%和86%。IR1176能加强对栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流-直流变换器同步整流MOSFET的副边损耗。     

效率高达95%的200V DirectFET MOSFET

国际整流器公司(IR)新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V～75V通用输入范围内操作的隔离式设计DC/DC转换器。其超低的51mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷,使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载     

IR推出用于2MHz降压转换器的MOSFET

国际整流器公司(IR)最近推出的IRF6607是30V的MOSFET,在降压DC/DC转换器中用作同步整流开关,开关频率高达2MHz.     

电源和电源管理

用于移动电脑的电源芯片国际整流器公司(IR)的IRF7811及IRF7809是低压HEXFET功率MOSFET芯片组符合英特尔移动电源2000年规范(Intel Mobile Power Guideline 200),用于中央处理器内及外围设备的DC/DC转换器。利用该芯片组可以把DC/DC转换器的整体效率提高到90％。将来移动电脑的中央处理器要求电源电压低至1.3V,电流超过     

新型60V DirectFET MOSFET

国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I…     

IR新型HEXFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET,可将30V45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用于驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD新型处理器。这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管     

IR针对高频率DC-DC开关应用新推25V DirectFET芯片组

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。     

25VDirectFET芯片组为高频率DC—DC开关应用带来业界领先效率

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。