一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

单片微波功率放大器的极限评估试验研究

研究了极限评估试验技术,选用国内某款GaAs MMIC功率放大器芯片,分析了器件的详细规范、关键参数、极限判据等信息,设计了高温极限评估试验和电压应力极限评估试验的试验剖面,考察器件在热、电应力下的极限能力和失效模式,并对极限评估试验的技术手段进行了实验验证。实验结果表明,极限评估试验技术能有效评价两组试验器件的各类极限,通过试验可以获得器件的失效模式,以及器件的可靠性裕度,为改进元器件设计、材料和工艺提供依据。     

超高亮度发光二极管芯片切割技术

介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景.结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生产工艺中存在的芯片正崩、芯片背崩、芯片脱落以及划片裂片不良等问题进行了探讨并提出了解决方法.指出激光切割技术是LED芯片切割工艺发展的必然趋势.     

CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计

本文对ＣＭＯＳ集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计技术进行了详细的论述，包括评估电路图形库的建立、版图布局的规范设计、测试试验方法规范化等，使工艺评价ＰＣＭ和可靠性评估ＲＥＭ测试结构发展成为工艺监测、工艺控制和可靠性评估的实用技术。     

薄膜基板中填充孔工艺的研究

在微波混合电路和多芯片模块中,填充孔相比于传统电镀通孔在解决微波接地、芯片散热和微组装工艺问题等方面具有很大优势.利用填充孔工艺使微波电路的设计更加灵活;由于填充孔消除了组装时通孔溢出导电胶或焊料过多的现象,提高了组装工艺效率.对薄膜基板上填充孔的制作工艺进行了深入研究,并对其电参数、散热性能和可靠性进行了测试和评估.最后,将采用填充孔工艺的薄膜基板应用于限幅低噪放和锁相源产品中,测试结果表明产品性能和散热效果均有明显提高.     

UVC-LED芯片质量评价方法

受新冠疫情影响,可用于杀菌消毒的短波紫外发光二极管(UVC-LED)市场需求急剧增加,但是目前对UVC-LED的参数测量没有相应的国家标准,市场上芯片质量良莠不齐,严重制约了 UVC-LED的应用.从外延生长质量和芯片制作工艺对UVC-LED宏观光电特性的影响出发,选择I-V特性曲线离散性、辐射强度和辐射通量电流饱和效应作为测量参数,提出了一套能够方便、快速地判断出芯片质量优劣的方法,并搭建了相应的测试系统,对不同厂家的UVC-LED进行了测量和性能评价.实验结果表明,该测试方法和系统能够用于快速评价UVC-LED芯片质量,为企业提供了一种高效、简便的UVC-LED芯片质量评价方法.     

评估芯片多层布线薄膜层间黏合性能的新方法

芯片小型化和超薄化的趋势促使晶圆级封装(WLP)技术变得更为普及.由于金属及低介电材料叠层制造的芯片后段(BEOL)薄膜层间黏合特性对WLP的切割良率以及产品出厂后的可靠性有很大的影响.提出了一种新型的芯片整体黏合性能的评估方法——拉伸实验,包括样品选取规则,拉伸实验样品的制备,成功的拉伸实验判定准则,以及对断裂样品的断裂面及拉力强度的分析方法.有两种典型的芯片拉伸曲线分别对应了脆性断裂(断裂面位于金属层上方的SiO2薄层)和韧性断裂(断裂面基本在凸块工艺的聚酰亚胺层或与白胶的接触面).对WLP芯片来说,优化后的多层布线薄膜工艺需要在拉伸实验中得到韧性断裂的结果验证,确保晶圆切割时不会发生芯片多层布线薄膜层间剥离的问题.     

全面分析45nm逻辑芯片工艺

东芝、索尼及NEC电子3家公司共同开发出面向高速逻辑芯片的45nm工艺技术.使用这种工艺试制的用于特性评估的测试芯片表明,跟65nm工艺相比,晶体管的延迟时间可缩短30%以上.而且,在两种工艺制成的芯片频率相同时,由于45nm芯片的电压降低,因此工作时的功耗可以减少到50%左右.由于芯片面积因为工艺发展而缩小,所以,即使算上新技术的投入费用,制造成本也有可能下降.东芝预计,使用这种工艺的高速逻辑芯片将在2007年末～2008年初开始生产.     

深亚微米标准单元库的可制造性设计

针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准.实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力.基于改进后的0.18 μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景.     

印制板上形成凸块的倒芯片安装技术

该文概述了在印制板(PWB)上形成倒芯片安装用的凸块的方法和工艺条件,并进行可靠性试验和评价,确认了Boss B~2it 技术可以实现低成本倒芯片安装。