Ti(CN)和V(CN)细化剂对工业纯铝晶粒细化效果的对比

采用自制的Ti(CN)和V(CN)粉体晶粒细化剂,研究了其对工业纯铝的晶粒细化能力,提出了其细化机理。结果表明,Ti(CN)和V(CN)粉体晶粒细化剂对工业纯铝有明显的细化效果,且V(CN)的细化能力比Ti(CN)的更强一些。     

Al-Ti-B-RE细化剂对铝晶粒细化效果初探

对新型细化剂Al-Ti-B-RE的细化效果进行了探讨。结果表明：该中间合金是一种高效、长效的晶粒细化剂，当加入量为0．04％～0．10％，铝熔体在800℃静置30min的细化效果最显著，其效果优于进口Al-Ti-B细化剂。     

Al-Ti-B-RE细化剂对铝晶粒细化效果初探

对新型细化剂Al-Ti-B-RE的细化效果进行了探讨。结果表明:该中间合金是一种高效、长效的晶粒细化剂,当加入量为0.04%～0.10%,铝熔体在800℃静置30min的细化效果最显著,其效果优于进口Al-Ti-B细化剂。     

纳米TiN/Ti细化剂对7050合金组织和性能的影响

采用高能球磨法制备了纳米TiN/Ti复合晶粒细化剂,研究了该细化剂对7050铝合金铸态组织和性能的影响。结果表明,0.2%的复合细化剂对7050铝合金细化效果明显优于纯Ti细化剂,可使合金平均晶粒尺寸由未添加细化剂的105.5μm细化至83.5μm,组织中的第二相细小、分布较均匀。添加了复合细化剂的7050铝合金铸态抗拉强度由未添加细化剂的187.8MPa提高至220.8MPa,硬度(HB)由未添加细化剂时的97.63提高至102.7。     

Al-Ti-C晶粒细化剂对工业纯铝的晶粒细化

采用自制的Al-Ti-C晶粒细化剂，检验了Al-Ti-C晶粒细化剂对工业纯铝的晶粒细化能力，研究了Al-Ti-C的含碳量、添加量、保温时间、浇注温度等对工业纯铝晶粒细化效果的影响。结果表明，对于工业纯铝添加质量分数为0.2％的Al-5.14Ti-0.3C晶粒细化剂，在725℃的铸造温度下保温2.5min，所得的铸锭晶粒细化效果最好。     

新一代Al—Ti—C 料细化剂的工业应用

最近的研究证明,ＡｌＴｉＣ晶粒细化剂不存在与ＡｌＴｉＢ中ＴｉＢ２有关的缺点,ＴｉＣ聚集倾向小和对锆、铬中毒免疫。介绍了研制的新型ＡｌＴｉＣ晶粒细化剂的实验室试验和工业应用试验结果。对９９．７％Ａｌ的实验室试验表明ＡｌＴｉＣ的晶粒细化效果比进口ＡｌＴｉＢ的好。在纯铝铸轧板的初步试用中也获得了良好的结果,在Ａ３５６合金中已获得了工业应用。     

低频交变磁场及细化剂对工业纯铝铸态组织的影响

研究了低频交变磁场及细化剂对工业纯铝熔铸过程中铸态组织的影响.结果表明,低频交变磁场可以通过改变熔铸过程中工业纯铝熔体的流动状态进而改变缩孔位置和铸锭表面质量,并显著细化晶粒.在低频交变磁场及无磁场条件下,随着细化剂加入量的增多,铸锭晶粒尺寸均变细;在相同细化剂加入量条件下,低频磁场作用下铸锭晶粒尺寸明显小于无磁场时的铸锭晶粒尺寸.     

世界铝晶粒细化剂供应工业

叙述了世界铝钛硼晶粒细化剂供应工厂的发展历史和现状，ＡｌＴｉＢ丝产品的世界需求量和市场分析，供尖厂的设备与产量，对各供应厂的工艺流程和特点进行了重点说明。然后就一砦用户对产品质量和服务质量等方面的体验，将供应厂排了名次，同时列举了一些不同厂家的检测数据。最后介绍了发展和质量准则与质量致性等有关问题。     

自蔓延高温合成Al-TiC晶粒细化剂及其晶粒细化效果

采用自蔓延高温合成 (SHS)技术直接合成了Al 80 %TiC和Al 5 0 %TiC晶粒细化剂。研究了这两种细化剂的相组成、结构及对工业纯铝的晶粒细化效果 ,并与商用Al 5Ti 1B细化剂进行了对比。结果表明 :合成的细化剂由TiC和α (Al)两相组成 ,TiC粒子的尺寸和分布对细化剂的晶粒细化效果有显著影响。Al 80 %TiC细化剂中TiC粒子尺寸较大 (2～ 5 μm)且呈聚集成团分布 ,其晶粒细化效果较差。合成的Al 5 0 %TiC细化剂的晶粒细化效果略优于Al 5Ti 1B细化剂。加入 0 .1%的该细化剂就能使凝固试样的结构由粗大的柱状晶转变成细小的等轴晶 (平均晶粒尺寸 12 0 μm) ,且这种晶粒细化效果可保持 90min。SEM和TEM分析显示 ,Al 5 0 %TiC细化剂中原位合成的TiC粒子具有亚微米尺寸 (0 .4～ 0 .9μm) ,且在高温铝液中具有较强的稳定性 ,从而赋予该细化剂良好的晶粒细化效果和强的抗晶粒细化衰退能力     

Al-Ti-C对纯铝晶粒细化效果的研究

添加本院研制的Al Ti C中间合金,通过对细化条件的调整和控制,使工业纯铝的平均晶粒度降低到96μm,且时间延长到2h后平均晶粒度仍在110μm左右。表明本院研制的Al Ti C中间合金具有优异且稳定的细化作用。     

Al─Ti─C─B中间合金细化剂的研究

研究了新近开发的Ａｌ－Ｔｉ－Ｃ－Ｂ中间合金细化剂，检查了其显微组织及细化工业纯铝及含Ｚｒ铝合金的性能，并与Ａｌ－Ｔｉ－Ｂ中间合金细化剂进行了对比。结果表明：Ａｌ－Ｔｉ－Ｃ－Ｂ中间合金细化剂含有Ａｌ３Ｔｉ、ＴｉＢ２和ＴｉＣ三种第二相，它们形成尺寸细小弥散分布的多相粒子团，其细化工业纯铝晶粒的能力明显优于Ａｌ－Ｔｉ－Ｂ中间合金细化剂，并克服了Ａｌ－Ｔｉ－Ｂ中间合金细化剂易被Ｚｒ原子毒化的弱点。分析认为，Ａｌ－Ｔｉ－Ｃ－Ｂ中间合金优异的细化性能归功于多相粒子团表面凹陷处的物理化学作用     

Ti对纯Al晶粒细化作用的电子理论分析

传统的相图理论无法从本质上解释Ti对纯Al的细化机理,特别是当加入少量(小于包晶成分)的Ti时,也可以使纯Al细化的现象。运用固体与分子经验电子理论(EET理论)研究了Ti、Al、AlTi和Al3Ti的价电子结构,通过计算共价电子对数和键能,指出了当加入微量的Ti时会形成以Al3Ti相为主的细化相,Al3Ti作为异质质点形核从而细化纯Al。     

温度对制备Al-Ti-C晶粒细化剂的影响

采用石墨粉加入到Al-Ti合金中的方法来制备Al-Ti-C晶粒细化剂。采用扫描电镜和透射电镜观察了Al-Ti-C合金的微观形貌，采用X射线衍射装置检测了Al-Ti-C合金中的相组成。结果表明，在制备Al-Ti-C合金过程中，温度低于1273K先生成TiC粒子，随着保温时间的延长TiC转变成为Al4C3;但温度升高到1573K以上时,Al4C3会分解重生成TiC.     

温度对TiN/Ti多层膜微观结构和氧化行为的影响

研究了TiN/Ti多层膜不同温度下的微观结构和氧化行为.采用阴极弧离子镀沉积的方法制备了19层调制周期为200 nm的TiN/Ti多层膜及相应的TiN单层膜.采用高分辨场发射电子显微镜(HR-FESEM)、光学显微镜和X射线衍射仪(XRD)分别对膜层断面结构、表面形貌和物相进行分析.结果表明,随着加热温度的升高,TiN单层膜在350℃时开始出现局部剥落,550℃出现大范围的剥落,而多层膜未发生剥落;相对TiN单层膜,TiN/Ti多层膜具有层状结构,其抗氧化能力有一定的提高.结合试验结果,讨论了TiN/Ti多层膜和TiN单层膜的工作温度.     

浇注温度和细化剂对半固态A356合金组织的影响

采用低温铸造和晶粒细化复合工艺制备A356合金半固态坯料,研究了浇注温度和细化剂(Al-5Ti-1B)添加量对半固态坯料组织的影响。结果表明,随着浇注温度从715℃降到635℃,α-Al晶粒形貌从树枝晶向蔷薇状形态再到等轴晶组织变化,浇注温度越低,晶粒越细小圆整。当浇注温度降到615℃时,晶粒开始出现粗化和不均匀。在相同温度下,随着晶粒细化剂添加量的增加,晶粒更加细小,但细化效果随着添加量的增加变得不明显。当浇注温度低于635℃时添加细化剂,晶粒尺寸和形貌无明显变化。低过热度浇注和晶粒细化复合工艺制备A356合金半固态坯料的最佳工艺条件是:浇注温度为635~655℃,细化剂添加量为0.1%~0.2%。     

不同电压下脉冲电流对纯铝凝固组织的影响

采用储能电容为3640μF的脉冲电源，在不同的充电电压下，对纯铝的凝固过程进行电脉冲处理。结果表明：脉冲电流能够扩大纯铝铸锭的等轴晶区、缩小柱状晶区，并使晶粒尺寸细化。在一定的脉冲电流参数范围内，电流密度增大和脉冲频率升高都有利于金属凝固组织的细化和改善。     

三种中间合金对纯铝晶粒细化作用的对比研究

采用光学显微镜和X射线衍射仪检测分析了Al-5Ti-1B、Al-10Ti和Al-4B三种中间合金的显微组织,并使用这三种合金对纯铝进行了细化实验.结果表明,Al-5Ti-1B中间合金由TiAl3、TiB2和α-Al基体三相组成,Al-10Ti中间合金由TiAl3和α-Al基体两相组成,TiAl3相尺寸不均匀,Al-4B中间合金由AlB2和α-Al基体两相组成.Al-5Ti-1B和Al-10Ti中间合金对于纯铝具有良好的细化作用,Al-4B中间合金对于纯铝几乎无细化效果.TiAl3相时于铝晶粒具有显著的细化作用,在Ti的基础上引入B元素可进一步增强细化作用.     

调制周期对TiN/Ti多层膜组织结构和结合力的影响

为了阐明调制周期对薄膜微观组织及薄膜与基体结合力的影响,采用反应磁控溅射在Ti6Al4V基板上交替沉积了Ti层及TiN层制备了TiN/Ti多层膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度仪和划痕仪测量分析了薄膜的晶体结构、微观组织、硬度以及薄膜与基体之间的结合力。研究结果表明:TiN/Ti多层膜中均存在TiN,Ti和Ti2N 3种相。TiN/Ti多层膜均以柱状晶方式生长,在调制周期较大(5层)时,TiN和Ti层的界面清晰;随着调制周期的减小(层数增加),TiN和Ti层的界面逐渐消失。与单层TiN薄膜相比,多层TiN/Ti薄膜的硬度显著提高;但随着薄膜层数的增加,多层TiN/Ti薄膜硬度略微降低。当调制周期为80nm(30层)时,薄膜与基体的结合力明显提高,达到73N。