一个通用LCD驱动电路设计

实现了一款适合单色小屏幕应用的通用LCD显示驱动芯片的设计.该芯片采用0.5μm高压CMOS工艺.采用双电源供电,数字逻辑电路电压为5 V,LCD驱动电压典型为8 V,最高12 V.采用RC振荡电路,内置显示对比度调整电路.多种驱动方案可选,最多可以支持730段码.4个通用输出端,可用于背光控制等电路.通过串行总线控制,提供外部管脚INH,可异步关断所有输出.可控制其工作在省电模式.无需外接译码电路,通用性强.     

带补偿网络的高精度LED恒流驱动电路的设计

为满足LED显示驱动芯片的要求,采用CSMC 0.5μm CMOS数模混合工艺,设计了LED恒流驱动电路。采用补偿网络与高精度电流镜,改善电路的瞬态响应并提高输出电流的精度。该电路可利用外接电阻调节恒流输出的大小,电流输出范围为3 mA～40 mA。利用Spectre在不同工艺角下对电路进行仿真,电源电压从4.5 V～5.5 V变化时,电流的最大变化率为1.62%;温度变化范围为-40℃～85℃时,最大温度系数为58.84×10-6,外接电压由2 V～6 V变化时,电流最大变化率为2.23%,驱动电路性能良好。     

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。     

10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片

介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.     

一种带电平转换功能的双电源电压输出电路

出于性能、功耗和兼容性的考虑,芯片的核心电路与I/O电路一般采用不同的电源电压.文中设计了一种新型2.5V/5V双电源电压输出电路,此电路带有新型电平转换电路,能够将摆幅为0～2.5V的内部信号转换为摆幅为0～5V的输出信号.同时,文中所设计的输出电路只使用2.5V耐压的薄栅氧MOS器件,虽然在5V电压下工作,却没有栅氧过压问题.     

一种2.2Gbps基于0.35µm CMOS工艺新颖的LVDS驱动器设计

本文介绍了针对点对点通信的一种新颖的高速低压差分驱动器的设计。由于加入了充放电电路使得驱动器的开关噪声大大降低,进而该电路有效工作频率得到提升。同时,通过加入一个简单且有效的共模反馈电路使驱动器输出共模电压得到稳定。该驱动器采用0.35μm CMOS工艺加工,占用芯片面积15mm2。测试结果表明在1.8V电源电压下,该驱动器能有效传输2.2Gbps的数据流,总输出抖动为21.35ps, 总功耗仅为23mW。     

TI TPSI3050-Q1带10V栅极的增强隔离汽车开关驱动器解决方案

<正>TI公司的TPSI3050-Q1是带10V栅极的增强隔离汽车开关驱动器,和外接功率开关组合,组成完全隔离的固态继电器(SSR).具有正常栅极驱动电压10V和1.5A/3.0A峰值源和沉电流,可选择各种外接功率开关以满足各种不同的应用. TPSI3050-Q1从初级边的功率接收产生它自己的次级偏压电源,这样不需要次级边的隔离电源.此外,器件还能为外接支持电路选择电源,用于各种应用需要的应用.     

TI TPSI3050-Q1带10V栅极的增强隔离汽车开关驱动器解决方案

<正>TI公司的TPSI3050-Q1是带10V栅极的增强隔离汽车开关驱动器,和外接功率开关组合,组成完全隔离的固态继电器(SSR).具有正常栅极驱动电压10V和1.5A/3.0A峰值源和沉电流,可选择各种外接功率开关以满足各种不同的应用. TPSI3050-Q1从初级边的功率接收产生它自己的次级偏压电源,这样不需要次级边的隔离电源.此外,器件还能为外接支持电路选择电源,用于各种应用需要的应用.     

一种高效率白光LED驱动器的设计

小功率白色LED是便携式电子产品中LCD背光照明的最佳选择,其驱动器可以看作是向LED供电的特殊电源。介绍了一种高效率PFM升压型DC/DC转换器的设计。该转换器可带30 mA负载,输入电平0.8~3 V,输出1.9~3.9 V,无需外接用于启动的肖特基二极管,可在1.2V电压启动;重点对基准电压和振荡器的设计进行分析,采用0.6μm CMOS工艺完成芯片的设计。负载为20 mA时,芯片的工作效率大于80%,电压精度≤±2%,有较大的实用价值。     

24Gb/s GaAs PHEMT激光二极管/调制器驱动器

采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一 5V电源供电时直流功耗为1.5W,输出最高电压幅度为2.4V,电路最高工作速率高于24Gb/s,可以应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统.