多工位PTCR耐工频电流测试仪的研制

为满足PTCR生产中耐工频电流冲击特性测试的要求。研制了多工位PTCR耐工频电流冲击特性测试仪．在测试过程中各测试工位先通先断,保证各个工位通断电时间满足测试要求。从而保证了PTCR耐工频电流冲击性能的准确性、高效性,当PTCR样品击穿时相应测试电路具有过电流保护电路功能,自动切断回路,实现了一个保护电路对多个工位的过流保护的功能,提高了仪器本身的可靠性。     

多工位PTCR电流–时间特性测试系统的研制

基于PCI总线的数据采集卡,研制出了多工位PTCR元件电流–时间特性测试系统。它能同时对10个工位的PTCR元件的启动时间、峰值电流、残余电流、恢复时间、消耗功率等多个参数进行测量。系统测试方便,测量精度高,最大测试误差<1%,在实际应用中得到企业用户的好评。     

矩阵式PTCR耐电压自动测试系统

为了解决PTC热敏电阻元件在耐电压测试过程中测试效率低以及测试结果的稳定性与可靠性差等问题,设计了矩阵式PTCR耐电压自动测试系统.系统由气缸夹持并推进样品夹具;采用高速MCU控制继电器组顺序对8×16矩阵式PTCR样品进行耐电压测试;各路均有过流保护电路,可实时监测回路电流并对过流迅速做出反应,且运用了去干扰技术;还可与上位机配合自动分选样品.实际应用表明,系统的测试结果准确稳定可靠,自动化程度高,提高了生产效率.     

一种高耐压过流保护用PTCT热敏电阻器

研制出一种BaTiO3系高耐压过电流保护用PTCR热敏电阻器，发现掺入一定量的Ca取代Ba，及过量TiO2的引入方式，工艺因素，金属电极对PTCR热敏电阻器的耐电压影响较大。通过对上述因素的优化组成，成功研制出耐电压≥650V的高耐压过流保护用PTCR热敏电阻器。     

辐射交联对高分子聚合物PTCR热敏电阻器电性能的影响

辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物PTCR热敏电阻器之电性能有较大的影响.实验证明:辐照强度有一个最佳范围,正确选择辐照强度可提高高分子聚合物PTCR热敏电阻器的升阻比,改善动作特性及耐压、耐电流等电性能.     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

一种高耐压过流保护用PTCR热敏电阻器

研制出一种BaTiO3系高耐压过电流保护用PTCR热敏电阻器,发现掺入一定量的Ca取代Ba,及过量TiO2的引入方式,工艺因素,金属电极对PTCR热敏电阻器的耐电压影响较大。通过对上述因素的优化组合,成功研制出耐电压≥650 V的高耐压过流保护用PTCR热敏电阻器。     

多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究

制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管的 I-V特性进行了测试。AFM分析结果表明 ,电子束蒸发 /反应溅射 /电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整 ,膜层较致密 ;I-V特性测试结果显示 ,MIM-TFD的电流通断比约为 1 0 5,I-V特性曲线的非线性系数为 1 0 ,左右阈值电压分别为 6.3 V和 5 .8V,具有良好的对称性。该 MIM薄膜二极管的性能可以满足有源矩阵液晶显示的要求     

大电流冲击下MZ23样品炸裂的原因分析

ＭＺ2 3利用ＰＴＣ陶瓷的电流—时间特性来保护设备的 ,当线路中因故障通过大电流时 ,串联于电路中的ＭＺ2 3ＰＴＣ元件由于ＰＴＣ效应可有效地防止设备因短路造成的破坏。这就要求产品本身在大电流冲击下可靠性好 ,若产品在大电流冲击时本身炸裂 ,则失去了保护作用。本文报道了用ＳＥＭ对由于生产工艺控制不当 ,在试验条件为 :2 2 0Ｖ ,3Ａ ,通 1分断 1 0分实验中炸裂的ＭＺ2 3样品 (该批次样品 1 0 0 %炸裂 )的观察结果 ,并讨论了异常微观结构形成原因及其对产品炸裂的影响。用ＤＸ 3电镜分析了炸裂样品 ,工作条件为 2 5ｋＶ ,1 6 0ｍＡ。…     

一种CMOS功率开关反向电压保护电路

接口电路通常采用CMOS功率开关作为输出缓冲电路,在实际应用中经常受到反向电压的冲击,因此,必须设计相应的反向电压保护电路,以保证CMOS功率开关的安全.提出了一种新型的反向电压保护电路,能够在反向电压冲击CMOS功率开关时提供合理的衬底电压和栅极电压,抑制反向电流,保障器件安全.该电路简洁有效,不影响电路的输出驱动能力和瞬态响应特性.采用0.6 μm CMOS工艺,制作了一个包含保护电路的接口电路,测试结果表明,该保护电路能够在+12 V反向电压下为功率开关提供良好保护.     

压敏电阻器与PTCR热敏电阻器的组合应用

介绍了压敏电阻器和ＰＴＣＲ热敏电阻器的非热耦合组合应用，热耦合组合应用。对压敏热敏热耦合三端组件样品进行了测试，测试结果表明，压敏芯片对ＰＴＣＲ芯片的动作特性有影响，压敏芯片体积越大影响越大。采用较小尺寸的压敏电阻器与ＰＴＣＲ热敏电阻器组合，再与尺寸较大、压敏电压较高、吸收脉冲冲击能力较好的压敏电阻器一起应用效果好，安全性更有保障。     

薄膜电容直流耐压测试仪的原理与实现

介绍了薄膜电容分选机中直流耐压测试仪的开发背景与意义,阐述了直流耐压测试的原理与结构,对高压条件下的充电过程、放电过程,回路控制、检测和抗干扰技术等主要设计思想与理论进行详细说明。另外还对客户工厂中的应用情况以及存在问题做了简单概括。     

铝阳极氧化膜耐电压机制研究

建立了(+)Al/Al2O3/电解液(-)系统耐电压模型。在该模型中,耐电压测试时施加于样品系统上的恒稳测试电流被分离成了介质层充电电流及缺陷漏电流两部分。使用该模型对恒稳电流下铝阳极氧化膜耐电压随时间的变化进行了模拟,模拟结果与实测值几乎完全重合,并准确预测出了铝阳极氧化膜升压时间及180s时的耐压值。另外,对铝阳极氧化膜耐电压曲线进行了初步解释。     

ZnO压敏防雷芯片工频耐受与通流能力的相关性

为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20μs通流能力试验。研究结果表明:工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低。     

高速大动态范围偏振消光比测试技术

在保偏传感系统、高速电光调制系统和无源光器件的研制、生产和维护中,对偏振消光比的指标要求逐渐提高,为此提出了一种高速大动态范围偏振消光比测试技术。首先阐述了旋转检偏法的基本原理,然后介绍了本技术中使用的对数放大器功率探测方法,最后将普通型偏振消光比测试仪和改进型偏振消光比测试仪的测试结果进行了对比。结果表明,改进后的偏振消光比测试技术提高了消光比测试的速度和动态范围,解决了当前测试技术存在的问题,因此满足市场中的相关需求。     

Relation between UIS withstanding capability and I-V characteristics in high-voltage GaN-HEMTs

A lack of unclamped inductive switching (UIS) withstanding capability of high-voltage GaN-HEMTs is a critical disadvantage for them. It is caused by poor removability of holes, which are generated by the avalanche breakdown. This paper shows the relations between the UIS withstanding capability and the static I-V characteristics are discussed to clarify the bottle neck factor for hole removal. From the UIS withstanding capability depending on the gate-leakage current, the crystal defect density around the gate would influence the withstanding capability.     

A Level-Crossing Approach for the Analysis of RF Modulated Signals Using Only Digital Test Resources

The test of analog & RF circuits at wafer-level suffers from both quality and throughput limitations, especially due to probing issues and limited count of expensive instrumentation resources. Since final test after packaging guarantees product performances, constraints on wafer-level test can be relaxed. This paper investigates a signal acquisition protocol based on the use of digital tester channels to perform the demodulation of analog/RF signals. Due to the large availability of such hardware resources on most testers, this approach allows to setup a multi-site strategy, thus increasing the test throughput. The fundamental concept is to capture the signal through the 1-bit comparator available in a digital tester channel and to process the resulting bit stream to retrieve the analog/RF signal characteristics. In this paper, the proposed solution is illustrated for the demodulation of Frequency-Modulated (FM) and Amplitude-Modulated (AM) signals. Both simulation and experimental results obtained with a Verigy 93K platform are presented.     

用双温点立式炉烧成高性能PTCR陶瓷的工艺

以程控交换机过电流保护用高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件作烧成对象，研究了应用自动连续式高温电阻炉对高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件实施规模生产的工艺。调整双温点自动高温电阻立式炉的温度和下降传动速度可方便地得到合理的烧成曲线，改善ＰＴＣＲ材料的性能参数，并保证高的成品率和性能一致性。     

P-t测试仪动态校准研究

P-t测试仪的动态特性是否符合井下射孔压力信号采集的要求,对测试系统的准确性至关重要。根据校准设备的特性,用激波管作为激励源对压力传感器的动态特性进行分析,给出了动态数学模型,并由此得出动态性能指标;用落锤对压力测试系统的灵敏度进行校准,给出了数据处理方法。提出动态校准结果的动态不确定度,说明物理意义和计算方法。结果表明,该存储测试系统能够精确地记录射孔压力数据,为高质量的打开油气层,进一步研究射孔工艺机理提供理论依据。