毫米波E面混合集成电调振荡器

提出了一种结构新颖、利用梁式引线变容管进行调谐的毫米波E面混合集成电调振荡器及其设计方法。电调振荡器由E面悬置耦合带线和鳍线构成,输出端口为标准矩形波导。通过对变容管偏压的调节,振荡器在35GHz频率处有780MHz的电调带宽,带内功率输出为(19.3±0.5) dBm。     

8mm集成鳍线宽带机调耿氏振荡器

提出了一种在集成鳍线振荡器中安装Gumn管芯的载体结构,并且用复功率守恒法对该结构作了分析,得到载体在振荡电路中与Gumn管芯匹配的最佳尺寸。由于文中所提出的结构妥善地解决了Gumn管芯的安装问题,并且便于作优化调整,使得振荡器具有高可靠性、宽带及平坦功率输出的特点。使用这种方法设计的Ka频段集成鳍线振荡器具有12GHz以上的机调带宽,带内输出功率大于30mW。     

W波段小型化锁相源

根据基波锁相、谐波提取的思想,采用双环数字锁相方式,实现了W波段二次谐波耿氏锁相振荡器;分析了混频锁相环中输出端口与中频端口相位抖动的关系,指出了从自身中频端口测试相噪的局限性。该锁相源频率为93 GHz,射频偏离载波50 KHz时,相噪为-70 dBc/Hz,输出功率大于10 mW,可用于本振等小功率场合     

Q波段宽带四倍频放大组件研究

Q波段(33~50 GHz)比Ka波段(26.5~40 GHz)频率更高,对这一波段国内研究较少。该文设计了一种Q波段宽带四倍频放大组件,该组件包含两级二倍频器、两级之间的带通滤波器和一级毫米波功率放大器,最后通过微带到波导过渡输出。设计宽带带通滤波器的目的是为了抑制基波和三次谐波。测试结果表明,在33~50 GHz的输出频率范围内,输出功率大于10.5 dB,谐波抑制大于31.6 dBc。该倍频放大组件具有输出频带宽、体积小、输出功率高以及谐波抑制度高的特点。     

一款基于45 nm SOI CMOS工艺的高功率二倍频器

基于45 nm SOI CMOS工艺,设计了一款输出频率为10.04 GHz～19.26 GHz的高功率二倍频器。该二倍频采用push-push结构,能够滤除奇次谐波,留下偶次谐波。为了提高倍频管二次谐波的功率,将MOS管偏置在C类。在二倍频器的输入端,采用二次谐波短路回路来提高倍频转换增益;同时,为了实现巴伦中心交流接地及平衡信号,在巴伦中心抽头处加入了一个电容。后仿真结果表明：在输入功率为0 dBm下,3 dB绝对带宽范围为10.04 GHz～19.26 GHz,相对带宽为62.9%。在带宽内基波抑制达到了27 dBc以上。最大转换增益为4.9 dBm。直流功耗峰值为26 mW。其最大功率附加效率为15.4%。芯片核心面积仅为0.264 mm²。     

3mm波相参脉冲放大链

根据3 mm波段相参脉冲雷达对发射机的要求,拟定了基波注入锁定3 mm波谐波振荡器、3 mm波连续波雪崩振荡器和两级脉冲雪崩振荡器级联注入锁定的放大链路方案,提出并实施了"脉间异频防泄漏技术",抑制了漏信号对系统工作的有害影响,实现了当输入电平为2 mW的6 mm波信号时,3 mm波输出脉冲峰值功率大于5 W,脉宽约30 ns。     

2.3GHz微波晶体振荡器

本文介绍频率为2.3GHz高频率稳定度、低相位噪声微波晶体振荡器的设计思想,电路组成及测试结果。该振荡器采用了一块基频为777.4 MHz的新型石英谐振器,并工作在它的三次泛音频率上。微波晶振系统输出功率大于10mW,它的双边带相位噪声在偏离振荡频率1KHz处优于-100dB/Hz。     

基于DDS的宽带信号源的设计与实现

信号源是通信、电子测控等设备的基础单元,频带宽、精度高、谐波失真小的信号源是设计和制作的难点。本文介绍一种电压控制LC振荡器设计方法,采用直接数字频率合成技术（DDS）,选取高稳定度晶体振荡器做参考源,通过频谱搬迁,使电压控制LC振荡器达到了大于倍频程的输出带宽,频率范围从10MHz～40MHz,输出频率步进间隔为1M±1Hz,波形失真小,稳定度优于10^-6。     

应用于ISM频段的双频整流器系统设计

为了将环境中的射频能量转换成直流电能为低功耗设备供电,设计了一种宽带共面波导天线与新型匹配网络相结合的双频带能量收集器.宽带天线的带宽为0.8~2.8 GHz,可以收集环境中频率为0.915 GHz和2.4 GHz的射频能量,并且相对于微带天线,尺寸缩小了近1/3;新型匹配网络可同时匹配在0.915 GHz和2.4 GHz双频带处,并且匹配带宽分别达到了30 MHz和100 MHz.实验结果表明:该系统与功率为0.1 W的阅读器相距50 cm时,可以收集到201 mV的直流电能;与功率小于0.1 W的路由器相距10 cm时,可以收集到33 mV的直流电能.这表明本文所设计的双频带整流系统可以有效收集环境中ISM频段(0.915 GHz和2.4 GHz)处的能量.     

基于负μ传输线的电偶极子和环天线设计

负μ传输线是一种通过串联电容加载来获得等效负磁导率的人工电磁材料,利用其零传播常数的性质,可以设计具有无限大波长且谐振频率与尺寸无关的谐振器,从而实现天线的小型化和宽带化.本文以基于分段线结构的负μ传输线为例,分别设计了具有宽带特性的电偶极子和环天线.测试结果表明长度为107 mm (1. 03λ_0@2. 9 GHz)的电偶极子可获得的阻抗带宽约为1. 4 GHz(2. 2～3. 6 GHz,48%),并且该天线在工作带宽内具有稳定的E面方向图.直径为52 mm(0. 5λ_0@2. 9 GHz)的环天线可获得的阻抗带宽约为1 GHz (2. 4～3. 4GHz,34%),并且环上具有均匀的电流分布,从而具有磁偶极子的辐射特性.测试和仿真结果吻合较好.     

52 GHz平衡式二倍频器设计

为获得高频信号源,采用0.13 μm 的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52 GHz平衡式二倍频器。二倍频器采用了差分共射-共基结构,且在输入端采用了一个单端转差分的巴伦,并利用二次谐波反射器减小反馈到输入的二次谐波对输出信号的影响,有效地提高了二次谐波输出功率。探针台测试结果表明,巴伦在2026.5 GHz范围内的插入损耗约为1 dB,且当二倍频器输入26 GHz信号,功率为0.5 dBm时,输出的52 GHz信号功率达到2.3 dBm,相应的基频抑制达到34 dBc,直流功耗约为21.8 mW,相应的功率附加效率为2.5%。这种二倍频器在达到高输出功率和高基波抑制的同时保持了较低的功耗。     

3MHZ场效应管温度补偿晶体振荡器的研制

本文介绍了一种3MH_z场效应管温度补偿晶体振荡器。环境温度在-55℃～+55℃间急剧变化时,其频率稳定度≤5×10(~-7)。器件外围体积为50×48×20mm~3,功耗约为25mW输出电压0.3V(有效值)。     

S波段介质反馈型电调晶体管振荡器

介绍一种用变容Ｍ极管调谐的Ｓ波段介质反馈型晶体管振荡器．重点给出了振荡器的具体设计技术、调试过程和测试结果．其振荡频率为３１０１ＭＨｚ，输出功率为５１ｍＷ电调带宽为３８ＭＨｚ．     

一种新型毫米波集成功率合成器的研究

提出了一种结构新颖、利用耿氏管管蕊制作的毫米波E面混合集成功率合成器及其设计方法。功率合成器电路由E面悬置耦合带线和鳍线构成,输出端口为标准矩形波导。在Ka频段,双管芯合成源在550 MHz的机调带宽内,输出功率大于200 mW,最大输出功率为305 mW。     

Novel dual-band bandpass filter with wide upper stopband performance

In traditional design of the dual-band bandpass filter (BPF), two or more resonators need to be utilized, which leads to a relatively large circuit size. For miniaturization, a novel stub-loaded square loop quad-mode resonator is proposed in this paper. Due to the symmetry of the structure, the even-odd-mode method is applied twice to analyze its resonance characteristics. All the four mode equivalent circuits are quarter-wavelength resonators, so the resonator has a compact size and the first harmonic is three times the fundamental one. The resonant frequency of each mode can be tuned freely by changing the corresponding physical dimensions, and the passband frequencies and bandwidths of the designed dual-band filter using the proposed resonator are independently controllable. To improve the selectivity and achieve a wide upper stopband, quarter wavelength hook-shape feedlines are designed to provide appropriate external coupling. Two new transmission zeros are generated by the feedlines. Finally, a microstrip dual-band bandpass filter (BPF) centering at 15 and 24GHz with a 3dB fractional bandwidth (FBW) of 107％ and 96％ is designed and fabricated. The measured and simulated results which are in good agreement are presented.     

不同形状单贴片单层微带贴片天线的扩展带宽技术

采用多种带宽改进技术,应用于不同形状的单层片状天线,主要包括:短路销钉,双宽缝(E形)等.同时,采用基于MOM的软件包分析了天线性能,证明方形天线可以工作在3个频率点,即1.83GHz、2.16GHz和2.74GHz,其最大的增益达到9.4dB;E形天线工作在2.13GHz和2.5GHz,当中心频率为2.4GHz时,带宽达到33.33%(反射损耗≤-10dB),其最大增益为9.25dB.     

一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现

为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器．该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移．芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm; 整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc／Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm²．文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声．