半导体多晶薄膜的瞬态光电导

在低温下观察到半导体多晶薄膜的瞬态光电导现象．给出了三维理论模型．理论研究表明，陷阶引起光电导，光生载流子通过隧道效应实现复合，使光电导逐渐衰减．我们的实验结果与理论计算结果符合得相当好．     

高电阻率CdSSe光电导薄膜

采用真空热蒸发工艺,用掺杂(Cu,Cl)敏化的方法制备高电阻率的CdSSe 光电导薄膜。并测试了不同制备条件和不同热处理工艺下样品的光电导性能。最后讨论了主要的制备工艺参数对 CdSSe 光电导性能的影响。用这种工艺制备的 CdSSe 光电导薄膜,用于液晶光阀空间光调制器件上,得到了很好的效果。     

S枪磁控溅射淀积非晶硅光电导薄膜的制备工艺及特性研究

本文介绍用直流磁控S枪在H_2/Ar混合气体中反应溅射单晶硅靶淀积a-Si:H光电导薄膜的制备工艺。研究了用这种技术制备的a-Si:H薄膜的光学特性(透射率光谱、光学常数和光学带隙等)、晶相结构(用电子衍射图谱)、红外吸收光谱和光电导性能。并讨论了制备工艺条件与薄膜微结构和性能的关系。     

P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导

在低温下观察到P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导现象,并进行了理论和实验研究。认为该现象是由陷阱引起的光电导衰减使陷阱位垒妨碍光生电子和空穴的复合,通过隧道效应实现了光生电子和空穴的复合。理论与实验结果一致。     

硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性

用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及Ｂ掺杂金刚石薄膜，测量了退火前后的电流一电压和光电导特性．实验结果表明，Ｈ原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响．对于掺杂样品，随着Ｂ含量的增高，Ｂ的作用更加明显，而Ｈ的作用降低．合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态，其中包含陷阶型缺陷态，它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短．经６００℃退火后，样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化，并改变了金刚石膜的电学及光电导特性．     

光电薄膜技术的新动向

在当今光电技术日新月异发展的形势下,薄膜技术已渗透到光电子学的多种领域中。随着光纤通讯、光计算机、光信息存储与传输的迅猛发展与应用,各种新型光电薄膜器件与薄膜技术正在相辅相成地不断开拓中。光电薄膜器件的产品也以7.7％的年增长率发展着。市场对于光电薄膜器件产品的要求不仅是其光电物理特性,而且包括应用于整机系统中的可靠性、再现性和一致性。每一种光电薄膜器件的产品化都伴随着它的成套技术设备的定型。没有     

非晶硒化镉快速光电探测器瞬态光电导的测试研究

报道了淀积条件对非晶态硒化镉（α－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用α－ＣｄＳｅ薄膜为光敏介质的快速光电探测器的瞬态光电导进行了比较深入的测试研究。     

非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合.这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定,而是由深的陷阱决定的.两个指数函数的衰退分别对应于距导带0.52eV和0.59eV的两个陷阱,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心.光照后,带隙中的复合中心增加,导致电子寿命的减少,从而引起光电导的衰退.     

非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化

研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况.用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合.这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定,而是由深的陷阱决定的.两个指数函数的衰退分别对应于距导带0.52eV和0.59eV的两个陷阱,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心.光照后,带隙中的复合中心增加,导致电子寿命的减少,从而引起光电导的衰退.     

氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯．质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有Ｃ５９Ｎ、Ｃ５９Ｎ２、Ｃ５９Ｎ４、Ｃ５９Ｎ６以及Ｃ７０Ｎ２等分子团簇，对蒸发制备的薄膜进行３小时２００℃退火测得其室温电导率为１e－６（Ｓ／ｃｍ），激活能为０．６９ｅＶ（常温），０．５６ｅＶ（高温）．     

硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和Ｘ射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以Ｃ５９Ｂ和Ｃ６９Ｂ形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在４９３Ｋ进行了真空退火,并测量了电导率随温度的变化关系．发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小,室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级,同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性     

In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究

采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Q·cm.制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大.     

分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器

中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(lll)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(lll)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875 μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66 μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致.以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78 K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×10~9 cm·Hz~(1/2)·W~(-1).最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论.     

光伏新材料a-CNx薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a-CNx薄膜的光响应增益达18,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0,经过氢化处理的未掺杂a-CNx薄膜的光响应增益为30,光响应时间大约为300s.     

光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2 为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a- CNx 薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a- CNx 薄膜的光响应增益达1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0 ,经过氢化处理的未掺杂a- CNx 薄膜的光响应增益为30 ,光响应时间大约为30 0 s.     

多孔硅光电导特性研究

多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应，本文采用阳极氧化工艺制作了Al/PS/Si/Al的结构样品，给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值。结果表明：多孔硅禁带宽度在1.9eV左右，大于Si的禁带宽度1.12eV，这与多孔硅的发光现象和能带展宽理论相一致。     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。