100—400MHz超宽带低噪声放大器ADS仿真设计

设计了一个100—400MHz超宽带低噪声放大器。该放大器采用两级E-PHEMT晶体管（ATF54143）级联结构,每级都用独立电源供电。应用射频电路仿真软件ADS对匹配电路进行优化设计,最后通过原理图一版图联合仿真得到放大器的各项性能参数。在100—400MHz频带内,噪声系数（NF）小于0．3dB,带内增益大于32dB,带内增益平坦度±0．5dB以内,输入输出驻波比小于1．8。仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求。     

基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计

设计了一个S频段宽带低噪声放大器.该放大器采用两级E-PHEMT晶体管(ATF541M4)级联结构,单电源供电模式.应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计,最后通过S参数及谐波平衡仿真得到放大器的各项性能参数,在2.7～3.1 GHz频率范围内噪声系数小于0.6 dB,带内增益大于30 dB,带内平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比小于1.6 dB,1 dB增益压缩点输入功率不小于-15 dBm.仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求.     

一种指数增益控制宽范围可变增益放大器

采用中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS工艺设计了一种具有指数增益特性的的宽增益调节范围的可变增益放大器,该放大器由Gilbert单元、指数电压转换电路、直流消除电路及超级源级跟随器组成。经过Cadence仿真验证,该放大器可以实现-11.14dB~30.39dB的增益连续变化,其-3dB带宽为250MHz,控制电压与增益成dB线性关系。     

3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计

根据UWB(Ultra-wideband)无线通信标准.提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计.该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的.仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益.S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4～3.3 dB之间.输入输出反射系数(S11和S22)均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定.所有结果表明该LNA性能良好.     

应用于DVB-T调谐器的CMOS可变增益中频放大器设计

采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计了一种适用于DVB-T调谐器的可变增益中频放大器。该放大器以信号相加式单元为主体电路,采用三级级联结构,实现了对数增益随控制电压连续、近似线性地变化和51dB的增益动态范围。仿真结果表明,在1.8V电源电压下,电路工作电流为30mA,3dB带宽为2-156MHz。增益调节范围为7.4-58.4dB,噪声系数小于8.6dB,输出三阶互调点大于0.6dBm。     

改进型双频段低噪声放大器设计

设计了一种电流复用结构的双频段低噪声放大器,其中心频率为900 MHz和1 900 MHz。为减少芯片面积和提高电路性能,给出了一种改进的输入端和级间匹配网络,利用小电感LC网络代替大电感的栅极电感Lg和级间电感Ld1。仿真结果表明:该低噪放在两个需要的频带内功率增益(S21)大于16.0 dB;输入反射系数(S11)小于-18.6 dB;输出反射系数(S22)小于-12 dB;反向隔离(S12)小于-40 dB;噪声系数(NF)小于2.8 dB;线性度(IP3)大于-9.5 dBm。设计采用SMIC 0.18μmCMOS工艺,功耗为8.64 mW,电源电压1.8 V。     

S波段低噪声放大器仿真设计

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,分析了影响放大器稳定性、噪声系数、功率传输的主要因素,运用Agilent公司的EDA软件ADS仿真设计了两级级联结构的放大器。仿真结果表明放大器在2150～2 400MHz的频率范围内,噪声系数<0.5dB,输入驻波比<1.4,输出驻波比<1.14,增益为(26.2±0.5)dB,并且在全频带内无条件稳定。     

S波段低噪声放大器设计

首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.     

基于GSM的宽带LNA电路设计

通过选用噪声系数小、性能优良、价格便宜的AT41486晶体管,使用安捷伦公司的ADS软件,设计了一个适于基站GSM的多制式宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器工作频率范围为1700MHz～2000MHz,噪声系数不大于1.8dB,增益不小于13dB,频带内增益平坦度不大于0.5dB,输入电压驻波比小于2.0,输出电压驻波比小于3.3。电路具有噪声系数小,增益大,频带内增益平坦度小,性能优良等特点。     

2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试

本文采用CMOS工艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试.测试结果表明,该放大器工作在2.04-GHz的中心频率上,3dB带宽约为110MHz,功率增益为22dB,NF小于3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.     

具有温度补偿及dB线性增益控制的单级宽范围CMOS可变增益放大器

提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,实现在整个温度及增益调节范围内绝对增益误差小于±1.5dB.基于0.25μm CMOS工艺验证表明,放大器可提供64.5dB的增益变化范围,其中dB线性范围为55.6dB.输入1dB压缩点为-17.5到11.5dBm,3dB带宽为65MHz到860MHz,2.5V电源供电下功耗为16.5mW.     

具有温度补偿及dB线性增益控制的单级宽范围CMOS可变增益放大器

提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,实现在整个温度及增益调节范围内绝对增益误差小于±1.5dB.基于0.25μm CMOS工艺验证表明,放大器可提供64.5dB的增益变化范围,其中dB线性范围为55.6dB.输入1dB压缩点为-17.5到11.5dBm,3dB带宽为65MHz到860MHz,2.5V电源供电下功耗为16.5mW.     

0.18μm CMOS可编程增益放大器

介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺,应用于5 GHz无线局域网(WLAN)的可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用分级可选放大器的系统结构,核心电路由交叉耦合的共源共栅放大器和电流反馈放大器组成。为消除工艺角偏差对增益精度的影响,设计中加入了增益微调的机制。后仿真结果表明:PGA电压增益可在0 dB到41 dB之间以1 dB步长变化,双端输出的电压摆幅为1 Vp-p,并具有大于10 MHz的-3 dB带宽和小于21.1 mW的静态功耗。     

X波段低噪声放大器设计

针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz～9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。     

S波段低噪声放大器的ADS仿真与设计

介绍低噪声放大器设计的理论基础,并重点介绍了低噪声放大器的主要性能指标:噪声系数、功率增益、驻波比、稳定性等。以ATF38143晶体管为例介绍了ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法和主要步骤。采用三级级联结构设计出满足指标的S波段低噪声放大器链路。该放大器链路的指标为噪声系数小于1.2,功率增益大于50dB,增益平坦度小于0.5dB,VSWR小于1.8的低噪声放大器,带宽为6MHz,并具有一定的带外抑制能力。     

1GHz 2μm双极低噪声放大器设计

给出了采用2μm双极工艺实现对1GHz低噪声放大器进行设计的具体方案。并用Ansoft公司的Designer软件进行了设计仿真，利用该方案设计的放大电路十分简单，可满足一定增益（8 dB）且其起伏度小于0.5dB．同时，该放大器的噪声也很低．在1GHz时．其带宽在100MHz内的噪声小于0.75dB。     

2～18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC

基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构，通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容，提高了放大器的高频输出阻抗，进而拓宽了带宽，提高了高频增益，并降低了噪声。在片测试结果表明，在5 V单电源电压下，在2～18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中，有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。     

程控增益低噪声宽带直流放大器的设计

介绍了程控增益低噪声宽带直流放大器的设计原理及流程。采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了程控增益低噪声宽带直流放大器,实现了输入电压有效值小于10mV,输出信号有效值最大可达10V,通频带为0～8MHz,增益可在0～50dB之间5dB的步进进行控制,最高增益达到53dB,且宽带内增益起伏远小于1dB的两级宽带直流低噪声放大器的设计。     

DVB-C系统中射频宽带低噪声放大器电路的设计研究

本文根据DVB系统对LNA的特殊要求,阐述了负反馈展宽放大器频带的原理,讨论了通过设计并联负反馈的手段来实现LNA宽频带稳定性,并在此基础上,设计出一种宽带LNA的拓补结构,并采用将负反馈解析计算与仿真优化相结合的LNA设计方法,给出了LNA最终设计的仿真及实测结果.实验结果和设计结果吻合较好.该LNA带宽为50 MHz～900 MHz,功率增益10.4 dB,带内增益波动0.6 dB,带内噪声系数2.7 dB～3.5 dB.     

两级GaAs单片功率放大器

本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.