弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。     

SIDND通路链路接入规程的一种实现方法

根据ＣＣＩＴＴ有关ＩＳＤＮ用户－网络接口数据链路层的建议Ｑ．９２１（蓝皮书），对ＩＳＤＮＤ通路的链路接入规程（ＬＡＰＤ）进行了研究，并给出了一种相对简单的网络侧ＬＡＰＤ的实现方法。     

ATL推出3个光纤通道解决方案

ＡＴＬＰｒｏｄｕｓｔｓ近日宣布了３个光纤通道解决方案。这些支持基干ＳＡＮ网络存储系统的产品目前已开始定购。首批嵌入光纤通道接日选项的解决方案在工厂已被装入ＡＴＬ，新一批被定购的有Ｐｒｉｓｍ带库结构的ＰＩ０００和Ｐ３０００中。对于已被安装使用的Ｐ１０００和Ｐ３０００系列，ＡＴＬ的基于Ｐｒｉｓｍ结构的第二种解决方案提供了一种升至光纤通道的工具，它只需将ＳＣＳＩ接口换成可以连接ＳＡＮ的接口即可实现光纤通道解决方案。而对于目前使用或正在计划使用没有Ｐｒｉｓｍ结构的ＡＴＬ自动加载机或磁带库（Ｌ２００、Ｌ５…     

用1．017μmInGaAs－LD泵浦的增益为28．3dB的1．3μm波段掺镤氟化物光纤放大模块

我们已研制出了用应变量子阱ＩｎＧａＡｓ－ＬＤ泵浦的掺镤（Ｐｒ）－氟化物光纤放大器模块（ＰＤＦＡ）。该放大器模块由４个泵浦ＬＤ和大ＮＡ低散射损耗的掺镤氟化物光纤组成。在１．３０μｍ信号波长下，该模块最大信号增益为２８．３ｄＢ，饱和输出功率为的６ｄＢｍ。这是用于１．３μｍ波段光纤放大器最有希望的模块。     

APON:宽带接入的方案之一

８月中旬,Ａｇｅｒｅ　Ｓｙｓｔｅｍ　、华 为、武汉邮科院、北邮电信在京联合举办了无源光网络（ＰＯＮ）研讨会。ＰＯＮ分为ＡＰＯＮ（ＡＴＭ－ＰＯＮ）、ＧＰＯＮ（Ｇｌｏｂａｌ　ＰＯＮ）和ＥＰＯＮ（Ｅｔｈｅｒｎｅｔ　ＰＯＮ）等,由于国内主要以ＡＰＯＮ研发与应用为主,因此会上也着重介绍了ＡＰＯＮ在宽带接入网中的应用。目前,电信运营公司在最后一公里宽带接入的解决方案中,有基于铜线ｘＤＳＬ（ＨＤＳＬ、ＡＤＳＬ、ＶＤＳＬ）、Ｃａｂｌｅ　Ｍｏｄｅｍ　和ＬＡＮ接入、基于光纤的ＡＰＯＮ、以及高速固定无线接入ＬＭＤＳ等…     

适配于ISDN的综合业务局域网设计

现有ＬＡＮ的传输能力在很大程度上可满足传输综合业务的要求，现有ＬＡＮ适配于ＩＳＤＮ的直接方法是在ＬＡＮ上实现ＩＳＤＮ功能，从而达到ＬＡＮ工作站与ＩＳＤＮ间业务的完全互通，在ＬＡＮ上实现ＩＳＤＮ功能的方案是：（１）在ＬＡＮ上增加综合业务传输接口，该接口不同于ＬＡＮ软件提供的接口，具有实时性，而且该接口的设计应使ＬＡＮ应用与综合业务应用间互相独立；（２）开发在工作站上与ＬＡＮ应用软件并发运行的综合业务     

数字流水Viterbi译码器的VLSI设计

本文介绍了高速数字流水Ｖｉｔｅｒｂｉ译码器的ＶＬＳＩ设计。在符号４值系统的基础上，给出Ｖｉｔｅｒｂｉ算法的新的功能分解公式，并介绍了用于译码器实现的两个重要的快速运算部件ＡＤＤ和ＭＡＸ的原理及其现场可编程（序）门阵列（ＦＰＧＡ）实现。文中详细讨论了译码器的ＶＬＳＩ结构、设计和性能分析。本文给出的Ｖｉｔｅｒｂｉ译码器可塑性强，并具有高度的并行性和很高的数据吞吐率。     

业界风云

Ｐｈｉｌｉｐｓ推出Ｒ．Ｅ．Ａ．ＬＤＳＰ查询号：１６２Ｐｈｉｌｉｐｓ半导体近日宣布推出其Ｒ．Ｅ．Ａ．Ｌ．ＤＳＰ（可重置嵌入式ＤＳＰ结构低成本／低功耗）技术，可使设计者将先进数字信号处理（ＤＳＰ）功能集成到大批量消费产品中。Ｐｈｉｌｉｐｓ半导体的Ｒ．Ｅ．...     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

MDLS点阵字符型液晶显示模块与DSP芯片ADSP2106X的接口实现

文章介绍了香港精电公司生产的ＭＤＬＳ 系列点阵字符型液晶显示模块的接口特性及时序。并以美国模拟器件公司的ＤＳＰ 芯片ＡＤＳＰ２１０６Ｘ 为例,给出了高速ＣＰＵ 与液晶显示模块的硬件接口及编程实例     

宽带ISDN与ATM交换技术──第二讲B－ISDN用户─网络接口和协议（上）

本文介绍了Ａ－ＩＳＤＮ的协议参考模型，并讨论了其中物理层、ＡＴＭ层、ＡＴＭ适配层以及高层的基本功能。给出了Ｂ－ＩＳＤＮ用户─网络接口（ＵＮＩ）的基本规范，包括ＵＮＩ参考配置、Ｂ－ＩＳＤＮ物理层接口以及ＡＴＭ层的参数规定。最后详细描述了ＡＴＭ适配层的协议，包括ＡＡＬ１、ＡＡＬ３／４和ＡＡＬ５。     

ATM自适应层第5类性能的研究

本文在介绍ＡＴＭ自适应层（ＡＡＬ）原有４类协议及其问题的基础上，阐述ＡＡＬ第５类协议的ＳＡＲ－ＰＤＵ格式及其与第３／４类ＡＡＬ的协议的性能比较，然后给出净荷使用率计算仿真特性曲线。     

基于SLIP服务器的CDPD MES应用程序接口的实现

ＣＤＰＤ（蜂窝数字分组数据）的一个主要目标是提供与现有网络和应用的兼容性。提出了一种基于ＳＬＩＰ（串行线ＩＰ）服务器的应用程序接口（ＡＰＩ）实现方法,这种方法使得ＣＤＰＤ的移动应用子系统可以与基于ＴＣＰ／ＩＰ（传输控制协议／网间协议）的现有网络和应用程序兼容。     

Si(5,5,12)——一个大元胞的稳定表面

利用常规的ＬＥＥＤ和高分辨率的ＳＰＡ－ＬＥＥＤ技术研究了标称（３３７）的Ｓｉ表面原子结构．经过反复的离子轰击（７００ｅＶＡｒ＋）和１３００Ｋ退火之后的这种表面形成稳定的（５，５，１２）晶面，即结构周期为（３３７）＋（２２５）＋（３３７）的有序的原子排列．这一事实说明：Ｓｉ（５，５，１２）是比Ｓｉ（３３７）更为稳定的晶面．ＬＥＥＤ和ＳＰＡ－ＬＥＥＤ图像证实，稳定的Ｓｉ（５，５，１２）表面为（２×１）原子再构，即沿［１１０］方向的周期是体内结构周期的两倍，而沿［６６５］方向的周期与体内结构周期相同．     

通用ADSL技术

本文首先介绍了ＵＡＤＳＬ（通用ＡＤＳＬ）的产生背景，接着给出了ＵＡＤＳＬ的结构、技术问题及其解决方法，最后介绍了Ａｌｃａｔｅｌ的多业务接入平台Ｌｉｔｅｓｐａｎ－１５４０。     

无源LCD在平板显示器中仍占主导地位 本文还描述了无源LCD很多改进的新技术

由于有源矩阵ＬＣＤ（ＡＭＬＣＤ）在便携式计算机市场上取得很大成功，因此，制造厂商在把平板显示器（ＦＰＤ）设计进新产品时，常常把ＡＭＬＣＤ作为首选产品。但是，彩色ＡＭＬＣＤ价格昂贵，而且在用于不需要高档图形或彩色能力的场合又有些大材小用。因此，一些更加成熟的技术，如无源扭曲向列（ＴＮ）、超扭曲向列（ＳＴＮ）和二向色ＬＣＤ仍然是ＦＰＤ的主力产品。通过对聚合膜、混合液晶组成和计算机模型的改进，这些ＬＣＤ可以满足大多数亚视频速率设备，以及航空、销售点（ＰＯＳ）、通信和字符数字显示器的比较严格的需求。这些…     

理想的光纤接入方案——APON技术

介绍了一种基于ＡＴＭ无源光网络（ＡＰＯＮ）技术的光纤接入方案,给出了ＡＰＯＮ系统的结构、工作方式。对照ｘＤＳＬ技术讨论了 ＡＰＯＮ的优良特性。文中还综合各种因素,分析了ＡＰＯＮ系统的可实现性及发展前景。     

FPGA

ＦＰＧＡ张更新（通信工程学院南京２１００１６）ＦＰＧＡ是英文ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＧａｔｅＡｒａｙ的缩写，即现场可编程门阵列，它是在ＰＡＬ、ＧＡＬ、ＥＰＬＤ等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ＡＳＩＣ）领域中的一种...     

端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响

报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长γｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％￣９０％），Ｉｔｈ可降低３．８￣５．１ｍＡ，γｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％￣１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。     

InGaAsP及其量子阱结构的LP－MOCVD

报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体材料及相应量子阱结构的特性，表明在５８０℃生长条件下，晶体具有更好的质量和特性。