超声波在制备MCT晶体中的应用

引言: 目前国内外采用的吹N_2快速凝固再结晶法制备MCT晶体的工艺,能生长出组分均匀的晶体。但是由于MCT材料的特殊性,在再结晶前不可能像一般金属那样进行加工形变。所以再结晶时没有足够的晶界迁移的策动力,因此一般情况下很难长出线度很大     

液相外延用碲镉汞母液晶锭的组分均匀性

开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究.通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性.用改进工艺后合成的碲镉汞母液晶锭生长了28个外延薄膜样品,其组分平均偏差为0.95%,满足第二代红外焦平面探测器研制对探测器材料组分均匀性的要求.     

生长MCT晶体的改进型Bridgman方法：ACRT—B

本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。     

侧冷淬火固态再结晶法制备的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶的质量

为制备组分均匀的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶体材料,发展了圆柱形熔体侧面冷却淬火技术,以实现HgCdTe熔体的快速定向凝固。淬火所得的多晶锭经通常的固态再结晶后,单晶成品率很高。我们最关心的是晶体的组分均匀性,特别是横向组分均匀性。将晶锭横切成厚为0.8～1.0mm的圆片,研磨去刀痕和切割损伤,用失重法测定密度,除锭尾10mm左右     

用移动加热生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的一种新方法

本文报导用移动加热法(THM)生长晶体,它使用的源材料制备工艺不同于以往使用的所有制备工艺。将非化学配比的(Hg,Cd)Te熔体均匀化合、淬火以避免发生宏观分凝效应。在第一次THM操作中,除去多余Te的夹杂物,获得化学配比的固态合金,其克分子数向较高CdTe含量变化。该变化量与富Te量以及第一次THM操作的平衡温度有关。在制备x=0.22和x=0.30的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶时,应计算和考虑此偏移量。源材料晶锭及THM单晶特别强调组分均匀性,为此将径向以轴向组分均匀性与讫今为止报导的THM晶体中最佳结果进行了比较。所述方法可用于生长THM可能制备的所有材料,但是,定量计算需要精确了解具体三元相图。     

Hg_(1-x)Cd_xTe的生长:对两种熔体生长型式的某些预测性能的比较

本文论述了无对流混合和完全混合两种标准冷凝生长型式的理论预测。为了反映这些生长条件对Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)系统的影响,设计了两种温度分布,并采用一定范围的生长速率和原始组份,生长得了晶体。把这些晶体中得到的轴向和径向组分的均匀性与两种生长型式的预测作了比较。本文还讨论等温线形状、径向分凝、密度引起的对流和温度分布产生的对流对径向组分均匀性的相对影响。发现径向组分的变化随生长速度的降低而减小,并且发现在说明轴向组分分布时,必须要考虑到这些改变。认为:密度引起的对流是决定径向组分变化的最重要因素。同时可以看到,在等温线的作用和径向分凝可以忽略的条件下,由温度分布引起的对流对径向组分的变化的影响。     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的特点

本文扼要叙述碲溶剂法生长高质量、组分均匀的碲镉汞晶体的工艺;着重说明本法具有:降低长晶温度,减少爆炸;拉平长晶时的固-液界面,改善晶体径向均匀性和区域提纯而提高晶体本身纯度的作用。本法所生长的晶体结构较完整,晶体中段组分较均匀,晶体中段经一次退火后,在77 K下,电子浓度可达3×10~(14)厘米~(-3),其迁移率可达2×10~5厘米~2·伏~(-1)·秒~(-1)。用这种晶体可制成有较好性能的光导和光伏型红外探测器。     

分类目录

碑越Hg伽T.材料与探河翔研究用淬火固态再结晶法半熔再结晶法和布里奇曼法组合生长Hg沁O几Te单晶沈杰、陈建中、马可军、余中和侧冷淬火一固态再结晶法制备的Hg协伽.Te单晶的质量沈杰、陈建中、乌可军、余中和丑gCd如快速定向凝固过程的传热数学模型及其数值分析沈杰、马可军、陈建中、余中和Te溶剂法生长H歇扁Cd.Te晶体及纵向组分均匀性研究;李捍东、刘激呜、乐洪发Hg协Cd.T可CdTe夕卜延层特性的研究何景福、魏天衙、李丽、陶长远、驻维莎液相外延生长H酮dTe外延层张小平、沈杰富蹄的啼镐汞相应的理论计算以及与实验结果的比较杨彦…     

HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进

HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成-淬火-退火三个过程,本文对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器     

MCT单晶中的应变研究

用X光衍射方法,测量了固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ,近似计算出单晶生长方向的应变。MCT单晶的组份为x=0.214,生长方向分别为(111)(110)和(100)。初步实验的结果表明,固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10~(-4);其应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系,而主要与生长工艺有关。     

HgCdTe固态再结晶技术工艺改进

ＨｇＣｄＴｅ固态再结晶技术主要包括合成－淬火－退火三个过程,文中对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的结果。用这种方法制备的ＨｇＣｄＴｅ材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器。     

碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究

报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术,实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长,外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、二次离子质谱仪(SIMS)及X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以及晶体质量进行了表征,表面缺陷数量低于600 cm~(-2),组分(300 K测试)和厚度均匀性分别为(35)x≤0.001、(35)d≤0.9μm,X-Ray双晶衍射摇摆曲线FWHM=65 arcsec,得到了质量较高的中长波双色碲镉汞薄膜材料。     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe(组分x≈0.20）晶体．采用加压技术,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压,有效地避免了石英安瓶的爆裂;采用“二次配料”工艺,大大降低了生长温度;合理选择温度梯度和生长速度,获得了有较好结晶性和组分均匀性的HgCdTe晶体．分析表明：HgCdTe晶片的载流子浓度n77≤4×1014cm－3,迁移率μ77≥1×105cm2／（V*s）,少数载流子寿命值τ≥2.0μs,80K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率D为1.1×1010cm*Hz1／2／W．     

用碲作熔剂生长碲镉汞晶体

本文报告了碲镉汞晶体的生长方法,并对我们做的六种生长工艺作了比较。着重介绍用Te作熔剂生长高质量组分均匀Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的实验工艺,以及对所得结果进行分析讨论。所得晶锭中段组分比较均匀,且与预定值相近。单晶经切片退火后,在77K时电子浓度可达到3×10~(4)(厘米~(-3)),迁移率可达10~5厘米~2伏~(-1)秒~(-1),用这样的晶体制成的光导、光伏器件D_(bb~*均可达到6×10~9厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。光伏器件不需要加偏压。响应率较大,可达10~3伏·瓦~(-1)。     

碲镉汞晶体中的第二相

前言碲镉汞(MCT)可以看成是由Ⅱ—Ⅵ族化合物Cd Te和Hg Te按不同化学计量比组成的。其相图的固相线和液相线分离得很宽,也就是说从液态缓慢地结晶成固态时,Cd Te相对于Hg Te要产生严重的分凝,以致晶体不具有均匀的组分。为克服这一严重缺陷,使熔体通过强制冷却快速凝固,是一种广泛用来制备MCT晶体的工艺。用这种方     

大直径MCT晶体的双晶衍射回摆曲线测量

采用加压改进Bridgman法生长出大直径(φ＝40 mm)MCT晶体.对所生长的晶体进行了双晶衍射回摆曲线测量,所测量样品的双晶衍射回摆曲线的半峰宽最小值为14.4″～16.2″.测试结果表明:大直径MCT晶体质量优良,具有较好的结构完整性.     

用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。     

调Q铌酸锂晶体光学质量有关问题的探讨

用中频感应法研制铌酸锂晶体。对生长工艺及极化工艺进行了摸索,解决了感应法生长晶体的不利因素,取得了比较合理的温场结构及合适的工艺参数。晶体的光学性能显著改善,光学均匀性好,单畴化完全,折射率梯度小,消光比明显提高。当在z轴通光,通光长度为25mm时,折射率梯度△n_o<2×10~(-6)/cm;△n_6<2×10~(-6)/cm,用大光斑(φ8mm)测量消光比最     

用熔铸-再结晶法生长HgZnTe

用改进的熔铸-再结晶(CR)技术,生长得到了 ZnTe 克分子分数为 x(0.05相似文献