金属粉末冷等静压下致密化过程的分析

分析了铁粉、铜粉在冷等静压下材料的致密化过程。常用的Ｆｌｅｃｋ和Ｓｈｉｍａ模型得到了应用和讨论。与实验数据对比可知：不考虑基体材料塑性硬化的Ｆｌｅｃｋ模型可较好地模拟金属粉末在冷等静压下的致密化过程。     

ABSTRACTS FROM TRANS NFSOC(CHINESE EDITION)VOL.3NO.4,OCT.1993

ＡＢＳＴＲＡＣＴＳＦＲＯＭＴＲＡＮＳＮＦｓｏｃ（Ｃｈｉｎｅｓｅｅｄｉｔｉｏｎ）Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．４，Ｏｃｔ．１９９３Ａ００３—ＣａｌｃｕｌａｔｉｏｎｆｏｒＲａｎｄｏｍ－ＦｕｚｚｙＲｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｏｆＲｏｃｋＳｌｏｐｅｗｉｔｈＰｏｓｓｅｓｓｉｎｇ...     

CREEP DEFORMATION OF INTERMETALLIC ALLOYS

ＣＲＥＥＰＤＥＦＯＲＭＡＴＩＯＮＯＦＩＮＴＥＲＭＥＴＡＬＬＩＣＡＬＬＯＹＳＧｅｒｈａｒｄＳａｕｔｈｏｆｆ（Ｍａｘ－Ｐｌａｎｃｋ－ＩｎｓｔｉｔｕｔｆｕｒＥｉｓｅｎｆｏｒｓｃｈｕｎｇＧｍｂＨ．，Ｄ－４００７４Ｄｕｓｓｅｌｄｏｒｆ，Ｇｅｒｍａｎｙ）Ａｂｓｔ...     

Physical Essence of Long Fatigue Crack Growth Behavior for Aluminum－lithium Alloy

ＰｈｙｓｉｃａｌＥｓｓｅｎｃｅｏｆＬｏｎｇＦａｔｉｇｕｅＣｒａｃｋＧｒｏｗｔｈＢｅｈａｖｉｏｒｆｏｒＡｌｕｍｉｎｕｍ－ｌｉｔｈｉｕｍＡｌｌｏｙＣｈｅｎＺｈｅｎｇａｎｄＮｉＹｏｎｇｆｅｎｇ（陈铮）（倪永峰）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳ...     

MICROSTRUCTURE AND MECHANICAL PROPERTIES OF RAPIDLY SOLIDIFIED Al－Fe BASED ALLOYS

ＭＩＣＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＡＮＤＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳＯＦＲＡＰＩＤＬＹＳＯＬＩＤＩＦＩＥＤＡｌ－ＦｅＢＡＳＥＤＡＬＬＯＹＳＷ．Ｊ．Ｐａｒｋ；Ｓ．Ａｈｎ；Ｒ．Ｓｃｈｍｅｅｓ；ａｎｄＮａｃｋＪ．Ｋｉｍ（１）（ＣｅｎｔｅｒｆｏｒＡｄｖ...     

赫尔曼·斯达克集团公司近况

德国赫尔曼·斯达克（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ）集团公司是一家以钨、钼、铼、钽、铌难熔金属粉末和钴、镍有色金属粉末以及先进陶瓷材料为主要产品的国际性生产公司．员工２５００人,１９９９年公司的销售额为４．４１亿欧元．Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ集团公司自１９８６年起就已成为国际拜尔（Ｂａｙｅｒ）集团公司的成员之一,１９９６年２月取得ＤＩＮ ＥＮ ＢＯ９００１认证资格． Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ集团公司下属６个分公司 （１）位于德国戈斯拉尔的Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ公司,约１３００人,是 Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｈ公司的总部所在地…     

用Fe—Ti合金扩散连接SiC陶瓷

利用Ｆｅ－Ｔｉ合金在１４７３－１７２３Ｋ，０．９－５．４ｋｓ的接合条件下对常压烧结ＳｉＣ陶瓷进行了真空扩散连接，接头中形成ＴｉＣ，ＦｅＳｉ，Ｔｉ５Ｓｉ３反应相，试验结果表明，用Ｆｅ－５０Ｔｉ（ａｔ％）合金，在１６２３Ｋ，２．７ｋｓ的接合条件下，接头的高温（９７３Ｋ）剪切强度达到１３３ＭＰａ。     

SYNTHESIS OF INTERMETALLICS BY MECHANICAL ALLOYING

ＳＹＮＴＨＥＳＩＳＯＦＩＮＴＥＲＭＥＴＡＬＬＩＣＳＢＹＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬＡＬＬＯＹＩＮＧＦ．Ｈ．（Ｓａｍ）Ｆｒｏｅｓ；Ｃ．Ｓｕｒｙａｎａｒａｙａｎａ；ａｎｄＤ．Ｍｕｋｈｏｐａｄｈｙａｙ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＡｄｖａｎｃｅ...     

Crack Characteristic Measurement in Beryllium after Thermal Shock

ＣｒａｃｋＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｉｎＢｅｒｙｌｉｕｍａｆｔｅｒＴｈｅｒｍａｌＳｈｏｃｋＱｉａｎＲＨ，ＤｕｗｅＲ，ＬｉｎｋｅＪ，ＲｏｄｉｇＭａｎｄＳｃｈｕｓｔｅｒＡ（钱蓉晖）ＦｏｒｓｃｈｕｎｇｓｚｅｎｔｒｕｍＪｕｅｌｉｃｈ...     

非晶态Fe79B16Si5合金退火脆化机制研究

通过测定非晶态Ｆｅ７９Ｂ１６Ｓｉ５合金在退火脆化，结构弛豫和晶化时激活能，分析了合金的延－脆转化机制。非晶态Ｆｅ７９Ｂ１６Ｓｉ５合金对应于延－脆转化临界点的激活能为１２５ｋＪ／ｍｏｌ，与反映结构弛豫过程中原子间交互作用变化激活能相近，而远低于预晶化相α－Ｆｅ析出激活能，说明结构弛豫过程中非晶结构的短程有序化导致脆化的主要原因之一，合金的脆化与晶化无关。     

Sm2（Fe1—xCrx）17N～2.7永磁材料的结构与磁性能

研究了Ｃｒ部分取代Ｆｅ对Ｓｍ２（Ｆｅ１－ｘＣｒｘ）１７Ｎ～２．７磁粉磁特性的影响。添加少量Ｃｒ（ｘ＝０－０．１），该化合物的结构不变化。随Ｃｅ含量的增加，它的Ｃｕｒｉｅ温度、各向异性场饱和磁化强度、平均Ｆｅ原子磁矩和平均超精细场均有所降低。材料的单相性显著改善，矫顽力提高。Ｓｍ２（Ｆｅ０．９５Ｃｒ０．０５）１７Ｎ～２．７磁粉的矫顽力ｉＨｃ达到１５９２ｋＡ／ｍ。     

Cathodic Process of Ti(Ⅳ) in Molten LiF-NaF

ＣａｔｈｏｄｉｃＰｒｏｃｅｓｓｏｆＴｉ（Ⅳ）ｉｎＭｏｌｔｅｎＬｉＦ－ＮａＦＳｈｉＱｉｎｇｒｏｎｇａｎｄＤｕａｎＳｈｕｚｈｅｎ石青荣，段淑贞（ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢｅｉｊｉｎｇ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８３，Ｃ...     

Fe－Dy非晶膜晶化过程中结构及磁性变化

用真空双源蒸镀法在ＮａＣｌ和Ｓｉ单晶衬底上制备Ｆｅ，Ｄｙ成分调制多层膜．研究了非晶膜晶化过程，等温退火后多层膜结构及磁性变化。结果表明，在２００℃以下退火，其沉积态非晶和成分调制结构几乎不变；３００℃开始晶化，首先出现Ｆｅ晶核，随温度升高，Ｆｅ，Ｄｙ逐步晶化，６００℃全部形成晶态ｂｃｃ－Ｆｅ和ｈｃｐ－Ｄｙ．饱和磁化强度Ｍｓ对非晶Ｆｅ，Ｄｙ膜晶化时Ｆｅ晶核的形成十分散感，而只有Ｆｅ晶粒的长大才导致矫顽力Ｈｃ增加．     

Fe－Dy非晶膜晶化过程中结构及磁性变化SCIEI

用真空双源蒸镀法在ＮａＣｌ和Ｓｉ单晶衬底上制备Ｆｅ，Ｄｙ成分调制多层膜．研究了非晶膜晶化过程，等温退火后多层膜结构及磁性变化。结果表明，在２００℃以下退火，其沉积态非晶和成分调制结构几乎不变；３００℃开始晶化，首先出现Ｆｅ晶核，随温度升高，Ｆｅ，Ｄｙ逐步晶化，６００℃全部形成晶态ｂｃｃ－Ｆｅ和ｈｃｐ－Ｄｙ．饱和磁化强度Ｍｓ对非晶Ｆｅ，Ｄｙ膜晶化时Ｆｅ晶核的形成十分散感，而只有Ｆｅ晶粒的长大才导致矫顽力Ｈｃ增加．     

FeCuNbSiB系纳米微晶的形成及磁性──Ⅰ．纳米微晶的高密度形核

对Ｆｅ７８Ｓｉ１３Ｂ９、Ｆｅ７７Ｃｕ１Ｓｉ１３Ｂ９和Ｆｅ７４Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｕ１３Ｂ９三种非晶合金的晶化过程进行了ＤＴＡ热分析和在位动态电镜观察．在Ｆｅ７７Ｃｕ１３Ｂ９非晶的晶化前期阶段，发现了条状调幅结构，这被认为是Ｃｕ元素Ｆｅ基非晶基体中的Ｓｐｉｎｏｄａｌ分解的产物，富Ｃｕ区还可以作为α－Ｆｅ晶核的产床，导致了高密度形核．     

稀土类硬磁材料

最初的稀土类硬磁材料是６０年代开发的Ｓｍ－Ｃｏ系磁体,后来又开发了Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系及Ｓｍ－Ｆｅ－Ｂ系新磁体,使磁体的最大能积获得飞跃性提高．由于它价格高,所以并不能完全取代铁磁体,但随着工业制品小型化的需要,稀土类磁体已应用到各个领域． １９８３年日本佐川等人发现了Ｎｄ、Ｆｅ、Ｂ三元化合物,其居里温度高,并开发出最大能积为２９０ｋＪ／ｍ３的Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系烧结磁体．其主相为Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ化合物,钕和硼仅存在于ｃ面和１／２ｃ面,铁在其中以类似σ相构造存在,除钦外的稀土元素Ｒ可形成Ｒ２Ｆｅ１４Ｂ化…     

Coercive Force of γ-Phase in WC-Co Cemented Carbides

ＣｏｅｒｃｉｖｅＦｏｒｃｅｏｆγ－ＰｈａｓｅｉｎＷＣ－ＣｏＣｅｍｅｎｔｅｄＣａｒｂｉｄｅｓＬｉｕＳｈｏｕｒｏｎｇａｎｄＳｕｎＪｉｎｇ（刘寿荣）（孙景）（ＴｉａｎｊｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＨａｒｄＡｌｌｏｙｓ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００２２２，Ｔｉａｎｊｉ...     

球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察

在室温条件下，球磨Ｓｉ，Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ，采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该尖过程，高分辨像表明，在球磨过程中首先形成非晶Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶Ｓ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ），为合成ＳｉＣ提供了适宜条件。ＳｉＣ的合成主要是通过Ｃ原子向ａ－Ｓｉ及ｃ－Ｓｉ的扩散，对于前者，形成非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ），然后机械力诱使非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ）的晶化，形成销大尺寸的ＳｉＣ晶粒。     

ABSTRACTS from TRANS NFsoc（Chineseedition） Vol．4，No．4，Dec．1994 A－Geology and Mining；B－Mineral Processing and Metallurgy；C－Materials Science and Engineering

ＡＢＳＴＲＡＣＴＳｆｒｏｍＴＲＡＮＳＮＦｓｏｃ（Ｃｈｉｎｅｓｅｅｄｉｔｉｏｎ）Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．４，Ｄｅｃ．１９９４Ａ－ＧｅｏｌｏｇｙａｎｄＭｉｎｉｎｇ；Ｂ－ＭｉｎｅｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇａｎｄ　Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ；Ｃ－Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃ...     

Raman Study of Defects in SI－GaAs and Se－doped Epitaxial Layer Irradiated by 10 MeV Electrons

ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＤｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩ－ＧａＡｓａｎｄＳｅ－ｄｏｐｅｄＥｐｉｔａｘｉａｌＬａｙｅｒＩｒｒａｄｉａｔｅｄｂｙ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＬｉＨａｉｆｅｎｇ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＣｈｅｎｇＧｕｎｇｘｕａｎｄＨ...