C波段3瓦T形电极硅双极晶体管

本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．     

4.2GHz2W硅功率晶体管

<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是:     

国内外大功率晶体管发展动态

本文所指的大功率晶体管是指普通型双极大功率晶体管。包括低频大功率晶体管、功率开关晶体管、高反压晶体管和功率达林顿晶体管四部分。功率场效应晶体管VDMOS、功率晶体管模块GTR、绝缘栅晶体管IGBT、静电感应晶体管SIT、静电感应晶闸管SITH及     

IGBT及其应用的发展概况

一、前言 1984年,美国B.T.Baliga等首先发表绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)。由于IGBT兼备有MOSFET的高输入阻抗、快速性和双极达林顿晶体管(GTR)的高电流密度、低饱和电压的优点,所以深受电路设计者的欢迎。但是,最初由美国G.E开发的IGBT,它的下降时间长(数毫秒)导致开关速度慢,而且内有寄生PNPN晶闸管,该晶闸管在一定工作条件(特别是过流)下掣住,保持导通状态,使IGBT失去自关断能力,这些缺点在一定程度上妨碍了IGBT的推广应用。近两年来,经     

新一代晶体管即将问世

新一代晶体管即将问世科学家们正在对一种新型晶体管进行微调。这种晶体管的运算速度比现有计算机技术大约快１０倍。１原理与应用国立桑迪亚实验所的科学家们正在研制的这种晶体管用途极其广泛，既可用于计算机和蜂窝电话，又可用于探测微量有毒物质的卫星和传感器。特拉...     

结构改进的高压VDMOS功率晶体管

本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。     

新型微波晶体管

本文介绍了调制掺杂晶体管、电子有效质量调制晶体管和电子截断波长晶体管的原理、结构和发展动态,并简述了其发展前景。     

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，     

带阻晶体管

带阻晶体管就是将一个或两个电阻同晶体管芯做在一起,封装在同一外壳内,外形如图1所示。带阻晶体管广泛使用在各类家电设备中,比如录像机、摄像机、VCD机、影碟机、电视机……等。带阻晶体管在进口机器电路图中的图形标记如图2所示,文字标记为“QR”(即晶体管Q与电阻R组成),也有标记为“Q”(类似于晶体管),还有的标记为“IC”(即Q、R集成)。带阻晶体管在电路中使用时相当于一个小型电子开关。根据电路的要求(如     

金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性，金刚石晶体管的结构和工艺，预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下，连续输出功率200W，在100GHZ下，连续输出1W。