电荷耦合器件抗γ总剂量辐射加固

文章从电荷耦合器件的基本工作原理出发，探讨了ＣＣＤ地γ电离辐射效应，着重分析了表面损伤效应及其对ＣＣＤ各结构的影响，提出了ＣＣＤ抗γ总剂量辐射加固的结构设计途径及加固工艺。     

电荷耦合器件

一、引言 电荷耦合器件简称 CCD。首次发表于1970年3月,发明人是美国贝尔电话实验室的 W.S.Boyle 和 G.E.Smith。CCD 的出现是70年代电子学的一项重大进展,其工作原理和概念完全不同于过去建立在电压和电流调制理论上的所有有源器件。因此,有人认为它是电子学的第五代,即属于“分子电子学”领域的功能器件。正因为如此,它一出现就引起世界各主要国家电子科学界的普遍重视,短短几年内 CCD 便从实验室阶段进入了定型生产,并在具体应用中得到了突飞猛进的发展。用途主要有三个方面:成象、存储、模拟信号处理。由于     

科学电荷耦合器件

1历史、操作、性能、设计、制造和理论 1.1科学电荷耦合器件的历史 1.2操作与性能 1.2.1操作 1.2.2性能函数 1.2.3性能规范 1.3结构、设计、光刻与制造 1.3.1结构 1.3.2设计与光刻 1.3.3加工与制造     

电荷耦合摄像器件

本文列举了当前国内外常见的几种CCD摄像器件,并对其结构,性能的优缺点进行了比较。叙述了改进CCD摄像器件性能的工艺和器件像素数的突出水平。介绍了CCD彩色摄像管的几种结构。     

硅电荷耦合器件

一、引言在红外成像系统中,利用CCD的时间延迟积分(TDI)工作模式处理探测信号,可获得较高的信噪比和降低系统对探测器阵列均匀性的要求。TDI模式的简单原理如图1所示。相应视场中一点对探测器阵列作串联扫描,经延迟积分,对于几个探测器可得到     

红外电荷耦合器件

电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种模拟形式结合起来,可以发展成多样化的器件,在红外探测和成象方面,采用电荷耦合器件及其有关的器件,最初引入大面积的探测器阵列是显著改进灵敏度和分辨率的关键。此外,通过这种改进,可以降低电、热损耗,减小体积和重量等。本文评述红外敏感的电荷耦合器件(即IRCCD)的物理特性及工作原理。IRCCD可分为单片器件和混合器件两大类。单片器件的红外敏感衬底可以是窄带半导体,也可以是有适宜杂质电离能级的非本征半导体;混合器件则由选取的各种红外探测器耦合硅标准CCD而     

电视电影设备中的电荷耦合器件

电荷耦合器件(Charge Coupleddevice,简称CCD),发明于1970年,1971年即被用于光的传感器。1973年,运用512个象素的光电二极管阵的电视电影设备曾于伦敦首次展出,当时已经重显出接近广播质量的图象。1975年,1024个象素的CCD线阵传感     

电荷耦合器件发展动向

电荷耦合器件(CCD)由于具有制作简便、结构尺寸小、运用领域广等特点,自1970年4月贝尔实验室提出以来受到普遍重视。美国和日本的主要厂家都进行了研制。美国五角大楼为了把这一技术用于军事上,指定美国海军电子系统指挥部以低亮度电视用的全固体化图象传感器为目标,作为三军电荷转移技术的管理者和研究中心。美国国家航空和宇宙航行局的兰利研究中心也正在资助电荷转移技术的基础研究。目前国外在深入进行理论分析,搞清电荷耦合器件机理的同时,对提高工艺水平,     

电荷耦合器件及其应用

电荷耦合器件(CCD’S)代表着硅集成电路的一个新概念。本文评述CCD’S的基本运用,其中包括工作极限,制造方法以及实验结果。还讨论了CCD’S的各种可能的应用。     

电荷耦合器件与系统

据报导,该书发展了器件物理与电路集成的概念。全书分为五章,内容包括电荷耦合器件的物理原理、工艺问题以及在电子工程方面的应用。第一章涉及这些器件的电荷     

红外电荷耦合器件系统

一、引言热成象系统采用电荷耦合器件(CCD)后,预计可部分或全部地在以下方面得到改进: 1.采用集成电路工艺而降低了成本。 2.由于简化或完全不使用机械扫描、所用分立电子元件较少和探测器的封装得到简化,因而减小了体积和重量。     

HgCdTe电荷耦合器件工艺

首次论证了禁带可变合金Hg_1-∞Cd_∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比较。文中所列有关单台面MIS器件的资料,证明我们对器件的分析是正确的,显示了这种工艺在未来的焦平面应用方面的潜力。     

探测红外辐射用的非本征硅电荷耦合器件

本文讨论了红外探测器/电荷耦合器件集成结构的效果。采用了硅MOS/CCD工艺制备的CCD,它有8、16和32个探测器,是在硅衬底上掺镓(N_(Ga)=6×10~(16)/厘米~3)制得。在红外背景产生的电流在0.15～50微微安范围内,鉴定了器件的性能。测出的信噪比接近10~4,表明动态范围至少能达80分贝。背景抑制和过载保护电路已作在CCD上。在几种背景条件和钟频10千赫～100千赫进行了信号带宽测量。探测器的工作温度上限约20K。在低达8K时,未观察到反常的电荷转移效应。还讨论了探测器串扰。     

电荷耦合器件在热象仪中的应用

使用致冷红外探测器的热象仪,在军事、医学和工业方面很引人注意。这种仪器用机械转镜扫描,使探测器线列扫过图象。可以使用两种扫描方式:并联扫描——每一个探测器在景物中同时扫一条线;串联扫描——各个探测器依次扫过景物的一个单元。电荷耦合器件在并联扫描中,可供阵列作多路传输用;在串联扫描中,则可进行时间延迟和积分。供可见光用的两维自扫描电荷耦合器件阵列的最近发展,引起人们对起同样作用的红外电荷耦合器件的兴趣。这样就可制出无转动部件的小型轻便价廉的系统。下面讨论红外电荷耦合器件的可能制造途径。     

电荷耦合器件在视频处理中的应用

介绍一种利用电荷耦合器件ＣＣＤ３２１以及相关技术来提高弱信号检测能力的方法,这种从视频信号中提取有价值的目标信号是光电跟踪系统中视频处理的主要功能。     

背照式电荷耦合器件的研制

简要介绍了背照电荷耦合器件的工作原理、潜在优势和应用领域.设计了对常规电荷耦合器件芯片进行衬底减薄进而实现背照电荷耦合器件的技术方案.给出了相关的设计方法和工艺流程并对关键工艺技术进行了探讨.对所制成的背照电荷耦合器件组件的性能进行了分析和讨论.结果表明所提出并采用的技术方案是可行的.     

电荷耦合器件的调制传递函数

提出了一种计算电荷耦合器件(CCD)的调制传递函数的方法。分析中既考虑了 CCD 器件的时间和空间变化特性,也考虑了在扫描期间输入图象以恒定速度运动的情况。用导出的模型说明了 CCD 成象系统的静态 MTF 和动态 MTF。     

电荷耦合器件的单板机驱动

电荷耦合器件(COD)是70年代初出现的一种新型的高集成度(每平方英寸20万个元件)的MOS器件。它具有工作电压低、功耗小、光敏元几何尺寸严格、间距小、抗电磁干扰能力强、噪声低、灵敏度高、工作可靠、寿命长等优点。经过十几年的研究,特别是随着制造工艺水平的提高,CCD已经进入了实际应用阶段。现在已用于包括传真在内的光学文字识别及要求高分辨率、高灵敏度的摄像领域中,如非接触测量、遥感、遥测等。在高温炽热钢件宽度、厚度测量,人工不能测量的微小尺寸的测量等方面都表现出了高分辨率、高准确度和可靠性好等突出特点。