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研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析,发现X射线辐照及真空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力,同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为:发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。 相似文献
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离子注入技术与硅基发光材料 总被引:8,自引:0,他引:8
鲍希茂 《功能材料与器件学报》1997,3(1):4-11
硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在琪发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。 相似文献
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利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统,在直径3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线的衍射技术测试了餐延层,确定外延层的组分怀晶体质量,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖 析,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性,研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性,生长速率随锗组分的增加而降低,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗 组分渐变 相似文献
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利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 ,改善了外延层的晶体质量 相似文献
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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。 相似文献
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用X射线光电子谱研究了CeO2和Pt间的相互作用,探讨了通过相互作用能提高CeO2的氧化还原反应活性的机理,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较.对高结合能端O1s峰和表面O-离子的产生过程进行了讨论. 相似文献
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阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上,采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30-40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。 相似文献
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阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上,采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30~40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。 相似文献
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利用角度分辨X射线光电子谱方法研究MoS2固体润滑材料氧化表面的化学状态,同时,用电子自旋共振法发现氧化物存在未成电子Mo^5+,因而氧化物存在Mo原子的三种化状态,形成了单电子的传递,转移。MoS2的表面数分子层内的Mo原子氧化程度有差异,这种非破坏性的剖面分析方法有助于深入了解MoS2的氧化行为。 相似文献