超高真空退火及X射线辐照对多孔硅发光膜的影响

研究Ｘ射线及超高真空退火对发光多孔硅膜发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现Ｘ射线辐照及真空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Ｓｉ２ｐ光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。     

多孔硅发光

根据最近几年大量的文献报道,综述了关于多孔硅制备、发光等方面的研究结果,并简要介绍了国内一些单位的工作。     

离子注入技术与硅基发光材料

硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在琪发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。     

发光多孔硅的制备及其电化学成膜机制研究

研究了阳极氧化法制备多孔硅的工艺，表面形貌及电化学成膜机制。     

多孔硅基发光材料的研究进展

介绍了多孔硅经表面钝化后,其发光强度和谱线峰位的稳定性,以及多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱等方面的最新成果。     

硅的阳极氧化研究——多孔硅的制备及其发光机制

评介了阳极氧化方法制备多孔硅（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）的工艺，讨论了多孔硅的形貌及发光机制。     

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统，在直径３英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层，并进行了实时掺杂生长。利用双晶Ｘ射线的衍射技术测试了餐延层，确定外延层的组分怀晶体质量，并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖 析，利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性，研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性，生长速率随锗组分的增加而降低，以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗 组分渐变     

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 ,改善了外延层的晶体质量     

金刚石膜在多孔硅发光中的应用

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。     

硅基材料的发光特性及机理

硅基发光材料及器件是实现光电子集成的关键,文章介绍了目前取得较大进展的包括多孔硅,掺铒硅,钠米硅等几种主要硅基材料的发光特性及发光机理。     

用X射线光电子谱研究Pt和CeO2间的相互作用

用X射线光电子谱研究了CeO2和Pt间的相互作用,探讨了通过相互作用能提高CeO2的氧化还原反应活性的机理,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较.对高结合能端O1s峰和表面O-离子的产生过程进行了讨论.     

多孔硅基体系发光特性研究进展

综述了多孔硅基复合体系发光特性的研究进展，阐述了多孔硅基体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅基体系发光特性的因素和制备多孔硅基体系的方法，并讨论了多孔硅基体系的发光机理。最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

多孔硅和有机半导体复合的发光特性研究进展

综述了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的研究进展，阐述了多孔硅和有机半导体复合的体系及其发光特性，详细介绍了影响多孔硅和有机半导体复合的发光特性的因素和制备多孔硅和有机半导体复合体系的方法，并讨论了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的发光机理，最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势。     

超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅

采用超高越空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜上材料的微结构,原子力镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射／沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对在5mA／cm^2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅。     

X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用

阐述了Ｘ射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室Ｘ射线光刻装置上，采用本文研制的Ｘ射线镂空硅掩模获得胶厚为３０－４０μｍ、侧壁很陡、边缘很直的Ｘ射线深层光刻胶图形。     

多孔硅在高温退火过程中结构变化的研究

采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火。采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论。实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势。     

X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用

阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。     

激光功率对多孔硅微Raman谱的影响

运用微Raman谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品以研究多孔硅的稳定性.用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度.观察比较不同温度下多孔硅样品的Raman谱趋向,发现在激光功率和样品温度之间的关系曲线上有3个过程,与Raman频移和Raman强度的曲线相一致.所有现象都可以用Si-O键和非晶Si被氧化的机制进行解释.     

MoS2氧化表面的角度分辨X射线光电子谱研究

利用角度分辨Ｘ射线光电子谱方法研究ＭｏＳ２固体润滑材料氧化表面的化学状态，同时，用电子自旋共振法发现氧化物存在未成电子Ｍｏ＾５＋，因而氧化物存在Ｍｏ原子的三种化状态，形成了单电子的传递，转移。ＭｏＳ２的表面数分子层内的Ｍｏ原子氧化程度有差异，这种非破坏性的剖面分析方法有助于深入了解ＭｏＳ２的氧化行为。