华大电子推出我国第一颗55纳米智能卡芯片

<正>【本刊讯】中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称中芯国际)与北京中电华大电子设计有限责任公司(以下简称华大电子)共同宣布,华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片,该芯片采用中芯国际55纳米低功耗嵌入式闪存平台,具有尺寸小、功耗低、性能高的特点,目前已实现量产供货,其优良性能得到客户的广泛认可。中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台,可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。目前,该技术平台已通过产品可     

赛灵思PLATFORM STUDIO SUITE7.1简化嵌入式系统

赛灵思公司近日宣布推出针对平台FPGA嵌入式处理设计的Platform Studio工具套件7．1i版。这款新版工具利用新推出Xilinx(Virtex-4 FX器件中突破性的嵌入式功能可简化开发过程。Xilinx(Virtex-4 FX器件拥有业界唯一的嵌入式双PowerPC处理器和用于加快处理功能的创新的辅助处理器单元(APU)控制器。7．1i版集成了FPGA设计中前所未有的多种增强型使用功能和新特性，可进一步简化、概括和加快嵌入式系统的开发。     

海力士成功开发出采用3重单元技术的32GbitNAND型闪存

韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于2008年6月3日宣布成功开发出采用3重单元（3bit／单元）技术的32GbitNAND型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比,芯片面积能减少30％以上,可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础,把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从2008年10月开始量产。     

基于MC68K和FPGA的嵌入式可重构数控系统的研究

提出了一种基于嵌入式微处理器MC68K和FPGA的可重构数控系统的硬件设计方法,解决了硬件逻辑电路变化的问题,提升了数控系统的通用性和柔性。     

螺纹搓丝板的选材与试验研究

对比了GW30钢结硬质合金与普通的Cr12钢在制造螺纹搓丝板上的制造工艺、产品性能和失效特征等方面的差异，介绍了GW30钢结硬质合金制造螺纹搓丝板的工艺方法，试验表明GW30钢结硬质合金制造的搓丝板使用寿命是Cr12型钢的7－10倍，且加工的紧固件螺纹表面光洁，有显著的经济效益。     

瑞萨电子推出新型内置闪存、集成虚拟化功能的28 nm车载 Cross-Domain MCU RH850/U2A,加速车载ECU的融合

<正>2019 年 2 月 25 日,全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布推出新型内置闪存、集成硬件虚拟化辅助功能的微控制器(Microcontroller Unit,MCU)产品——RH850/U2A。新产品保持了RH850系列一贯的高速实时性能,同时集成了基于硬件的虚拟化辅助功能,可支持最高ASIL D级别的功能安全,因而能够整合不同安全等级的ECU(Electronic Control Unit)。RH850/U2A是瑞萨     

基于FPGA/SOPC的预测控制器设计与实现

针对模型预测控制在微型设备及嵌入式系统应用中的实时性问题,从硬件实现控制算法的角度研究了基于FPGA(field programmable gate array)的预测控制器的设计和实现。采用基于Nios II嵌入式软核处理器的FPGA/SOPC(system on pro-grammable chip,可编程片上系统)方案,在FPGA芯片上构建SOPC系统,设计SOPC的硬件及软件系统,实现了基于FPGA的预测控制器;建立了基于FPGA和dSPACE系统的实时仿真平台,并进行了控制器实时仿真实验。实时仿真实验验证了基于FPGA的预测控制器的功能及实时性。实验结果表明基于FPGA的预测控制器提高了算法的实时性,并具有微型化等特性,能满足新应用的需求。     

硬质合金台阶钻的柔性化制造--S20NUM 机床

MichaelDeckel公司成功开发出S2 0num型机器人自动上料数控工具磨床 (磨削中心 ) ,填补了世界工具磨床产品系列上的重大缺项。这种机床在小批量非标刀具的生产方面 ,尤其是在GW公司 (G櫣ｎｔｈｅｒＷｉｒｔｈ)的硬质合金台阶钻的生产和修磨工作中 ,发挥了特别的优势。GW公司的第 1台S2 0num机床 (图1)是于 2 0 0 1年 5月安装使用的。得益于这台机床的成功使用 ,GW公司在 2 0 0 1年 11月又立即添置了第 2台。图 1　　GW公司是一家位于Balzheim的德国著名刀具制造企业 ,其业务是设计、制造和销售硬质合金旋转刀具 ,如钻头、铰刀和铣刀等…     

基于干切削与MQL的稀土镁合金铣削性能对比研究

本文在干切削与微量润滑(MQL)条件下对GW63K稀土镁合金开展铣削试验，分析不同铣削参数与冷却条件对GW63K镁合金铣削力和铣削温度的影响规律，并对已加工表面的形貌与表面质量进行研究。结果表明：在两种冷却条件下，增大切削速度和每齿进给量都会导致GW63K镁合金的铣削合力增加，且每齿进给量的影响更为显著；在MQL条件下，镁合金铣削合力较干切削有所上升；稀土镁合金的铣削温度亦随切削速度与每齿进给量的增大而上升；在干切削条件下，稀土镁合金的铣削温度较高。此外，每齿进给量对GW63K镁合金的已加工表面质量影响显著，而MQL有助于降低已加工表面粗糙度，提高表面质量。综上所述，采用MQL冷却方式，同时选取较低的每齿进给量与较高的切削速度，有助于提高GW63K镁合金的铣削性能。     

摩托罗拉公司将增产嵌入式集成电路芯片

美国摩托罗拉公司最近决定增加嵌入式集成电路芯片的生产,认为它将是今后相当长时间内需求保持高增长的产品。 由于摩托罗拉是国际上名列前5位的半导体大企业,专家预计这一决定将对其他半导体厂家的决策也会有影响。 据美国电子产品市场信息公     

摩托罗拉公司将增产嵌入式集成电路芯片

美国摩托罗拉公司最近决定增加嵌入式集成电路芯片的生产,认为它将是今后相当长时间内需求保持高增长的产品。由于摩托罗拉是国际上名列前5位的半导体大企业,专家预计这一决定将对其他半导体厂家的决策也会有影响。据美国电子产品市场信息公     

FPGA控制DDS与AGC的精密信号发生系统研究

信号频率分辨率和幅值分辨率是信号发生源性能好坏的重要指标。基于现场可编程门阵列(FPGA)的嵌入式系统,分别采用直接数字合成技术(DDS)和自动增益控制技术(AGC)实现了频率和幅值精密可调的信号发生系统。该信号发生源的频率由FPGA提供的频率控制字决定。信号发生源的信号幅值由AGC增益控制电压决定,FPGA通过控制DAC的输出模拟量改变增益控制电压。论文设计研究的信号发生系统频率分辨率可达0. 1 Hz,幅值分辨率达0. 1 V。     

森萨塔科技完成收购 霍尼韦尔车载传感器业务

近日,森萨塔电子技术有限公司(Sensata Technologies Holding N.V.)宣布,其已经完成收购霍尼韦尔车载传感器(AoB)业务,并将这一类产品归入磁性速度位置传感器产品家族(简称MSP)。     

微电铸工艺中含N’N-二乙基硫脲添加剂时金属铜填洞机理研究

为了研究含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理,本文采用线性伏安法、循环电压电流溶出法(CVS)、扫描电镜(SEM)以及XRD测量法研究N’N-二乙基硫脲对微电铸工艺电化学行为的影响,并借助塔菲尔方程,研究微电铸铜反应过程中的电极动力学参数。结果显示：当微电铸铜工艺中加入N’N-二乙基硫脲添加剂时,产生活性极化,提高了铜离子还原时所需的活化能,金属离子的放电速度从2.2214 mA/ cm2降低 到约0.076 mA/ cm2,这样增加了反应时的过电位,促使电极表面晶核成型速度增加,晶体成长速度由2.57μm /min 降低到约0.17μm /min,铜离子的平滑能力提高约50%。这样可以有效减小微电铸时的边沿效应,使金属铜具有良好的填充微型孔洞的能力。本实验通过微电铸工艺成功地将金属铜填充入宽为10μm,深宽比为4：1的微型凹槽中,且镀层内没有空洞、空隙以及细缝等缺陷。     

人血白蛋白提取工艺的对比分析与改进方案

人血白蛋白是血液制剂的主要产品,也是血浆蛋白生产工艺主干的最终产物。人们按着血浆蛋白质之间,蛋白质与水分子之间及各种离子的相互作用,从而把各种成份分离,纯化。目前应用最广泛的是低温乙醇法。本文对国内流行的低温乙醇法中的COHN＂5＋9＂、COHN6及N—K法工艺进行了比较。N—K法与前两种工艺相比,减少了乙醇的消耗,收率有所提高。改进工艺是采用萃取方法,将血浆分成二组沉淀Fr＂Ⅰ＋Ⅱ＋Ⅲ＂和Fr＂IV＋V＂,减少了稀释倍数,节省乙醇试剂,使蛋白保持天然状态,并提高纯度。     

K418增压器叶轮摩擦焊

1.问题提出 12GJ—2A废气涡轮增压器是我厂1999年底改进的6200型柴油机产品主要部件之一,涡轮轴是增压器的主要零件。该零件是由K213(原牌号K13)高温合金精密铸造的涡轮叶轮与合金结构钢50Cr轴采用摩擦焊工艺制造的。我厂无K213高温合金涡轮铸造生产能力,由外协厂供应。自20世纪80年代我厂开发应用摩擦焊工艺以来,产品质量一直是比较稳定的。     

ZXY—601轴承内圈挤压成形工艺

我厂198908K轴承刚性圈(图1)的加工过程如表1所示。刚性圈结构特点是直径与高度尺寸相差较大,其比值为13.5∶1。在最后车底与车边工序中,由于工件与夹具接触面积太小,因此加工难度大,质量不稳定。 为了克服上述产品加工工艺的不足,在设计新产品ZXY-601轴承内圈(图2)时,采用了内圈挤压成形(即内翻边)工艺。其工艺过程如表2所示。     

1990年电子元器件市场开发展望

在1982年11月第10届电子技术元件与装配国际贸易博览会(西德慕尼黑)举办之前,慕尼黑贸易博览公司(MMG)提供了一份关于电子元器件方面的市场开发展望资料,现介绍如表1。表中;(1)半导体及电子管:半导体产品、电子管及真空元件和光电元件;(2)组合件:由元件构成的组合件,由薄膜或印刷电路工艺制成(或由底架安装等其他方法制成);(3)电子机械元件或机械元件:电子机械元件及组合件、监控及记录装置和机械零件;     

非晶态半导体及其应用

自1966年研制出硫系玻璃半导体开关元件以来,国内外对非晶态半导体的研究工作越来越重视。尤其是1975年英国的斯皮尔(W·E·Spear)等人用直流辉光放电法制备出具有低缺陷密度的非晶态硅半导体薄膜,并用通常掺杂方法首次制备出非晶态半导体 P—N 结,把非晶态半导体的研究工作推向一个新阶段。近十几年来,在非晶态半     

电嘴用半导体的配方和烧成工艺研究

论述了半导体配方和烧成工艺对半导体电嘴电气性能的影响,系统介绍了目前国内外半导体电嘴的发展情况,并通过大量的试验结果,系统地分析了影响半导体电嘴电气性能的各种因素,为合理选择半导体原料和制定产品的烧成工艺提供了理论依据。