薄膜集成无源元件技术发展现状

本文介绍了薄膜集成无源元件技术发展现状，重点介绍了硅基板、刚性基板和柔性基板上的薄膜集成无源元件技术的研制方法，材料和工艺的选择和优化。分析了这些薄膜集成无源元件技术各自的优点。     

集成埋置式薄膜无源元件MCM的研究现状

本文介绍了带有埋置式集成薄膜无源元件MCM的研究现状,其包括MCM集成无源元件的研制方法,材料和工艺的选择和优化及MCM制造工艺等一整套问题,分析了集成薄膜无源元件MCM的优缺点及其发展趋势。     

集成阻容元件及组件浪起潮涌

该文简介了全球集成元件的应用现状，展望了其发展前景，研究了国外集成薄膜电阻器．电容器及无源组件的关键工艺技术，探讨了我国在集成无源元件的研发应用方面与发达国家的差距及发展对策。     

什么叫LTCC

将多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。     

LTCC技术

将多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。     

硅/玻璃基板互连和无源元件的动向

概述了硅玻璃互连板和硅系集成无源元件(IPD)的动向。无源元件制造商的PCB嵌入用硅系芯片元件已经问世。硅基板上的微细薄膜线路和薄膜元件实现无硅化。     

文献与摘要（30）

集成无源元件技术与经济性Integrated Passives Technology and Economics 本文来自最近的NEMI研究报告,认为无源元件集成的概念是把无源元件组合在同一块基板上,代替它们各自的单个封装,包括埋置于印制板内。无源元件的用量很大,在手机和数码照相机等产品中无源元件比有源元件的数量多     

埋置式无源元件及其应用

介绍埋置式无源元件及技术的优点、发展、应用和今后的研究课题。     

一种采用硅基板的芯片大小组件封装

新加坡某公司最近宣布可提供一种芯片大小封装组件，这种封装组件采用硅基板，在系统级封装内集成了无源元件和硅集成电路。使用硅基板，一是可以采用薄膜工艺来集成无源元件及增加互连密度，二是可以避免基板与集成电路芯片之间的热胀系数失配。     

无源元件集成技术取得新突破

意法半导体（ST）近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础，该类物质是一种化合物，主要元素是铅、锆、钛及氧，根据锆和钛的比例，该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900，     

国外高可靠军用集成元件技术研究综述

介绍了国外集成薄膜电阻器、电容器及无源组件的关键工艺技术的研究情况。     

射频集成电感器的快速傅立叶变换模拟及制备

应用磁像法和快速傅立叶变换（FFT）法对单片微波集成电路（MMIC）的薄膜平面射频集成电感器进行了电磁学模拟，并把模拟结果和有限元法（FEM）模拟的结果进行了比较。根据模拟结果，对薄膜平面射频集成电感器结构参数和加工参数进行了优化，改进了薄膜平面频集成电感器的工艺方案。最后结合薄膜平面射频集成电感器薄膜的高频损耗分析，讨论了平面薄膜集成电感器薄膜微细加工技术。     

微波单片陶瓷电路技术研究

微波单片陶瓷电路(MMCC)是一项新兴的薄膜集成技术,是将构成微波电路的要素尽可能采用薄膜电路的实现方式集成于陶瓷基片上,并采用微细实心金属孔及空气桥、介质跨接等工艺实现接地、跨接和互联,可大大提高集成度,改善微波产品的性能.对该项技术进行了简要的介绍,并对主要的工艺技术如微小实心孔及金属化、集成电容技术、介质桥技术进行了重点阐述,同时应用MMCC技术设计和制作了微波鉴相电路,达到了预期效果.     

自由空间微光学元件的研制

介绍了一种新近产生的被称为自由空间微光学平台（ Ｆ Ｓ Ｍ Ｏ Ｂ）的三维空间集成光学系统。并提出了一种用二氧化硅（ Ｓｉ Ｏ２）作光学材料、光刻胶和溅射铜（ Ｃｕ）薄膜作牺牲层、电镀铁镍（ Ｆｅ Ｎｉ）作支撑结构的制作自由空间微光学元件的新工艺。研制成功了多种与基底相垂直的三维位相型微光学元件。     

表面贴装型微波器件

介绍了表面贴装型微波器件的最新进展状况,如陶瓷/铁氧体叠层共烧元件、微波陶瓷介质谐振器器件、SAW和FBAR器件、薄膜器件、RF宽带器件以及无源/有源集成功能模块等。     

Fabrication of Application Specific Integrated Passive Devices Using Wafer Level Packaging Technologies

Integrated passives have become increasingly popular in recent years. Especially wafer level packaging technologies offer an interesting variety of different possibilities for the implementation of integrated passive components. In this context, particularly the fabrication of integrated passive devices (IPDs) represents a promising solution regarding the reduction of size and assembly costs of electronic systems in package (SiP). IPDs combine different passive components (R,L ,C ) in one subcomponent to be assembled in one step by standard technologies like surface mount device (SMD) or flip chip. In this paper, the wafer level thin film fabrication of integrated passive devices (WL-IPDs) will be discussed. After a brief overview of the different possibilities for the realization of IPDs using wafer level packaging technologies two fabricated WL-IPDs will be presented. Design, technological realization, as well as results from the electrical characterization will be discussed.     

Radiation Impedance Approach to the Analysis of a Thin Film Inductor in a Microwave Integrated Circuit

The radiation resistance and reactance of a thin film inductor in a microwave integrated circuit are evaluated by a Fourier transform technique. The results are useful in designing circuits with reduced radiation coupling of the inductor with adjacent elements. Numerical results are presented for various ranges of parameters.     

陶瓷衬底的化学机械抛光技术研究

介绍了薄膜集成电路陶瓷衬底的化学机械抛光技术,概述了化学机械抛光原理和设备,讨论分析了影响陶瓷衬底的化学机械抛光的因素,并用实验加以验证。     

铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备

在铁电不挥发存储器 (FERAM)技术中 ,集成铁电电容的制备是关键工艺之一。文中提出一种制备集成铁电电容的改进工艺 :采用 lift-off技术在衬底样品表面淀积铁电电容 Pt/Ti下电极 ,然后用 Sol-Gel方法制备 PZT薄膜。在 PZT薄膜未析晶前 ,先将它加工成电容图形 ,再高温退火成为 PZT铁电薄膜。最后完成铁电电容 Pt上电极。与传统工艺相比 ,改进后的工艺能保持 PZT铁电薄膜与金属上电极之间良好的接触界面。测试结果表明 ,工艺条件的变动不会影响 PZT铁电薄膜的成膜和结构 ,从而可得到性能优良的铁电电容。     

应用于FRAM的集成铁电电容的研究

集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。