氢敏材料及氢气传感器的研究进展

对氢气进行快速、准确、原位测量,具有重要的学术意义和广阔的应用前景.氢气传感器发高品质氢敏材料的研制,氢敏材料的敏感响应性、重现性等决定着氢气传感器的工作性能.综述了近年来研究较多的半导体型、热电型、光学型、电化学型4类氢气传感器及相应氢敏材料的研究进展,并展望了氢敏材料及氢气传感器的发展方向.     

半导体材料发展的历史沿革与目前概况

据媒体介绍，在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种器件，在人们生活中几乎无所不及，不断改变着人们的生活方式、思维方式，提高了人们的生活质量，促进了人类社会的文明进步。它们广泛用于信息的传输、存储、控制、探测，以及激光与光学显示等。1990年前，作为第一代半导体材料，以硅（包括锗）材料为主的元素半导体占统治地位。     

新型催化剂让太阳直接“劈”出氢能源

德国科学家开发出了一种新型半导体催化剂，它能够让太阳能直接“劈开”水分子，得到氢气。新型催化剂源自二硅化钛（TiSi2），一种具有特殊光电性能的半导体材料，在反应最初阶段，二硅化钛表面的微小氧化物会促使接触反应中心形成，从而直接、高效地将水分解为氢气和氧气。二硅化钛在反应中所起到的不仅是光催化作用，同时能够可逆存储产生的气体，实现氢和氧的完美分离。[第一段]     

半导体硅材料的技术进步

70年代前期，为适应半导体器件高速化的要求，大多数硅企业致力于CraAs材料的研究。但是GaAs作为化合物半导体材料在结晶缺陷、大直径化、器件工艺等方面存在着难以解决的问题。因此器件厂家试图通过提高硅材料质量、氧化膜稳定性和微细化水平实现器件的高速化。到目前为止，在半导体材料中硅仍占绝对统治地位。但随着微细化技术接近极限，硅的电子迁移率又成为问题。因此，提高硅的电子迁移率、使用可提高电子迁移率的结晶结构成为研究热点。     

电子级气体中常规杂质检测方法集中验证会召开

半导体材料与器件生产过程中，必须用高纯气体作为保护气、反应气和携带气等，其质量会直接影响半导体材料、分立器件与集成电路的性能、可靠性和成品率。为此，电子部正积极组织制订高纯气及其检测方法的部颁标准。在有关单位进行调研和验证的基础上，在电子部七四二厂的大力支持与密切配合下，     

金属有机框架材料在光催化制氢领域的应用

太阳能光催化分解水是实现绿色、高效生产可持续能源氢气的重要途径之一,而光催化剂的设计和开发在这一过程中起着关键作用。常用的传统半导体光催化剂目前面临的主要挑战包括阳光利用率不足、载流子易复合、活性位点暴露不足等问题,因此,开发新型、高效光催化剂的研究显得尤为重要。具有类半导体行为的金属有机框架(metal-organic frameworks, MOFs)材料,由于其超高的比表面积、孔隙率及高规整度,近年来在光催化产氢领域受到越来越广泛的关注。介绍了MOFs材料的结构特点及在光催化制氢领域中应用的独特优势,基于光催化机理从改善光吸收、促进电荷分离和加速表面反应几个方面,总结了提高MOF基光催化剂活性的策略,并对其应用前景进行了展望。     

压电材料对含铂活性炭氢气吸附性能的影响

用机械混合法制备含有不同质量分数铂的活性炭,研究了压电材料PMN-PT产生的电荷对含铂活性炭氢气吸附性能的影响。结果表明,在高压氢气条件下PMN-PT产生的电荷能增强铂和活性炭颗粒对氢气分子的吸附,并加速氢气分子的解离和氢原子的扩散,使含铂活性炭的储氢量明显提高。铂产生的氢溢流作用有效地提高了活性炭的氢气吸附量。在室温和8 MPa氢气压力条件下PMN-PT使活性炭(NAC)氢气吸附量产生的增长幅度为15%,使含有质量分数0.83%、1%和1.25%铂的活性炭氢气吸附量增长的幅度分别为36.5%、39.3%和43.9%。     

采用藻类由水制氢和氧

最近，东京气体公司与日挥公司合作，共同研制了半导体制造等所需的小型高纯氢生产装置，除能生产99．999％以上的高纯氢外，还可高效地向半导体工厂提供氢气。     

InGaAs多晶化合物TFT材料

继硅和有机材料之后，第3种薄膜晶体管（TFT）材料受到极大关注。科学家早就发现，呈绝缘性的多晶GoAs体，加入In后显示出半导体特性。但自从日本岛根大学的研究小组成功地将InGaAs在廉价的塑料薄带上制成薄膜后，InGoAs作为超薄有机EL（电致发光）电视显示屏用TFT材料，突然在业界受到瞩目。该材料在半导体性能方面远胜于多晶硅及有机TFT，而且价格便宜，因此有望用作画面大、质量轻的有机EL电视显示屏用TFT。随着新化合物半导体材料的出现，作为下一代显示屏的有机EL将具有广泛的应用前景。     

空间半导体材料进展

介绍了在太空制备半导体的材料的优点，以及美国，前苏联，日本和我国在空间制备半导体材料的简况。     

氢能源氢气传感器可靠性试验研究

氢能源氢气传感器主要包括催化燃烧式和半导体式。半导体式具有低功耗、高灵敏度、更安全的特点，但可靠性有待提高。本文对半导体薄膜型氢气传感器进行乙醇和乙酸的抗干扰试验，并对其在抗干扰气体方面的可靠性进行评价。     

半导体材料发展动态

本文对80年代国内外半导体Si单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物GaAs单晶材料的市场,生产及科技进展进行了综述,对90年代半导体材料的发展提出了一些看法。     

氮化镓材料研究热点分析及启示

作为第三代半导体材料的代表，氮化镓基半导体材料是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件，不仅带来了IT行业数字化存储技术的革命，也将推动通讯技术发展，并彻底改变人类传统照明的历史。[编按]     

电子材料的发展

综述了半导体材料、电子陶瓷和稀土永磁材料的发展动向。半导体材料硅单晶向大直径高质量方向发展。化合物半导体材料将有较大的发展。薄膜半导体研制十分活跃。电子陶瓷材料发展较快,向高性能、复合化、多功能方向发展。稀土永磁材料钕铁硼应用不断扩大。镨系铸造磁体向产品化发展。新磁性材料的研究转向1-12型金属间化合物和稀土系氮化物。     

我国电子材料发展六十年

电子材料是指以电子为载体、用于制造各种电子元器件和半导体集成电路的材料,包括介电材料、半导体材料、压电与铁电材料、导电金属及其合金材料、磁性材料以及其他相关材料。电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础．同时又是科技领域中技术密集型学科,涉及到电子技术、物理化学、固体物理学和工艺基础等多学科知识。电子材料质量决定了电子元器件和半导体集成电路的性能好坏．一代电子新材料的出现将促进新一代电子产品的诞生．因此．电子材料的发展一直受到人们的关注和重视。     

非线性光学材料及应用

本文结合材料的微观结构，分别论述了半导体材料，有机材料，玻璃及其掺杂材料的非线性光学效应，并介绍了它们各自的特点及潜在的应用前景。     

“十五”我国电子信息材料市场需求分析

从事半导体材料生产的企业的生产设备和工艺还都比较落后,电子信息材料是发展电子信息产业的先导和基础,涉及到国民经济和国防建设各个领域,改革开放以来在国家各级领导和部门的重视支持下,取得了长足的发展,为电子信息产业中的微电子、光电子技术和新型元器件的发展奠定了基础。一、发展现状 （一）半导体材料 以半导体器件为主的世界电子产品预计2001年增长率分别达到18.2％。世界用于生产单晶硅的多晶原料需求也相应上升,目前多晶硅总的年生产能力约为2.6亿吨,     

满足现在和将来的切片加工要求

单晶锭生长完成后,将锭切割成晶片是半导体工业中电子器件生产和光伏工业中主流太阳电池生产的第一步骤。对切片质量的要求是：切割加工过程中材料损耗尽可能小（即希望材料利用率高）、晶片表面损伤（如微裂纹）小、表面形貌缺陷（翘曲、弯曲、厚度变化）少;生产效率高、成本率高等。     

第三代半导体或将引发又一次照明革命

事件：继硅（si）引导的第一代半导体和砷化镓（GaAs）引导的第二代半导体后，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。     

半导体信息功能材料与器件的研究新进展

首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位,进而同顾了近年来半导体光电信息功能材料,包括半导体微电子、光电子材料,宽带隙半导体材料,自旋电子材料和有机光电子材料等的研究进展,最后对半导体信息功能材料的发展趋势做了评述.