间接沉淀煅烧法制备镉红的研究

研制了一种新的制备镉红颜料的方法－间接沉淀煅烧法。该法具有转化率高,可溶性镉低,产品质量好,工艺简单操作,生产稳定且成本低等优点。     

均匀沉淀法制备锡酸锌与锡酸锌包覆纳米碳酸钙的研究

以均匀沉淀法制备了羟基锡酸锌和羟基锡酸锌包覆纳米碳酸钙,利用超声分散和共沸蒸馏对所得产物处理后,经高温煅烧得锡酸锌包覆纳米碳酸钙粉体.采用XRD,TG-DTA对羟基锡酸锌及羟基锡酸锌包覆纳米碳酸钙的煅烧产物进行分析,确定合成锡酸锌和锡酸锌包覆纳米碳酸钙的最佳煅烧温度为500 ℃,最佳煅烧时间为3 h.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,锡酸锌已包覆在纳米碳酸钙表面,透射电子显微镜(TEM)结果表明,锡酸锌包覆纳米碳酸钙的粒径在40～60 nm.     

水热法合成球状锡酸镧及其阻燃聚氯乙烯的研究

采用水热法,以锡酸钠和硝酸镧为原料,用氢氧化钠溶液调节pH分别为9、10和11,成功制备了不同粒径的类球状锡酸镧颗粒;对比研究了上述3种粒径尺寸的锡酸镧对聚氯乙烯（PVC）的阻燃和拉伸性能的影响,并采用对纯PVC 和综合性能最好的阻燃样品的残炭进行了分析。结果表明,pH=9时制备的锡酸镧阻燃PVC具有最好的阻燃和拉伸性能;当其添加量为5 g/100 g PVC时,阻燃PVC的极限氧指数为30.8 %,拉伸性能略高于纯PVC,燃烧后形成了带有封闭气孔的致密炭层。     

纳米锰酸镧酒石酸凝胶法制备与表征

用酒石酸溶胶－凝胶法制备出了纳米材料锰酸镧,研究了烧结条件的改变对材料的物相结构、粒径大小的影响,并用X－ray和TEM对材料进行了表征。     

助熔剂法生长的锆钛锡酸铅镧(PLZST)晶体及生长余料的组分分析

以PbO-PbF2复合体作为助熔剂,采有助熔剂自发成核缓冷法率先制备出成分为（Pb0.94La0.04)(Zr0.37Ti0.18Sn0.45)O3的驰豫型复合钙钛矿结构锆钛锡酸铅镧（PLZST）晶体,合适的生长工艺为：助熔剂中PbO与PbF2的摩尔比为0.55:0.45,原料与助熔剂的摩尔比为1：1,保温温度1250℃,保温时间12h,快降温速率为50－100℃／h,慢降温速率为1－5℃/h,快速降温与慢速降温的转变温度为1150℃,本工作对晶体及晶体生长余料中的组分进行了分析,结果表明：对一定组成的初始配料,PLZST晶体组成相对富La,Ti和Zr,生长后的余料相对富Sn,PLZST晶体中存在两种包裹体缺陷,晶体除包裹体以外各元素分布均匀,生长余料中各元素分布较均匀,存在某些元素的相对富集区域。     

沉淀-超声法制备纳米二氧化硅

在化学沉淀超声分散条件下,研究了体系pH值、表面活性剂种类、分散剂用量、干燥方式、超声分散等因素对产物纳米二氧化硅粒径的影响。通过实验确定了沉淀-超声法制备纳米二氧化硅的最佳工艺条件。采用XRD、TG-DTA及激光粒度仪等测试手段对产物进行了表征。结果表明:在最佳工艺条件下制得了粒径为40 nm的二氧化硅粉体。研究表明,沉淀-超声法是一种制备纳米二氧化硅的简单的新方法,所得粉体粒径小,粒径分布窄,实验条件要求低,操作简便、易行,便于工业化生产。     

阻燃剂锡酸锌的优化制备

以硫酸锌和锡酸钠为原料进行了锡酸锌制备研究,通过一系列实验得出最佳工艺条件:Na2SnO31.2 mol/L,ZnSO41.3 mol/L,室温下反应4 h,终点pH值9.4,搅拌速度900 r/m in,制得锡酸锌为白色晶态粉末,呈球形,纯度达99%以上,粒径为3.8μm。对该产品进行氧指数测试,发现当其在PVC中的添加质量分数为13%时,氧指数达31.0,继续添加氧指数会继续增加,具有很好的阻燃效果。     

锡酸锌－新型的锡基阻燃剂

本文简要介绍了锡酸锌阻燃剂的发展，合成和性质，同时介绍了它的用途及优于别种阻燃剂的一些特点，并针对省内非阻燃剂研究和后产提出建议。     

锡酸钾制备工艺研究

介绍了氧压合成锡酸钾的工艺方法,选用了优化参数进行工业试验。结果表明,使用金属锡粉和工业氢氧化钾水溶液在加压、加温条件下,利用氧气作氧化剂,可一步合成较纯净的锡酸钾溶液。此工艺技术可行,经济合理,产品质量稳定,生产过程无三废排放,具有一定的先进性。     

硬石膏煅烧-酸浸提增白技术的研究

利用煅烧-酸浸提增白技术对安徽含山硬石膏原矿进行增白研究,考察了煅烧时间和温度、煅烧添加剂及用量、浸提酸浓度及温度等因素对石膏白度的影响。结果表明,优化增白工艺条件为：煅烧温度为800℃,煅烧时间为2 h,煅烧添加剂为NH4Cl,添加量为5%,浸提酸浓度为0.6 mol/L,浸提温度为70℃。可将硬石膏原矿白度从86.8%提高到100.8%。     

Effect of lanthanum on the phase evolution of perovskite barium stannate synthesized through polymerized complex method

In this study, electrically conductive perovskite lanthanum-doped barium stannate, La_xBa_1-x SnO_3-δ (x = 0, 0.05, 0.1 and 0.15) ceramics were synthesized through polymerized complex method. The evolution of BaSnO₃ phase with temperature and effect of La doping was investigated. Doping of La increased the lattice parameter from 4.1165 to 4.1208 Å, up to solubility limit (x = 0.1); doping further, secondary phase La₂Sn₂O₇ appeared. BaSnO₃ phase crystallization initiated at ∼528 °C from the reaction of BaCO₃ and SnO₂ and was retarded by La doping causing an increment in phase formation temperature from 528.4 to 531.1 °C. Fourier transform infrared spectroscopy evidence substantial increment in (SnO₃)^2- absorption band with temperature strengthening diffraction responses. An incremental response in the electrical conductivity was observed by La doping with a maximum value of ∼25 S cm⁻¹, attributed to the generation of charge carriers by substitution of Ba with La ion and oxygen vacancies. In parallel, generated charge carriers also contributed towards the ionic reduction of Sn⁴⁺ to Sn²⁺ aiding the lattice enhancement. La-doped BaSnO₃ ceramics can have a potential application in optoelectronic, thermoelectric devices and humidity sensors.     

锡酸锌纳米材料的制备方法及应用研究进展

锡酸锌由于具有较高的电子迁移率、稳定性、高电导率,优异的吸附性能、光学性能和阻燃抑烟性能等特性,近年来逐渐受到科研人员的关注。本文介绍了锡酸锌纳米颗粒的制备方法（水热法、化学沉淀法、固相化学合成法、微波合成法、溶胶-凝胶法、模板法等）、形貌结构（颗粒状、立方体、球形、八面体、纳米棒、片状、纳米花状等）、粒径及其在不同领域（锂电负极材料、气敏材料、电触头材料、DSSC阳极、光催化、阻燃等）的应用研究进展,分析了利用不同锡化合物原料、不同方法制备锡酸锌纳米颗粒的原理、制备条件和产品特性,指出了每种制备方法的优缺点及每种制备方法中不同结构的形成机理,以及不同结构是如何对Zn₂SnO₄相关性能产生影响的。文章指出如何高效可控制备特定形貌和晶粒尺寸的锡酸锌是锡酸锌纳米材料未来的发展方向。     

真空加热法制备立方晶型三氧化二锑

以湿法制得的斜方晶型三氧化二锑（Sb₂O₃）为原料,采用真空加热法制备了立方晶型的三氧化二锑。采用X射线衍射分析（XRD）和扫描电镜（SEM）对产物进行了表征,研究了体系压强、加热温度、加热时间对三氧化二锑晶型与粒度的影响。结果表明：当加热温度升高时,三氧化二锑由斜方晶型逐渐转变为立方晶型;但当加热温度升高至450 ℃时,已经全部转变为立方晶型的三氧化二锑中,部分立方晶型又开始转变为斜方晶型;随着加热温度的升高,样品团聚程度增加,样品的平均粒度逐渐增大。随着体系压强的下降和加热时间的延长,三氧化二锑由斜方晶型逐渐转变成立方晶型。但体系压强的下降,会增大样品团聚程度以及样品的平均粒度;加热时间延长,样品的平均粒度也逐渐增大。     

电镀锡渣制备氯化亚锡和锡酸钠

介绍了从电镀别针厂产生的大量锡渣废料中制取氯化亚锡和锡酸钠的原理、工艺流程和工艺条件。讨论了温度、pH值和氧化剂对酸解、碱解反应的影响。实验表明 ,采用浓盐酸和氢氧化钠处理电镀锡渣的工艺流程简单 ,设备简单 ,条件容易控制 ,不但处理了大量含锡废渣 ,而且制取了合格的氯化亚锡和锡酸钠产品 ,回收率达 70 %以上 ,使电镀锡达到循环利用的目的 ,取得了明显的经济效益。     

一种新的测量碱性镀锡液中锡酸钠含量的方法

提出了一种新的测量碱性镀锡液中锡酸钠含量的方法。阐述了方法的原理腑雇简便、终点变色明显、准确度高、应用效果好。     

非晶锡酸锌包覆黏土的制备及阻燃应用

通过直接沉淀法制备了羟基锡酸锌（ZHS）和羟基锡酸锌包覆黏土（ZHS/clay）,经煅烧得到锡酸锌（ZS）和锡酸锌包覆黏土（ZS/clay）。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）对产品结构进行表征。实验表明,常温反应4 h制得的ZHS产率较高、晶粒尺寸较规整,ZHS经煅烧制得的ZS为非晶结构,最终包覆产物ZS/clay的包覆形貌清晰。将ZS/clay作为三氧化二锑替代品,应用于十溴二苯乙烷（DBDPE）、三氧化二锑协同阻燃聚丙烯（PP）体系中,当替代50%三氧化二锑时,复合材料垂直燃烧等级可达V-0级,氧指数为23.3%,抗冲击强度为13.18 kJ/m2,接近未使用替代品数据。     

Preparation of V doped lanthanum silicate electrolyte ceramics by combustion method and study on conductance mechanism

Vanadium doped La_9.33Si_6−xV_xO_26+0.5x (x = 0.5, 1.0, 1.5) (LSVO) electrolyte powder was prepared by combustion method at 600°C for 5-7 min. The powder was sintered at 1500°C for 3 hours to prepare LSVO ceramics. XPS, IR, XRD, and EIS analysis show that V⁵⁺ doping replaces Si⁴⁺ in [SiO₄] to form [Si(V)O₄] tetrahedron. With the increase in x, the lattice volume increase. When x = 2.0, the LaVO₄ phase was formed, indicating that the limit doping amount of V⁵⁺ replacing Si⁴⁺ is x ≤ 1.5. The conductivity of LSVO increases significantly with the increase in x (x ≤ 1.0), which attributed to the defect reaction caused by V⁵⁺ doping. The addition of the interstitial oxygen Oi* in 6₃ channels and the increase of lattice volume leads to increased conductivity. When x = 1.0, the highest conductivity is 1.46 × 10⁻² S·cm⁻¹ (800°C). The doping enhancement conductivity mechanism is the Interstitial oxygen defect-Lattice volume composite enhancement mechanism.     

Fabrication of columnar structured lanthanum zirconate films by laser CVD

Columnar lanthanum zirconate (LZ) films were deposited by laser chemical vapor deposition (LCVD). The effects of deposition conditions, preheat temperature and laser power, on crystal structure, morphology, and deposition rate were investigated. A large region in the terms of preheat temperature and laser power for the formation of cubic pyrochlore‐structured LZ films was mapped under a fixed total pressure of 950 Pa. The morphology of LZ films without laser irradiation showed a dense and glass‐like structure with a flat cauliflower surface. It was changed into a columnar structure with an unflat cauliflower surface by low‐power laser irradiation during deposition process. The transformation occurred once a critical laser power beyond 16 W/cm². Thus, the effect of laser on the deposition of LZ films was a result of double‐side action including both pyrolytic effect and photolytic effect. Plasma gas around the substrate resulted in significant increases in deposition temperature and deposition rate due to self‐propagating high‐temperature reactions between the precursors and O₂. The maximum deposition rate can reach 250 μm/h by LCVD.