一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT( NPT- IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT- IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT- IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产     

低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

提出了一种新结构的IGBT,取名为低功耗IGBT(LPL-IGBT),它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区,从而具有NPT-IGBT的优点;同时具有由衬底预扩散残留层构成的n型缓冲层,又具有PT-IGBT的优点.计算机仿真结果证明,它的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT降低一倍左右.它的结构比FSIGBT更适合于实际生产.     

具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析

针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n 浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n 浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n 层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.     

一种新结构IGBT——内透明集电区IGBT

本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”（ITC-IGBT）进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层，同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明，无论是穿通型结构（有缓冲层）还是非穿通型结构（无缓冲层）的ITC—IGBT，在器件工作电流范围内都具有饱和电压正温度系数，解决了现有的用外延片制造的PT—IGBT所难以克服的饱和电压负温度系数的缺点，有利于IGBT的并联使用。对于1200V以下的IGBT，该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造良好温度性能器件的途径。     

具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析

针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.     

有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p－降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.     

有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.     

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真研究

本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真。这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了低压透明集电极IGBT制造过程中超薄片操作的技术难题。论文重点对器件的温度特性和关断特性进行了仿真研究,并与现行PT-IGBT和FS-IGBT进行了比较。仿真结果表明,通过合理调整内透明集电极IGBT的参数组合,可以使其具有通态压降正温度系数的同时,又具有较快的关断速度,实现透明集电极IGBT的优良性能。     

单相逆变器损耗分析与计算

提出一种逆变器损耗分析方法,并以最新的功率半导体逆变模块为例进行实例分析与计算。在对逆变模块损耗分析时,考虑了温度、驱动因素的影响,因而更为精确。通过对新型(理想)开关器件损耗计算,得出逆变器损耗的主要组成部分及影响因素;此外,还对输出滤波器损耗进行详细分析,这为以后新器件(新模块)的实际应用提供参考。     

煤矿变压器技术经济运行分析

为实现节约电能 ,降低消耗的目的 ,对同一型号变压器的各项参数进行了分析计算 ,对运行环境进行了分析比较得出 ,通过调整变压器的运行状态 ,减少变压器的自身有功功率损失和无功功率消耗可达节电目的的结论     

提高功率因数,降低电力设备的损耗

功率因数反映了负载从电源接受的视在功率中,有多少转化成了有功功率。功率因数越高,即无功功率越少,发、供、用电设备越能够充分发挥其能力。提高功率因数的措施主要是补偿无功功率,以取得最大的节能和经济效益。     

有线电视测量中频谱分析仪的端口阻抗转换

叙述了有线电视测量中50Ω/75Ω阻抗转换器的工作原理，设计了一个实用的阻抗变换器，并对阻抗转换后测量的功率、电压损耗修正数值进行推导，最后用矢量网络分析仪测量验证设计的阻抗转换器。     

供电线损分析及降损措施探讨

电力网线损是在输电过程中所产生的功率损耗,这种不必要的损耗应当加以控制,以达到节约能源的目的。文中主要对如何有效的降低线损,以及加强线损工作的管理进行了研究和探讨,以达到电力网运行的最佳状态。     

用户侧无功补偿重要性的分析

文章从电能质量和线路功率损耗出发,就用户侧无功补偿的重要性进行了探讨,通过实例分析说明了用户侧无功补偿装置的重要作用,倡导广大用户积极参与节能降耗工作。     

光纤和法兰耦合损耗对激光传输功率的影响

实验研究了光纤和法兰耦合对激光传输功率的影响 ,得出了法兰和光纤接头的耦合不当对激光功率产生很大损耗 ,这将直接影响激光点火系统的点火性能     

多功能插损回损测量仪的设计

为了快速精确测量光连接器件的插入损耗和回波损耗,在传统测量方法的基础上设计了一种新型的多功能差损回损测量仪。该测量仪系统由光路和电路两部分组成。光路部分利用光耦合器得到待测器件的损耗功率,经探测器接收并转换为电流;电流送到电路进行放大和A/D转换,并由单片机进行处理,测量结果由LCD显示输出。实验结果表明,该系统能够实时显示待测器件的差损和回损,达到0.05dB的精度。进一步测试结果表明,该测量系统可以达到70dB的高精度动态范围。     

功率二极管反向恢复特性模拟研究

针对功率二极管反向恢复既快又软的开关特性要求,根据Rajapakse．二极管反向恢复模型,模拟二极管反向恢复I-t、V-t变化规律,模拟结果与已有文献结果吻合,通过控制变量得到不同存储时间trra、恢复时间trrb、正向电流If、正向电流上升速率dIf/dt对反向恢复电流的影响,模拟结果表明：trra,trrb跟二极管反向恢复过程密切相关。文中最后分析计算了不同电压,不同电流下二极管反向恢复过程中的功率损耗。     

电网技术线损的影响因素与降损方案分析

在经济和科技不断发展的今天,人们对用电的需求日益提升,电网技术也因此得到了进一步发展。但是,电网技术的线损问题依然普遍存在,不仅大量消耗电力企业的成本,而且会消耗更多的资源。基于这一情况,分析电网技术线损的影响因素,研究相关的降损方案,以有助于电网技术的发展。