掺杂对SnO_2薄膜性能影响研究

ＳｎＯ２薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视。本文就各种掺杂对ＳｎＯ２薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

掺杂对SnO2薄膜性能影响研究

SnO2薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视,本文就各种掺杂对SnO2薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法（CVD）制备了Sb掺杂SnO2薄膜（ATO），研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。     

梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征

采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%（原子数百分比）的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。     

Ag掺杂纳米TiO2薄膜制备及其结构表征的研究

以钛酸四丁酯、无水乙醇、硝酸银为原料,硝酸作为催化抑制剂,采用溶胶-凝胶法获得前躯体,将前躯体煅烧制备了Ag掺杂纳米TiO2粉体和薄膜.采用DTA-TG对前躯体的热分解行为进行研究,利用XRD对制备的粉体TiO2产物的晶型、粒度和粒径分布分析,并利用SEM对薄膜的表面形貌和颗粒粒度进行表征观察.试验结果表明,纳米TiO2产物的晶型为锐钛矿型,其中在350℃煅烧的粉体和薄膜中,晶粒平均粒径为十几纳米左右,粒径分布较窄,且薄膜表面厚度分布均匀.     

溶胶-凝胶法制备SnO_2薄膜的研究

利用金属醇盐以溶胶 凝胶方法制备In掺杂SnO2 薄膜 ,并用正交试验法系统地研究各种因素对溶胶稳定性和薄膜成膜性的影响 .研究表明 :溶液配比、加水量、催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素 ,适当的稀释倍数对抑制膜层开裂有明显作用 .In3 离子的注入极大地提高了薄膜的导电性     

La掺杂BaTi_2O_5薄膜的制备及性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备了不同摩尔分数La掺杂BaTi2O5薄膜。研究了不同La掺量的BaTi2O5(Ba1-xLaxTi2O5)薄膜的物相组成、介电性能和铁电性能。XRD分析结果表明,采用溶胶-凝胶法经过850℃退火制备的Ba1-xLaxTi2O5(0≤x≤0.01)薄膜样品结晶较好,无杂相出现。La掺杂提高了薄膜的介电性能和铁电性能,当掺杂量0.004≤x≤0.008,测试频率为1MHz时,薄膜的介电常数约为630;当x=0.004时,掺La的BaTi2O5薄膜的剩余极化值最大,2Pr=2.1μC/cm2。     

高压高温制备Sb掺杂的P型ZnO及电致发光

以ZnO和Sb_2O_3为前驱物,在5GPa、1100~1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO(记作ZnO:Sb)。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性能最好的P型ZnO:Sb,电阻率为1.6×10~(-2)Ωcm,载流子浓度为3.3×10~(20)cm~(-3),迁移率为12.1cm/V s。p型导电是由位于Zn位的Sb和两个Zn空位组成的复合受主引起的。测定了受主能级为113meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电性能的影响。此外,以高质量ZnO纳米线作为LED的发射层,通过将p型ZnO:Sb中的空穴注入ZnO纳米线中实现了激光发射。当注入电流达到20mA时,电致发光(EL)的功率可达到10mW。     

锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒抗静电性能的探讨

介绍了锑掺杂的二氧化锡纳米粉粒的制备，研究了不同锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及不同混合比对抗静电剂性能的影响，得出了用一定锑掺杂量的二氧化锡纳米粉粒及混合比制备的抗静电剂有很好的抗静电性能．     

溶胶—凝胶法制备Fe掺杂In2O3薄膜的室温铁磁性

采用溶胶-凝胶法以(普通)玻璃为基底制备了摩尔分数为10?掺杂In2O3的透明薄膜.分别用XRD、FE-SEM、UV-Vis和VSM对样品结构、形貌、透过率和磁性进行表征.XRD结果表明样品衍射峰为立方In2O3结构,无其它相.SEM图谱清晰说明薄膜致密,晶粒约为14 nm且分布均匀,无团聚现象.UV-Vis光谱测得样品在可见光内透射率高于80%,且Fe掺杂引起光学吸收谱红移.VSM结果表明样品具有室温铁磁性.     

Sol-Gel法制备SnO2透明导电薄膜

采用 Sn Cl4 · 5 H2 O为起始原料 ,无水乙醇为溶剂 ,Sb Cl3为掺杂剂 ,采用溶胶 -凝胶法在玻璃基板上成功制得了 Sn O2 薄膜 ,并通过 XRD、SEM及薄膜光学、电性能测定等分析手段对薄膜进行了评价     

提拉法制备铟锡氧化物透明隔热薄膜的研究

将纳米铟锡氧化物（ITO）粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米1TO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜．研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系．研究表明：提拉镀ITO膜具有很好的透明隔热性能,对可见光的透过率大于85％,对近红外透过率低于35％,膜的耐有机溶剂性好,提拉次数对膜的厚度、红外透过率以及宏观隔热性能成正比关系,提拉温度对膜性能的影响较为复杂,提拉温度为35℃时,膜的厚度最厚,综合性能较好．     

电沉积法制备PbS薄膜的XRD分析

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的晶相组成的影响.结果表明:在U=3.0 V时,可制备出沿(111)晶面取向生长的立方相PbS薄膜;随沉积电压从3.0 V增加到4.5 V,薄膜的生长取向从(111)晶面变为(200)晶面,且PbS衍射峰的强度越来越强,到18 V时达到最强.     

Sol-gel法制备ZAO薄膜及其红外发射率的研究

采用溶胶-凝胶工艺在石英玻璃基底上制备了ZAO(掺铝氧化锌)薄膜,系统研究了各工艺参数,如溶胶浓度、Al掺杂量及热处理温度对其结构和性能的影响.XRD分析结果表明,ZAO薄膜具有ZnO晶体结构并具有沿(002)晶面择优生长的特性.SEM结果显示,所制薄膜的晶粒尺寸约为50 nm,浸涂1次溶胶所得薄膜的厚度约为2.6μm.溶胶浓度为0.3 mol.L-1,掺杂Al为3 at.%的薄膜试样在700℃热处理后,8~14μm波段的平均红外发射率降至0.568.     

水热软化学法合成单轴取向钙钛矿型钛酸盐薄膜

采用具有纤铁矿型层状结构的层状钛酸盐K0.8Ti1.73Li0.27O4·nH2O(KTLO)制备出层状H -型钛酸盐H1.07Til.73O4·nH2O(HTO),并将其以之作为前驱物,将HTO前驱物粉末通过与0.1 M的n-丙胺反应剥落成其结构单元层的纳米片,接着采用HTO纳米片胶体溶液通过旋转涂覆工艺在金属基体Ti、Pt或者Au上制备出择优取向的HTO薄膜,随后加热至200～400℃.在A(OH)2(A=Ba,Sr)溶液中于150～350℃温度范围内水热处理HTO前驱物薄膜成功制备出具有高度[110]择优取向的ATiO3(A=Ba,Sr)薄膜(取向因子≈1.0).钛酸盐薄膜择优取向的方向受控于HTO前驱物薄膜的结构且不依赖于基体的性质.     

氧化铁系气敏薄膜的研究

用粉末射频溅射法制备了不同厚度和掺杂的氧化铁系气敏薄膜,并对其微观结构和性能进行了鉴定和测试,对添加剂的作用进行了探讨和分析。结果表明:溅射薄膜为晶粒微小、且具有一定择优取向的α-Fe_2O_3多晶薄膜;该薄膜对乙醇气体具有良好的气敏性和选择性,且响应快、附着力强;对氧化铁薄膜进行适当的掺杂可以明显地改善其电导性能和气敏性能。     

纳米锑掺杂氧化锡粒子在水中的分散性研究

以自制的纳米锑掺杂氧化锡(ATO)为原料,采用阴离子、阳离子以及非离子型表面活性剂为分散荆制备了分散稳定的纳米ATO浆料,考察了分散剂用量、悬液pH值对纳米锑掺杂氧化锡(ATO)悬液分散稳定性的影响,将纳米AT0悬液球磨40 min后对悬液纳米ATO的粒径、介质pH值、Zeta电位、沉降性能、分散机理进行了研究并通过透射电镜(TEM)进行了观察.研究表明:在pH=6.5～8.5时,添加0.6(wt)%聚丙烯酸钠(SPA),纳米ATO颗粒在水中呈现良好的分散状态,悬液分散稳定性能好,静置120 h以上悬液没有发生明显的沉降.     

SnO_2基导电陶瓷电阻温度特性及其导电机理的研究

研究了 Sn O2 基导电陶瓷的配方范围及其电阻温度特性 ,发现其电阻随温度呈指数降低 ,通过 X-衍射分析 ,对其导电机理进行了讨论。     

SnO2基导电陶瓷电阻温度特性及其导电机理的研究

研究了SnO2基导电陶瓷的配方范围及其电阻温度特性,发现其电阻随温度呈指数降低,通过X-衍射分析,对其导电机理进行了讨论。     

玻璃瓶罐的喷涂法化学增强

本研究对硅酸盐瓶罐表面采用钾盐进行化学处理,探讨了盐的种类、比例、浓度、喷涂时间、热处理温度及时间等工艺操作因素的影响;分析了瓶罐生产线热端喷涂增强处理后的结果。认为采用KCl:KNO_3为3∶1的喷涂液以及K_2HPO_4喷涂液对瓶罐的增强效果较好,啤酒瓶耐内压强度得到显著提高。