加热低电阻率硅带和硅片用的行波谐振器

研究了加热低电阻率硅片用的行波谐振腔和微波加热器。微波电路的性能与理论预计是一致的。描述了150毫米(6英寸)直径硅片用微波加热器。对温度的分布进行了理论计算并测量了某些温度分布。     

用行波加热低电阻率半导体带材和薄片

本文介绍了一种不需感受器的用行波加热低电阻率半导体带材(方形或接近方形的)、或薄片(圆形或几乎是圆形的)的技术。相信这项技术在多达30个样品的同时均匀加热方面具有前景。加热器实际上是一段矩形波导,几何形状比较简单,其边界值可用适当公式表示。通过数值计算法解这个问题导出了作为各种有价值参量的函数的复传输常数值。理论研究表明,如果波导宽度选择合适,微波能量在样品中的吸收差不多是均匀的。在2.45 GHz 下,进行的衰减常数和电压驻波比的测量与理论预计很好地一致。用温度敏感漆对温度分布的初步测量与理论上是一致的。     

用行波加热低电阻率半导体薄片和带材

本文介绍了不用接受器、在行被谐振器内用微波加热低电阻率半导体带材的技术。这项技术被认为在同时均匀加热差不多30片带材方面具有发展前途。     

石英晶片谐振器的设计

本文介绍了“QB-60A型石英晶片自动分选系统”的测试单元——石英晶片谐振器的工作原理以及实现方法。     

晶片污染对石英谐振器DLD的影响

电子产品的便携式、数字化、节能、低功耗已成为社会发展的趋势。石英谐振器在电路中担负着频率发射和接收的作用,很多电路的激励功率由原来的1 000μW减小到了5μW。激励功率依赖性(DLD)越来越受到制造商的重视,现已成为产品质量检测的一个重要参数。实践表明,晶片受到污染的程度将直接影响谐振器的DLD,在生产过程中通过对晶片污染源的分析和有效控制,能减少和控制谐振器DLD的产生。     

微波介质谐振器鉴频器

本文介绍采用小型介质谐振器作为鉴别器的微波鉴频器的结构,列出简便的介质谐振器计算公式、数据表和实验数据。     

行波半导体激光放大器

论述行波半导体激光放大器(TW—SLA)的基本原理、结构和性能,对它在光纤通信中的应用及发展前景作了较全面的分析。     

高效率硅太阳电池AR-BSF一次成型工艺研究

本文描述一种用LPCVD方法淀积Si3N4形成太阳电池减反射膜(AR)同时又制得高效率硅太阳电池铝合金高低结背面场(BSF)的新工艺。该工艺不仅简化了太阳电池的制作过程,即电池的AR和BSY一次形成,而且由于系统处于高真空,电池处在N2和H2的气氛中,所以改善了太阳电池发射区的表面特性。实验结果表明:为获得较好的电池性能,在完成电池的AR和BSF时,厚的铝膜,较高的淀积Si3N4温度以及在电池发射区表面生长80100的SiO2层是必要的。     

褐煤新法干馏制取高炉喷吹料和城市煤气初步研究

主要介绍了在10kg/h处理量的连续实验装置上进行扎赉诺尔褐煤制取高炉喷吹料和城市煤气研究的初步结果。干馏煤气是中热值煤气,符合城市煤气要求。干馏半焦具有低灰、低硫、低挥发分和高活性等特点,是一种优质的新型高炉喷吹料。