温度系数为±50×10-6/℃的厚膜电阻浆料

研究了１种温度系数为±５０×１０＾－６／℃钌系膜电阻浆料,叙述其烧结特性和电性能。     

不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料的制备与性能研究

以二氧化钌和氧化铜的混合物为功能相制备出不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料.研究了功能相与玻璃相的配比、功能相的粒度对厚膜电阻方阻及电阻温度系数(TCR)的影响规律.结果表明:固定浆料中玻璃相的成分与含量(30wt%),控制功能相中RuO2的比例(45.4wt%～88.9wt%)或功能相的粒度(0.30～1.0μm),可制得具有不同方阻(1.5～12.8Ω/□)和TCR(2100～2900×10-6/℃)的厚膜PTC热敏电阻.     

化学法制备超细玻璃粉及其在LTCC用厚膜电阻浆料中的应用(英文)

用正硅酸乙酯、硝酸铝、硝酸钙、硝酸镁经化学反应,添加燃烧剂烧结后研磨制成了超细玻璃粉原料;用水合三氯化钌高温脱水法制备了氧化钌粉原料;采用低温共烧(LTCC)制成了混有这两种原料的钌厚膜电阻。采用差热分析仪、激光粒度仪和扫描电子显微镜进行了分析表征。结果表明,制备的电阻浆料与LTCC生瓷烧结性能相匹配,稳定性好,温度系数在±200×10-6/℃以内,制备的电阻器平均方阻为88.5Ω/□。     

化学法制备超细玻璃粉及其在LTCC用厚膜电阻浆料中的应用（英）

用正硅酸乙酯、硝酸铝、硝酸钙、硝酸镁经化学反应,添加燃烧剂烧结后研磨制成了超细玻璃粉原料;用水合三氯化钌高温脱水法制备了氧化钌粉原料;采用低温共烧(LTCC)制成了混有这两种原料的钌厚膜电阻。采用差热分析仪、激光粒度仪和扫描电子显微镜进行了分析表征。结果表明,制备的电阻浆料与LTCC生瓷烧结性能相匹配,稳定性好,温度系数在±200×10^-6/℃以内,制备的电阻器平均方阻为88.5 Ω/□。     

氧化钌的比表面积与电阻器特性之关系

1.前言影响钌电阻器特性的因素很多,其中掺杂往往是必不可少的。中、高阻掺CuO,低阻掺MnO_2,这对改善电阻的TCR很有效。MnO_2不但适宜掺入低阻粉料而且也适宜掺入到中、高阻粉料中。厚膜电阻除了导电相氧化钌外,还有玻璃。玻璃本身的成份,玻璃的粒径大小,对阻值的高低起着重要的作用。工艺条件对电阻器特性的影响更不能忽视。作为导电相的氧化钌是厚膜电阻的核心和关键材料,电阻特性的好坏,取决于氧化钌原料的制备方法与处理途径。本文研究不同比表面积的氧化钌与电阻器特性的关系。     

含钌高阻高压电阻器材料

钌系厚膜电阻浆料的阻值在50/(?)～1MΩ/(?)范围内,其性能基本满足各种线路的需要。国内外厚膜电阻可认为是向高精密、低阻、高阻和高频大功率方面发展。能做高阻高压电阻器的材料主要有两种:一是 SnO_2,其耐压性好,电阻率高,适用于高阻高压电路。但此类电阻器在烧成中,SnO_2易在玻璃中扩散,导致电阻体失效或变成绝缘体。但 SnO_2电阻原材料价格便宜,国内已有研究及生产。另一种是钌系电阻器,     

钌系厚膜电阻重烧变化特性的研究

采用高温熔融-水淬法制备玻璃相,固相法制备导电相Bi2Ru2O7、CaRuO3和BaRuO3,水浴溶解法制备有机载体,配制成电阻浆料后印制成电阻,经烘干、烧结后测算其重烧变化率。研究了玻璃组成中硼硅比例B2O3/SiO2、混合玻璃粉比例以及导电相对重烧变化率的影响。提出了改善电阻重烧变化率的几种办法。制备出的几种电阻浆料重烧变化率较小,可满足使用要求。     

溶胶-凝胶法制备钌系薄膜电阻

利用醋酸铅、氯化钌、正硅酸乙酯为主要原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了以钌酸铅为主晶相的钌系薄膜电阻材料,运用DTA、XRD和IR等手段对样品的结构和晶化规律进行了研究.薄膜在热处理过程中析出钉酸铅晶相,薄膜电阻方阻值随热处理峰值温度升高先减少再增加.     

钌系高阻浆料的电压稳定性

用钌酸铅、钽钌酸铅、钛酸钡、玻璃粉配制电阻浆料，印烧成电阻器，考察短期过负荷性能。结果证明钌酸铅不适于做高阻高压浆料导电相；钽钌酸铅适于做高阻高压浆料导电相；钛酸钡是合适的改性剂。电阻体均匀性对短期过负荷起重要作用。     

3D打印-激光烧结制备导体和介质厚膜的显微结构与性能

为拓展3D打印技术在厚膜混合集成电路制备领域的应用,提高厚膜浆料烧结效率,采用3D直写+激光烧结制备三种导体浆料厚膜和一种介质浆料厚膜,并与常规的丝网印刷+高温炉烧结厚膜进行显微结构与性能的对比研究。结果表明,常规丝网印刷+高温炉烧结的导体及介质厚膜具有良好的显微结构与性能。相比而言,3D直写+激光烧结制备的导体厚膜平整连续、厚度均匀,焊接性能良好,但结构不够致密,部分导体厚膜存在膜层附着力不足,方阻偏大的问题;介质厚膜激光烧结后的致密性较导体厚膜更低,绝缘性能不满足要求。3D直写制备导体或介质浆料厚膜具有可行性,但激光烧结工艺参数有待优化,以实现厚膜的烧结致密化,提高厚膜与基板的结合强度。     

钙钛矿稀土镍酸盐SmNiO3薄膜的研究进展

强关联性量子材料SmNiO3属于钙钛矿镍氧化物,在海水中具有与鲨鱼壶腹相似的弱电感知能力,是新型水下电场传感器敏感元件,可监测海洋中的舰船、无人潜航器,为反潜提供新的探测手段,引起了广泛的关注。对SmNiO3薄膜的制备方法及优缺点对比进行了详细的论述,由于SmNiO3具有正的吉布斯自由能(ΔG),常温常压下SmNiO3中的Ni^3+处于亚稳态,制备过程中易于发生Ni^3+→Ni^2+,为保持电中性,氧空位会作为其补偿形式,而氧缺陷会导致SmNiO3薄膜晶格参数变大,从而摧毁金属-绝缘体转变,因此制备SmNiO3需要高温高氧压苛刻的实验条件来降低ΔG。重点介绍了SmNiO3薄膜材料的相变类型、机制及影响相变温度的主要因素,大多数研究认为,SmNiO3的MI相变是基于Mott的电子-电子强关联引起的,实际上无序和电子-电子相互作用应该同时存在,不应该单独考虑某一种相变类型,MI相变实质是低温下载流子之间的库伦作用,应将热激活机制、Mott变程跳跃传导和Efros-Shklovskii变程跳跃传导机制在一定温度范围内综合考虑;在电场、温度、光及压力等外界环境作用下,SmNiO3薄膜会发生明显的金属-绝缘体相变,相变温度TMI也随之改变。最后展望了SmNiO3薄膜在电场传感器元件、数据存储、智能窗帘以及调制开关等方面的发展前景。     

银粉浆料的研究进展及发展趋势

本文介绍了广泛用于电子行业的电子浆料的国内外研究现状,并着重讨论了银浆料的组成相:银粉的制备方法及其对浆料的影响;玻璃相的组成对银浆性能的影响以及添加物对银浆性能的影响.并介绍了电子浆料的应用前景及发展趋势.     

低温共烧用可焊浆料用银钯合金粉特性研究

银钯合金粉末制备的电子浆料以其优异的导电、抗银离子迁移、可焊耐焊性,成为低温共烧陶瓷工艺(LTCC)配套用关键电子浆料之一。比较研究两种不同特性的银钯合金粉制备的浆料与Ferro A6生瓷带共烧后的匹配性、电学性能、附着力、可焊性与耐焊性等性能。高振实、大粒径的银钯合金粉制备的浆料与Ferro A6生瓷带共烧平整,电极膜层平整光滑,各项性能表现出优异。粒径较小的银钯合金粉,与瓷料烧结收缩率不匹配,基板翘曲严重,膜层起皱,导电性及可焊耐焊性相对较差。     

低温制备MAX相薄膜:成相与性能研究进展∗

MAX 相薄膜材料是材料研究的热点之一。 综述了 MAX 相薄膜的制备技术,介绍了典型的促进 MAX 相薄膜低温成相的方法,分析讨论了低温沉积 MAX 相薄膜的影响因素和生长机理,指出 MAX 相薄膜的制备难点主要是在降低温度和减少杂质相的生成。 统计并对比分析了文献中 MAX 相薄膜材料的几项主要使用性能的数据,包括导电性、耐腐蚀性能、硬度和模量,指出 MAX 相薄膜材料的耐腐蚀性能数据还不够充分和系统,甚至存在一定的不一致性,对其耐腐蚀性能的行为和机理需要更多的研究。     

导电银浆在铝合金表面的烧结性能分析

制备一种用于铝合金表面烧结银厚膜的低温烧结型导电银浆,以解决铝合金的软钎焊问题. 采用熔融淬火方法制备玻璃化转变温度(T_g)为360 ℃的Bi₂O₃-B₂O₃-ZnO玻璃粉. 将玻璃粉、亚微米银粉和有机载体混合制成无铅低温烧结型银浆,将该银浆涂覆在6061铝合金表面,并在440,470,500,530 ℃的温度下进行烧结. 研究烧结温度对银厚膜的电阻率、可焊性及与基板结合强度的影响. 当玻璃粉与银粉重量比为1∶9,烧结温度为530 ℃时,烧结银厚膜的电阻率为2.2 μΩ·cm,抗剪强度为56.0 MPa;同时Al,Mg和Bi₂O₃发生氧化还原反应在银厚膜与铝基板界面产生纳米级Bi单质,进而实现冶金结合. 结果表明,提高烧结温度可以有效促进玻璃的润湿铺展、Ag颗粒之间的颈缩和Ag颗粒的生长,进而明显改善银厚膜软钎焊可焊性.     

Preparation of micron-sized flake copper powder for base-metal-electrode multi-layer ceramic capacitor

The preparation of flake micron-sized copper powders with the chemical–mechanical method was investigated. Reaction of [Cu(NH₃)₄]²⁺ complex with hydrazine hydrate at 85 °C produced monodispersed fine spherical copper powders, which were used as precursor to synthesize flake copper powders by the ball milling process. The flake copper powders having an excellent dispersibility and a uniform size of 9 ± 2 μm could be achieved. Thermogravimetry (TG), differential thermogravimetry (DTG) and differential thermal analysis (DTA) of the flake copper were investigated with thermal analyzer. The results showed that the oxidizing temperature increased with a decreasing specific area. The flake copper powder particles were employed as functional conductive materials in copper thick film paste for base-metal-electrode multi-layer ceramic capacitors (BME-MLCCs). Excellent connection between internal and terminal electrode and even distribution of glass in copper thick film can be observed by polarized light photograph. The dense thick films were also found by scanning electron microscopy (SEM) analysis, and the high densification of the fired films could be attributed to the “framework” effects.     

烧成工艺制度对无铅银导体浆料性能的影响

以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,固定浆料配比及制备工艺,通过改变浆料烧成工艺制度,结合扫描电子显微镜(SEM)、差热分析(DSC)等分析手段,系统研究了烧成峰值温度和保温时间对最终烧成厚膜导体性能的影响。结果表明,随着烧成峰值温度升高,保温时间延长,导体膜层方阻先减小,后增大;可焊性、耐焊性也具有先变好后变差的趋势。推荐较好的烧成工艺制度为:烧成峰值温度为850℃,保温20 min。     

双靶磁控溅射沉积Cu-W薄膜组织结构特征及其演变(英文)

采用双靶磁控溅射沉积Cu-W合金薄膜,通过XRD、TEM和HRTEM等方法分析沉积薄膜组织结构及其演变规律。在沉积初期,Cu-W薄膜呈非晶态,随着沉积过程的进行,在溅射粒子的轰击下已沉积薄膜逐渐晶化并形成类调幅结构,从而在沉积完成的微米级Cu-W薄膜中呈现表层为非晶态、底层为晶态的层状结构。采用Vegard规则对类调幅结构的固溶度进行计算,Cu-13.7%W薄膜是由固溶度分别为11%W和37%W的Cu(W)固溶体及纯Cu相组成;Cu?14.3%W薄膜是由固溶度分别为15%W和38%W的Cu(W)固溶体及纯Cu相组成;Cu-18%W薄膜是由固溶度分别为19%W和36%W的Cu(W)固溶体及纯Cu相组成。     

PCVD TiN膜的界面制备及性能

用ＴｉＣｌ４作为反应气体制备ＰＣＶＤ ＴｉＮ镀层,对降低界面的氯含量,改善ＰＣＶＤＴｉＮ镀层的界面性能进行了研究。在镀层制备过程中增加了界面制备过程,即采用氩离子轰击以及氢的反应使界面的氯含量降低,膜基界面得到改善。结果表明,与常规ＰＣＶＤ制备的ＴｉＮ镀层相比,膜层的结合强度有大幅度的提高,耐磨性和耐蚀性均有改善,特别是其耐蚀性达到甚至超过奥氏体不锈钢的水平。