铜锡合金纳米粒子的制备和性能研究

通过化学还原方法制备了铜锡合金纳米粒子,并研究分析了其的尺寸和热学性能。铜锡纳米粒子的X射线衍射分析结果显示,合成产物主要是锡纳米颗粒和铜锡合金(Cu6Sn5)纳米颗粒组成,且这些纳米粒子并未被氧化。其示差扫描量热法测得结果表明,本次合成的纳米颗粒的熔点为202.98 ℃,适合现代电子封装技术对低熔点封装材料的要求。     

CRT封接用低熔点封接玻璃粉性能不稳定性分析

对用于显像管屏、锥封接的低熔点玻璃粉(简称低玻粉)在使用过程中出现的批与批之间涂敷性能差别比较大的现象进行了分析.研究发现低玻粉的粉体在空气中性质不稳定,容易借助水的作用发生吸附和团聚,使其堆积密度降低;低玻粉的含水量对低玻粉膏体流动性有显著的影响,万分之几的水分波动就能够造成其膏体的流动性波动.     

低熔点SnBi合金对导电银胶性能的影响

以银粉为主要导电填料,选定环氧树脂体系,添加不同量低熔点共晶SnBi合金制得导电胶,利用四点探针法和万能材料试验机考察了SnBi合金添加量对导电胶导电性能和力学性能的影响.发现当SnBi合金添加量占填料质量分数的15%时,导电胶的体积电阻率可以达到3.4×10<,-4>Ω·cm,剪切强度为12.56 MPa.SnBi合...     

低熔点高Δn值双环向列相液晶的合成研究

为了获得低熔点、折射率各向异性(Δn)大的快速响应向列相液晶材料,高Δn值的液晶混合体系中需要加入熔点在50℃以下、Δn大于0.35的双环类液晶组分,以使快速响应向列相液晶材料满足室温工作的要求。本文合成了异硫氰基含氟二苯乙炔类液晶化合物;一方面由于在分子苯环侧位引入F原子,减小分子间作用力,使化合物的熔点下降;另一方面在两个苯环间引入三键、分子末端接入异硫氰基极性基团,增加了分子的共轭性,提高了目标化合物的Δn值。获得了熔点分别为31℃和50℃、Δn为0.39和0.40,这两种低熔点化合物与目前已具有的毫秒级快速响应向列相液晶化合物混合,可使其熔点低至10℃以下。     

Li2O-ZnO-SiO2系结晶型低熔点封接玻璃的研究

研制了一种用于与软质玻璃和金属合金封接、以Li2O-ZnO-SiO2为基础的三元系结晶性低熔点玻璃焊料.通过不同的热处理制度以及DSC,纽扣试验等分析手段,对该体系焊料玻璃进行了研究.结果表明,玻璃焊料在600～640℃的流散性良好,能与金属合金、平板玻璃封接.同时探讨了封接温度、封接时间、金属合金预处理的程度以及保护气氛等工艺参数对封接质量的影响.     

电沉积La－Fe－Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ３＋的含量应运高于Ｆｅ２＋及Ｃｏ２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％～３０％。     

低K材料在半导体集成电路中的应用与展望

在超大规模集成电路工艺中，有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互连线路间使用的主要绝缘材料，金属铝则是芯片中电路互连导线的主要材料。然而，相对于元件的微型化及集成度的增加，电路中导体连线数目不断的增多，使得导体连线架构中的电阻（R）及电容（C）所产生的寄生效应，造成了严重的传输延迟（RC delay），在130纳米及更先进的技术中成为电路中讯号传输速度受限的主要因素。     

微量Co对第二代低银SAC焊料合金改性机理研究

目前电子制造业界把低成本的低Ag无铅焊料合金定义为第二代无铅焊料合金。在目前已公开的第二代无铅低Ag焊料合金类型中,又以掺入微量Co改性的应用性能和可靠性表现最优秀而受到了关注。重点对该类型焊料合金掺Co改性的机理展开了研究试验。在研究试验结论的基础上,分析了其推广应用的良好前景。     

TeO_2添加对Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO低熔点玻璃结构与性能的影响

通过高温熔融法制备以Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO为基体,外加TeO_2为辅助原料的低熔点玻璃。分别采用水淬和浇铸成型工艺制备样品,采用Fourier红外光谱、X射线衍射仪、差示扫描量热仪、高温热膨胀分析仪和块体失重法,研究了不同含量TeO_2对Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO基础玻璃的网络结构、特征温度(包括转变温度、软化温度、析晶温度和熔融温度)、热膨胀系数和化学稳定性的影响。结果表明:TeO_2摩尔分数在0~10%的范围内,基本未改变玻璃的整体网络结构;随着TeO_2含量增加,玻璃特征温度和化学稳定性均有改善。     

低熔点和高熔点型无铅焊膏的开发

概述了低熔点和高熔点型无铅焊膏的开发动向。     

Ti-Ni合金选区激光熔化快速成型基础实验研究

选区激光熔化（SLM）是一种极具挑战力的新型快速成型技术，能一步加工出具有冶金结合，相对密度接近100%，具有复杂结构、高的尺寸精度及好的表面粗糙度的金属零件。选用适用于医学植入体的Ti-Ni合金材料进行了选区激光熔化成型实验研究。讨论了扫描速度、铺粉厚度、激光功率等加工参数对成型致密性及成型精度的影响。设计和成型了梯度网格结构，重点分析了翘曲变形现象的成因及消除方法，认为可通过特殊的扫描策略，减小成型件各处温差的方法有效消除成型件的翘曲变形。对成型样品的内部组织显微分析表明，成型样品达到了完全的冶金结合，内部由枝晶和等轴晶两种组织构成，其分布取决于扫描方式、扫描速度、激光功率等参数。     

Self-Deposition of 2D Molybdenum Sulfides on Liquid Metals

2D transition metal dichalcogenides (TMDs) play increasingly significant roles in research and future optoelectronics. However, the large-scale deposition of 2D TMDs remains challenging due to sparse nucleation and substrate dependency. Liquid metals can offer effective solutions to meet these challenges due to their reactive, non-polarized, and templating properties. Here, self-deposition of 2D molybdenum sulfide is shown by introducing a molybdenum precursor onto the surface of a eutectic alloy of gallium and indium (EGaIn). EGaIn serves as an ultra-smooth template and reducing agent for the precursor to form large-scale planar molybdenum sulfides, which is transferrable to any substrate. The molybdenum sulfides form spontaneously on the surface of EGaIn, which has a sufficient potential to drive the cathodic reactions of the deposition process. A highly crystalline 2H-MoS₂ is obtained after a final annealing step. This work demonstrates a fundamentally new capability for the formation of large-scale 2D TMDs.     

真空开关管用合金钎料与CuCr触头材料的焊接性能研究

用不同牌号的合金钎料和不同的真空钎焊工艺,将不同组分的触头材料和无氧铜零件钎焊成组件.在宏观和微观的条件下,了解钎料的润湿性,测量组件的抗拉强度,分析合金钎料的钎焊特性.     

低电阻率高居里点PTCR材料的研究

为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究。当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获得了居里点tC为150℃、ρv为4.7?.cm、升阻比lg(ρmax/ρmin)为3.3的PTC材料。通过电性能测试、SEM显微结构分析和复阻抗测试,探讨了作用机理。     

阴极界面的双电层对液体钽电容器电性能影响的研究

研究了两种去极化剂对液体钽电容器的阴极界面双电层及电容器性能的影响。实验表明在低压与高压液体钽电容器电解液中添加CuSO4.5H2O与VOSO4可以获得较好的电性能。     

电应力对GaAlAs红外发光二极管低频噪声的影响

在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管（IRED）的低频噪声,发现应力前后1／f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,但应力后1／f噪声幅值比应力前增加大约i00倍。基于载流子数和迁移率涨落的理论分析表明,GaAlAs IRED的1／f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1／f噪声的增加归因于电应力在器件有源区诱生的界面陷阱和表面陷阱,因而,1／f噪声可以用来探测电应力对该类器件有源区的潜在损伤。     

Bi_2O_3掺杂0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的低温烧结特性研究

采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌,并优化电学性能。当Bi_2O_3的质量分数为1.0%时,0.35PNN-(0.60-w%)PZT+0.05V_2O_5+w%Bi_2O_3实现900℃烧结,表现出优异的电学性能:压电常数d33=580pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电常数εr=6 100,介电损耗tanδ=0.006 1,品质因数Qm=65。     

合金点导致的双极产品低良失效及改善方法研究

双极产品具有较多的优点,在很多领域都有广泛的应用.为提高电流的性能,需要在集电极下制作隐埋层,由隐埋层工艺异常导致的双极产品失效问题时有发生.详细介绍了双极产品发生低良失效问题,经过失效分析发现失效由锑源MCD涂布过程中产生的合金点导致,从失效机理进行了解释,经过工艺优化,减少了合金点的发生,为提高产品的良率提供了保证.