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卫星影像"邻近效应"PSF校正方法 总被引:3,自引:0,他引:3
将传感器接收到的信号TOAS(the top of the atmosphere signals)转换成反映地表目标特性的反射信号是遥感信息定量化的关键环节之一.在假定大气干扰已经被排除的条件下,由于像元之间"邻近效应"的存在,被观测目标像元的反射信号(DN值中)包含了背景地物像元散射的贡献.这种贡献的大小与背景像元的反射率值大小成正比,同时与距离目标像元的远近相关.据Carder(1995),Christopher(1998)等的研究结果,当空间分辨率大于250 m时,"邻近效应"的影响作用超过混合像元影响作用.随着卫星遥感空间分辨率和应用遥感信息定量化程度要求的提高,"邻近效应"及其校正已经开始受到遥感界的重视.近来,我们在国家自然科学基金的支持下,开展这方面的工作.介绍了我们选择北京地区Landsat5 TM数据为例,利用辐射传输模型原理,对影像中存在的"邻近效应"进行了分析和校正,试图理解"邻近效应"的一般影响特征. 相似文献
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为了更精确地确定邻近效应参数,借助优化的电子散射模型,利用改进的Monte Carlo算法模拟了电子束在固体中的散射过程,得到了不同曝光条件下抗蚀剂中的能量沉积分布。利用最小二乘非线性曲线拟合法对该分布进行了双高斯拟合,得到了邻近效应参数α,β和η的值,并与实验结果进行了比较发现,最小二乘非线性曲线拟合法可以用于邻近效应参数的确定。对不同曝光条件的参数拟合显示,增加入射电子束能量,α减小,β增大,而η几乎不变;增加抗蚀剂厚度,α增大,β和η变化不明显;增大衬底材料原子序数,β减小,η增大,而α几乎不变。所得结果不但能为电子束曝光条件的优化、邻近效应的降低提供理论指导,而且还能为邻近效应校正快速地提供精确的参数。 相似文献
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随着超大规模集成电路 (VLSI)图形密度的增大 ,邻近效应已成为光学光刻的关键问题之一。通常在平整硅片上对 0 5 μm图形采用 0 5 4NA和传统的单层i线抗蚀工艺时 ,密集图形和孤立图形间的线宽差异大约为 0 0 8μm。然而 ,这一线宽差异已严重地影响了实际生产的工艺稳定性。阐述了邻近效应对图形尺寸、线条与间隙占空比、衬底膜种类、曝光过程的散焦效应、与抗蚀剂厚度变化有关的抗蚀工艺条件和显影时间的依赖性。同时 ,采用 2种不同抗蚀剂实验监测了不同潜像对比度引起的关键尺寸 (CD)偏差。为减小实际图形因抗蚀剂厚度变化引起的CD差异 ,获得最佳抗蚀剂厚度 ,进行了一种模拟研究。 相似文献
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在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。 相似文献
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叙述了一种根据空间像匹配原理,进行光学邻近效应校正(OPC)的实用方法。此方法采用了三种超高分辨率图形技术:散射条,抗散射条和修饰图形。通过利用顶角“图形工具”,实现了超大规模微处理机随机逻辑芯片的全芯片光学邻近效应校正处理。此方法不仅对于控制疏密线条图形的CD尺寸有效,而且当与四极离轴照明方法结合使用时,对于提高所有图形的焦深也有明显的效果。在用i线技术制作一块1250万个晶体管芯片时,利用此OPC方法进行所有关键掩模层图形的加工十分有效。业已生产了200多块全芯片OPC掩模,用于领先的电路制造。 相似文献
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硬件数字乘法器是一个高速数字信号处理系统的关键部件.目前在美国和日本已经研制出单片的16×16位数字乘法器超大规模集成电路.国内实现乘法器的最常用方案,是用Texas公司74系列的4×4基本乘法单元电路74LS274和华莱士树位片电路74LS275,按华莱士树结构叠接而成.采用这种方案的16×16位2的补码乘法器需要六、七十片中规模TTL集成电路,其中包括16片4×4基本乘法单元电路.这种乘法器的规模还是相当大的,不可能被广泛应用.本文将提出一种新颖的乘法器硬件结构,这种 相似文献
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本文利用双高斯形式的邻近函数来表达电子束在抗蚀剂中能量的分布,并以邻近函数为基础计算一些简单图形在曝光时所需的尺寸改变量.通过与实验的比较来说明该方法的可靠性,并对所得结果进行讨论和分析. 相似文献