温度循环对半导体集成电路气密性的影响

研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响，阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素；提出了一种摸底试验的方法；对5种集成电路管壳进行了温度循环试验，并对试验结果进行了分析。就试验的几种外壳来看，至少可以经受1000次温度循环，其气密性仍然满足要求。     

集成电路抗腐蚀能力的研究

首先介绍了塑封电路、玻璃封装电路和陶封电路的构成材料，然后分别选取这3种电路的若干只样品，按几种试验条件进行了盐雾试验，针对试验后在电路上出现的腐蚀现象进行了理论分析，最后总结了3种电路各自的抗腐蚀能力。     

简析水下光纤连接器水密检验方法

针对目前水下光纤连接器与接头盒系列水密试验方法，提出一种简单的检验方法。对于较短时间水密试验的检验，这种方法更能反映实际性能指标，为相关水密试验检验提供了一种思路。     

PCB、CCL热应力试验方法的选择和砂浴法

文章介绍了PCB、CCL热应力试验的4种常见方法，结合作者长期工作经验，比较了各种试验方法的优劣，主要介绍了砂浴法热应力试验，提出了自己的观点。     

均匀设计法在工作电解液配方试验中的应用

均匀设计是一种全新的试验设计方法，特别适合多因素、多水平的试验。详细论述了均匀设计法在配制高压１０５℃工作电解液上的具体应用。结果表明，均匀设计显著减少了试验工作量，克服了配方试验的盲目性，提高了试验效率     

Au／AuGeNi／n—GaAs欧姆接触失效机理的研究

对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ）。（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效，ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。     

Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究

对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ、Ａｎ和ＧａＡｓ的互扩散。     

提高功率管稳态工作寿命试验可信度的技术措施

提出了一种提高功率晶体管稳态工作寿命试验可信度的技术措施，利用这一技术措施，可以在试验过程中实时测量并严格控制晶体管的结 达到最高允许结温，从而提高了试验的可信度。     

一种新体制的高分辨成像雷达试验研究

介绍了一种新体制宽带高分辨成像雷达一多部宽带高功率行波管子阵馈电、延时ISAR试验系统，重点介绍了系统设计特点，试验原理、方法、给出外场试验结果。分析了宽带信号时频转换处理法、I、Q通道1 GHz采样匹配滤波法系统失真补偿。经过外场试验，两种方法均能实现距离分辨优于0．3m，可给出较为满意的民航飞机二维像。     

Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究

本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。     

压电双晶片动态机电耦合特性分析

基于压电双晶片本构方程，采用机电耦合系数的一种新的“更为合理的定义方法，分析了动态情况下悬臂梁式双晶片执行器或换能器的机电耦合特性，仿真了分析了机电耦合特性与器件材料，几何尺寸以及信号频率之间的关系，结果表明，机电耦合系数随双晶片几何尺寸及信号频率起伏变化，起伏幅度随信号频率的增大而减小，随双晶片长度厚度比的增大而减小。     

“计算机组成原理”设计性实践教学模式研究

本文阐述了"计算机组成原理"设计性实验教学的重要性,对设计性实验教学的目的和基本特征进行了归纳,对"计算机组成原理"设计性实验教学的现状进行了调查,对存在的问题进行了较深入的分析;在此基础上.对组成原理设计性实验的教学模式进行了研究,对设计性实验的体系进行了初步设计,并对"计算机组成原理"设计性实验的实施方法进行了探讨.     

物联网终端评测体系发展研究

针对物联网(internet of things,IoT)技术大规模商用,现有终端评测体系无法满足海量、多种类、多形态的物联网终端评测新需求的问题,开展面向物联网终端的评测体系发展研究,从基础性、应用性、安全性3个维度并结合测试手段的发展趋势,提出物联网终端评测体系方法,以促进物联网终端质量提升,保障终端和网络良好的互通性,提升端到端业务质量。     

Pspice在自制实验设备中的应用

用OrCAD Pspicev9电路仿真软件对三相电压电流实验中的各元件参数进行全面的扫描分析。根据这些扫描曲线,从理论和实验的角度,给出了元件的最佳选取范围。据此制作的交流实验负载箱可以完成并联谐振、三相电路中电压、电流以及功率等参数的测量,具有实用、操作方便、安全、节能等特点,对于实验教学水平的提高十分有益,在教学实际应用中受到师生的好评。     

多晶硅片少子寿命的影响因素研究与分析

为了提高多晶硅片的转换效率,提高多晶硅片少子寿命是一个重要的方法和途径,然而在生产过程中影响多晶硅片少子寿命的因素有很多,主要有杂质含量,硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等。通过对分凝原理的研究,利用微波光电导测试原理对多晶硅锭少子寿命的分布做了分析,并对硅片厚度及晶粒尺寸进行研究,经过研究发现,多晶硅片少子寿命主要受原料金属杂质含量的大小,硅片厚度及晶粒尺寸均匀性等因素的影响。     

雷达数据处理算法的仿真研究

文中介绍了一种雷达数据处理的算法。首先简要介绍了雷达数据处理系统的工作原理和流程,然后重点研究了雷达数据处理的关键算法的原理和公式,建立起系统模型,最后,针对雷达数据处理算法进行了仿真结果并对结果进行了分析。     

离子注入铌酸锂平面波导双折射特性的研究

为了获得折射率信息,采用UT00-FPD型椭偏仪对5mm×10mm×1mm铌酸锂晶体及注入镓的铌酸锂晶体波导的双折射特性进行了测量.首先对铌酸锂晶体测量结果进行建模及数据处理,得到晶体在190nm～1700nm之间的双折射特性;在此模型的基础上,进一步对注入镓的铌酸锂晶体波导进行了建模和数据处理,得到了波导层的双折射率的分布.所得表征结果为铌酸锂晶体波导在光子器件中的应用提供了有用的信息.     

FDTD编程模拟光波导光场分布的数值不对称的校正方法

以条形光波导为例,研究了用时域有限差分(FDTD)法编程模拟波导光场分布时的数值不对称性,及其对模拟计算造成的影响,提出了两种合理的解决方法,成功消除了数值不对称现象对正常模拟的干扰,通过在波导光场FDTD模拟中的实际应用,分析了每种方法的特点及欠缺,分别论证了它们在数值模拟中的应用价值,并阐明这两种方法对于任意形状光波导光场的FDTD模拟是普遍适用的。     

Terminology of carcinogenesis in light of the current concepts of the mechanisms of action of chemical carcinogens

The approaches to prepare a uniform and unified scientific terminology of chemical carcinogenesis are presented. The main definitions proposed (carcinogen, initiation, promotion, mutagen, multistage carcinogenesis, anti-carcinogen, cocarcinogen, carcinogenic risk, etc.) are based on the current state of comprehending mechanisms of the action of chemical carcinogens.