真空感应熔炼法制备CuCr25合金

本文采用真空感应熔炼法制备CuCr2 5W1Ni2合金 ,研究了不同成分 (2 5 %Cu及 75 %Cu)和Cr晶粒尺寸对物理性能和击穿电压的影响 ,讨论了合金元素和微观结构对CuCr2 5W1Ni2合金电击穿性能的影响。研究结果表明 ,W粉能够显著细化Cr相 ,同时对Cr相进行了强化 ;在电击穿后 ,熔层中极细的W粉能起到非自发形核核心的作用 ,CuCr2 5W1Ni2的熔层表面更加扁平 ;另一方面 ,Ni能够促进Cu、Cr的互溶 ,使合金整体得以强化。这两种元素均能显著提高合金的耐电压强度。     

真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

合金元素对CuCr触头材料不同温度下真空耐电压强度的影响

研究了合金元素W、Co对真空中CuCr触头材料在不同温度下的真空耐电压强度的影响。研究结果表明,高温时CuCr材料的耐电压能力比室温耐电压能力有所降低,合金元素W、Co通过弥散强化、固溶强化和增大了CuCr的表面张力而提高了CuCr材料室温及高温时的耐电压能力。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提     

时效处理对挤压CuCr25合金显微硬度及电导率的影响

为了进一步提高CuCr合金的使用性能,笔者研究了挤压变形CuCr25合金的显微组织变化以及不同的时效温度和时效时间条件下CuCr25合金显微硬度和电导率的变化规律。结果表明:挤压变形后合金的显微组织均匀,晶粒大大细化;CuCr25合金挤压后经过950℃×1h固溶,在450℃时效2h可获得较好的综合性能,显微硬度可达到156HV,较铸态提高了68%,电导率可达24mS/m,较铸态提高了14%。     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

冷却速度对真空电弧熔炼CuCr25合金组织及性能的影响

采用真空电弧熔炼法制备CuCr25合金,随合金凝固时的冷却速度不同,合金的组织将发生很大变化,而不同组织对合金的性能特别是电击穿性能将产生不同的影响,必须选用一种最合适的冷却方式对熔炼后的合金进行冷却凝固.通过对不同冷却方式下合金的组织变化及其对耐电压强度影响的研究,确定水冷凝固法作为真空电弧熔炼CuCr25合金的主要冷却方式.     

影响CuCr系触头材料性能的因素

从杂质，组元，制备工艺和热处理等四个方面，较为详细地综述了影响CuCr系触头材料性能的因素，提出了几点关于CuCr触头材料今后使用和制造的看法。     

CuCr触头合金热扩散率的实验研究

用激光脉冲法测试了不同晶粒尺寸的CuCr合金和纯Cr样品的热扩散率 ,结果表明 ,高能球磨及真空热压方法制备的纳米晶材料的热扩散率较常规粗晶材料显著降低     

脉冲密度调制串联谐振型塑料薄膜表面处理电源的研制

该文介绍了一种采用脉冲密度调制（PDM）控制策略的串联谐振型塑料薄膜表面处理电源的研制。PDM控制策略的采用可以确保电源工作于定频和定压，并且可以方便地实现开关管的软化。除满功率情况外，开关管的平均开关频率都低于谐振频率，降低了开关损耗。给出的仿真和实验结果验证了这种脉冲密度调制策略的有效性。     

多断口真空开关的动态介质恢复及统计特性分析

从双断口真空开关的等值模型出发，分析了双断口真空开关的动态介质恢复过程，说明只要恢复电压的峰值和上升速度低于某一极限值，整个双断口真空开关并不会因为一个灭弧室发生重击穿而导致开断失败，在此基础上，理论推导得到双断口及多断口真空开关的击穿电压最大可能增长倍数Kn,同时引入“击穿弱点”概念和概念统计方法，分析建立了双断口及多断口真空开关的静态击穿统计分布模型和弧后重击穿统计分布模型，它们可以用来有力解释双断口及多断口真空开关与单断口真空开关相比开断能力有显著提高的机理，最后对电场应力x的物理意义进行了讨论，说明x实质上代表的是微粒引导真空间隙击穿所需的能量。