Ni65Co35薄膜各向异性磁电阻性能的研究

选用Ｎｉ６５Ｃｏ３５合金靶材，利用射频磁控溅射的方法成膜，采用四控针法测量磁电阻率，分别研究了溅射工艺参数（工艺气压、偏压、功率、基片温度等）对薄膜电阻性能的影响，并对影响的机理作了理论上的分析；另外还对Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜的热处理动力学进行了研究，求取了激活能。研究结果表明，溅射工艺参数对Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜的电阻力有较大的影响，适当的溅射参数能有效地提高磁电阻率；Ｎｉ６５Ｃｏ３５薄膜退火处理后     

SmTbCo/Cr薄膜的磁特性与温度特性研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜,对薄膜的磁特性与温度特性进行了研究.薄膜组分为(Sm0.286Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度为330kA/m,矫顽力为398kA/m,薄膜的磁各向异性能值高达415kJ/m3;该种薄膜的居里温度在220℃左右,补偿温度在室...     

高矫顽力SmCo（Al，Si）／Cr薄膜的研究

通过对磁控溅射条件的优化,制备出了较理想的SmCo(Al,Si）/Cr硬盘磁记录介质,退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出,在Sm含量（摩尔分数）为31.6%,Cr缓冲层为66nm,Sm(Co,Al,Si）5磁性层为30nm的条件下,制得的Sm（Co,Al,Si）5/Cr薄膜的矫顽力Hc为187.8kA/m,剩磁比S=Mr/Ms≈0.94。在500℃退火25min后,矫顽力Hc达到1042.5kA/m,剩磁比S≈0.92。     

波导隔离器用Ce：YIG磁光薄膜的制备

波导隔离器用Ｃｅ：ＹＩＧ磁光薄膜可由溅射外延或溅射沉积后热处理结晶化两种方法制备。控计了制备过程中不同工艺条件对薄膜结晶性能及磁光特性的影响．     

NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR),利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,当基片温度为450℃时,通过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到5.01%,比无NiO插层时提高了40%。     

NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fe19)1-xNbx(t)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用原子力显微镜(AFM)分析样品表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构。结果表明,(Ni81Fe19)0.807Nb0.193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe19厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4nm时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。     

斜桥变电所铁磁谐振过电压的仿真研究

为提高嘉兴电力局配电网面对铁磁谐振过电压的安全性,以斜桥变电所10kV配电网为模型,利用EMTP程序仿真分析了在TV高压侧中性点接非线性电阻、串单相TV(4TV方式)及TV开口三角绕组接阻尼电阻或分频消谐装置等多种消谐措施。结果表明非线性电阻能保持相电压稳定及抑制涌流,正温度系数热敏电阻和3次谐波滤波器可较好解决零序电压的偏高;4TV方式一次侧电流和零序电流过大等问题。还分析了分频消谐装置在实际运行中不能很好消谐的原因。仿真分析结果对提高配电网的供电安全可靠性具有很好的实用价值。     

Co掺杂对纳米TiO_2薄膜磁电阻特性的影响

为了研究复合纳米TiO_2材料的磁电阻特性,通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了Co掺杂TiO_2薄膜样品。利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜观测薄膜样品的微结构特征,利用振动样品磁强计和多功能物理性质测量系统测试样品的磁特性和磁电阻。结果表明,Co掺杂量对TiO_2薄膜的磁电阻特性有重要影响:磁性金属含量较高的薄膜样品出现较大的磁电阻,磁电阻峰值为-14%,峰值温度为250K;磁性金属含量较低薄膜样品具有较小的磁电阻值;由于Co掺杂影响了薄膜的微结构和导电性,导致出现了特殊的磁电阻效应。     

热应力对FeCo薄膜磁晶各向异性能的影响

采用磁控溅射的方法在300℃下,分别在热膨胀系数相差较大的玻璃和NaCl单晶基片上沉积了Cr_(90)Ru_(10)(002)/Rh(002)/Fe_(40)Co_(60)(002)/Rh多层膜,以研究热应力对FeCo薄膜的磁晶各向异性能的影响。对样品进行X射线衍射(XRD)分析,研究了薄膜的外延生长关系。通过计算样品磁滞回线的面积得到了样品的磁晶各向异性能。实验结果表明,沉积在NaCl基片上的FeCo薄膜的厚度在1 nm、2 nm时磁晶各向异性能的值高达1.2×10~7 erg/cm~3,较大热应力的引入对于提高磁晶各向异性能有显著的效果。     

微型薄膜磁阻传感元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构研究

应用Ｂｉｔｔｅｒ粉纹技术观察和分析了微型磁阻传感元件在磁化和反磁化中磁畴结构变化的全过程，研究表明和元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃密切相关的是反磁化非一致转运过程中发生的畴壁合并和畴壁极性转变这两个不可逆因素，观察到传感器在和引线联结处的钩状畴也参与了这种不可逆转变，这是一个值得注意的实验事实。     

永磁薄膜的研究现状

永磁薄膜是未来微波或光隔离器和环行器,以及微马达中必不可少的材料。介绍了近二十年来单（硬磁）相永磁薄膜的研究进展,以及在某些微型器件上的应用,并对永磁薄膜的研究作了展望。     

薄膜磁阻效应自动测试方法的研究

介绍了磁性薄膜磁阻效应自动测试方法，实验中采用单片机８０３１来模拟三角波输出而产生超低频扫场电源，用平面直列式四探针测量磁阻，测试数据通过Ｘ－Ｙ记录仪记录下来，从而对薄膜的磁阻效应实现自动测试。     

不锈钢双极板表面电弧离子镀Cr/CrN/Cr薄膜研究

用电弧离子镀方法,在质子交换膜燃料电池用不锈钢双极板试样表面沉积三明治结构的Cr/CrN/Cr多层薄膜,对双极板与碳纸的接触电阻和在模拟腐蚀液中的电化学腐蚀性能等进行了测试.结果表明,镀膜处理使不锈钢表面性能有明显改善,与原始不锈钢相比,其接触电阻降低了一个数量级;同时,电化学耐腐蚀性能也得到显著提高.分析表明,这与薄膜表面平整、致密且膜基结合力强,以及薄膜的Cr/CrN/Cr多层结构的复合作用有关.     

基片温度对Ni81Fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。     

SmDyCo薄膜的磁特性及微磁模拟研究

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了SmDyCo薄膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,SmDyCo薄膜垂直膜面方向矫顽力为353kA/m,矩形比为0.88;而平行膜面方向的矫顽力为10kA/m,矩形比为0.093,这表明SmDyCo薄膜具有垂直磁各向异性.对SmDyCo薄膜的微磁模拟结果与实验结果基本吻合.通过对SmDyCo磁性薄膜在外场下动态磁化过程的计算,发现薄膜的磁矩并不是从一个方向到另一个方向的直接转动过程,而是一种阻尼进动过程.薄膜磁矩转动过程瞬态图像也证实了这种现象.     

MATLAB在磁光记录薄膜温度特性研究中的应用

简要介绍了MATLAB软件及其主要特点,讨论了磁性材料的温度特性及其测量方法,重点分析了MATLAB在磁光记录薄膜温度特性研究中的应用：通过插值方法用已知实验数据点估算新的数据点,应用MATLAB数学函数求解磁光记录薄膜各功能层的居里温度。本文的具体实例表明,在磁学研究中使用MATLAB可以提高实验效率。     

Y_2O_3插层对Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响

以Y_2O_3作为Ni_(81)Fe_(19)薄膜的氧化插层,利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni_(81)Fe_(19)薄膜样品Ta(4nm)/Y_2O_3(t)/Ni_(81)Fe_(19)(20nm)/Y2O3(t)/Ta(3nm),利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻(AMR),用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线,利用X射线衍射仪(XRD)分析样品薄膜结构,研究了Y_2O_3插层厚度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明,在基片温度为450℃时,Ni_(81)Fe_(19)薄膜AMR值随插层厚度增加先增后减,在插层厚度为2.5nm时样品具有最大AMR,其值为4.61%,比无插层样品的2.69%提高了71.3%。     

磁光记录薄膜的偏振特性分析

光线入射至磁光记录薄膜表面时，由于其入射角和方位角不同，导致磁光薄膜的偏振特性有较大变化本文运用电磁场理论，对磁光记录薄膜偏振特性随入射角和方位角变化进行了分析。     

聚酰亚胺薄膜／玻璃布复合物的研究

聚酰亚胺薄膜是一种性能优良的绝缘材料,通常被用作电机槽绝缘,本文所报导的聚酰亚胺薄膜／玻璃布复合材料具有与聚酰亚胺薄膜相同的热稳定性,且拉伸强度优于聚酰亚胺薄膜,文中着重讨论了复合材料中玻璃布的影响。