La2O3的掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响

采用传统固相法制备稀土氧化物La2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明,随着La2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增,非线性系数先增加后减小,而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。综合衡量ZnO压敏电阻的各项性能指标发现,在1 000 ℃烧结温度下,La2O3的质量分数为0.25%时,ZnO压敏电阻的综合性能最好,其电位梯度为532.2 V/mm,非线性系数为41.6,漏电流为3.3 μA。     

乙醇基溶胶 凝胶法制备BNKLT无铅压电薄膜

以乙醇作溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,利用溶胶 凝胶法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)无铅压电薄膜。通过红外光谱(IR)、同步热分析仪(TG DSC)、X线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等分析了乙醇基溶胶 凝胶法制备BNKLT压电薄膜的工艺参数。结果表明,乙酰丙酮与Ti(OC4H9)4的物质的量比(N)≥1.0时,反应温度40~60 ℃,pH=2.0~2.5,能获得稳定性良好的乙醇基溶胶;采用旋涂法制备的湿膜在600 ℃热处理30 min后,可得表面光亮平整,厚度均一,致密性良好,单一钙钛矿结构的BNKLT无铅压电薄膜。     

PEALD制备的Al2O3薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能

对采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)法制备的Al2O3薄膜在n型单晶硅隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池正表面的钝化性能进行了研究.采用少数载流子寿命、X射线电子能谱(XPS)及J-V特性的测试分析,重点研究了 Al2O3沉积温度、薄膜厚度及薄膜形成后不同退火条件对钝化性能的影响,实现了低表面复合速率、良好钝化效果的产业化制备的Al2O3薄膜工艺.研究结果表明,在沉积温度为150℃、膜厚为5 nm、退火温度为450℃时,测试计算得出薄膜中O和Al的原子数之比为2.08,电池发射极正表面复合速率较低,达到了Al2O3钝化的最优效果,并且分析了 Al2O3薄膜的化学态和形成机理.利用其Al2O3薄膜工艺制备的n型单晶硅TOPCon太阳电池开路电压提升了 8 mV,电池的平均光电转换效率达到了 23.30％.     

BNT KBT BT薄膜的制备及外场下电畴翻转

采用金属有机物热分解法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备了085(Bi05Na05)TiO3 010(K05Bi05)TiO3 005BaTiO3(85BNT 10KBT 5BT)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描探针显微镜（SEM）、压电力显微镜(PFM)等对薄膜的结构和外场下的电畴演变进行了表征及研究。结果表明,该薄膜微观结构主要由钙钛矿相和少量的焦绿石相组成,表面无明显裂纹和孔洞,其最大压电系数d33=150 pm/V;通过PFM观察到在电场作用下,其电畴可实现180°翻转,在力场作用下其电畴可实现90°翻转,并结合微观结构对电畴在外场下的演变机理进行了研究。该研究为铁电薄膜在MEMS中的应用提供了参考。     

溶胶 凝胶法制备Sr2+取代Co2Z及性能研究

为了制备性能优良的Sr2+掺杂的Co2Z型六角钡铁氧体（Ba1.5Sr1.5Co2Fe24O41）,利用溶胶 凝胶自蔓延法,通过改变烧结温度制备了Co2Z钡铁氧体粉末,对其相成分、微观形貌和磁性能进行了研究。结果表明,采用溶胶 凝胶自蔓延法在1 200 ℃烧结时可制备较纯的Co2Z相,此时材料杂相最少,晶粒生长均匀,结构致密,起始磁导率为3.3,截止频率大于1.8 GHz,品质因数Q在1 GHz时为3.6。     

沉积功率和退火工艺对PE-ALD氧化铝薄膜的影响

Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装.除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果.采用自制等离子增强原子层沉积(PE-ALD)系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率和退火参数对Al2O3薄膜微观形貌和性能的影响.结果表明,Al2O3薄膜的生长速率和折射率随沉积功率的增加分别呈现先增加后下降和不断增加的趋势,当沉积功率为1 800 W时,薄膜的线性生长速率达到0.27 nm/cycle,远高于传统热原子层沉积技术的沉积速率.退火处理不会改变Al2O3薄膜晶态,但改善了薄膜的表面粗糙度,降低了接触角和有机基团红外强度.得到了最佳的PE-ALD薄膜制备工艺条件,实现了对有机发光二极管器件的有效封装.     

衬底温度对硒碲铅薄膜结构及红外光学性能的影响

使用Bridgman法生长的PbTe0.92Se0.08材料在硅衬底上沉积硒碲铅薄膜,采用X射线衍射(XRD)、电子扫描显微术(SEM)、能量散射X射线分析(EDAX)对薄膜的结构、表面形貌和化学配比进行了分析.结果表明,沉积的硒碲铅薄膜为多晶结构,具有明显的择优取向,晶粒为矩形.衬底温度对硒碲铅薄膜的红外光学性能有明显的影响,薄膜的折射率在5.2到5.8之间,消光系数均小于0.1,在波长大于6μm的红外光谱范围,一定衬底温度沉积的薄膜消光系数具有10-3量级.研究表明,硒碲铅材料在红外光学薄膜领域具有应用前景.     

原子层沉积LiPON薄膜的表面钝化研究

LiPON是一种重要的固态电解质,然而LiPON薄膜会与空气中的水和CO2发生反应产生Li2CO3,导致器件的电学性能变差.本工作利用X射线光电子能谱研究了通过原子层沉积(ALD)技术生长Al2O3薄膜来钝化LiPON薄膜,并且对比了多种方案:在ALD生长Al2O3薄膜之前对样品表面不做预处理,利用O3作为生长Al2O...     

还原温度对纳米FeCo/Al2O3复合薄膜结构和磁性的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法和H2还原工艺制备了纳米FeCo/Al2O3复合薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜及振动样品磁强计研究了还原温度对薄膜结构、表面形貌和磁性的影响.结果表明,随着还原温度的升高,薄膜中FeCo的晶粒尺寸和晶格常数变大,薄膜的饱和磁化强度(Ms)也同时增大,其矫顽力(Hc)则先增大,后...     

一种小规模超宽带相控阵天线设计

目前基于阵元间强耦合效应已设计出超宽带相控阵天线,但是其规模较大。针对规模小或者在扫描方向上规模小,如何增强阵元间耦合而实现超宽带相控阵天线的问题,采用平衡对踵Vivaldi天线(BAVA)作为天线单元,优化天线单元辐射金属的形状,并采用镜像法布阵天线单元设计出一个小规模4×16的斜极化超宽带相控阵天线。仿真和试验结果表明,采用的方法可以增强小规模超宽带相控阵天线的阵元间耦合效应,实现频率0.8f0~2.0f0驻波比小于2,法向增益达17.34~23.0 dBi,在±45°范围内实现无栅瓣扫描。该小规模超宽带相控阵天线已在实际工程中应用。