压电陶瓷材料对超声马达性能的影响

考察了３种不同性能的压电陶瓷材料,即偏硬性的铌镁－铌锰－锆钛酸铅（ＰＭＭＮ－ＰＺＴ）、软件的铌镁－铌镍－锆钛酸铅（ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ）和性能介于二者之间的经ＭｎＯ２添加改性的ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ对压电马达性能的影响。利用这３种压电陶瓷材料作为一种摇头式压电超声马达的定子换能器,分别考察了它们对转速、力矩输出、效率和定子换能器的频带宽度等性能的影响。作为对比,也考察了研制的压电马达和日本同类压     

Mn1/3Sb2/3对压电陶瓷材料性能的影响

研究了Pb(Mn1/3Sb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)0.16(Zr,Ti)0.84-yO3(系压电陶瓷的主要特性，讨论了（Mn1/3Sb2/3)现代量变化对材料性能的影响。通过测试材料的介电损耗tanδ介电常数ε、机电耦合系数kp和机械品质因数Qm，判断出Mn1/3Sb2/3在PMZN系材料中的最佳取代范围。     

CO_2激光辐照对PZT-4陶瓷压电性能的影响

常温常压下,采用CO2激光辐照带有电极的PZT-4陶瓷片,当激光辐照时间分别为2、5和10 s时,在适当的激光功率密度下可使其压电应变常数d33从380 pC/N下降为零。系统地研究了激光功率密度和激光辐照时间对PZT-4陶瓷压电性能影响的规律。XRD、拉曼光谱和退火实验结果表明:CO2激光辐照使d33下降为零的原因是由于激光热效应导致PZT-4陶瓷的电畴排列失序,极化状态消失;而激光辐照未使其物相发生变化。     

PNW对PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。     

不同铅气氛对PZMN陶瓷压电性能的影响

摘要：采用二次合成法制备了XPMN-(0．2-x)PZN-0．8PZT(x=0．05～0．20)四元系压电陶瓷(PZMN)，系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织，介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛作用机制。实验表明在富铅气氛的作用下，PZMN体系具有较优的性能，尤其是x=0．10时，能获得综合优良的压电性能，相对介电常数ε^T33/εo=1000，介电损耗tanδ-0．0050，机电耦合系数Kp=0．52，品质因数Qm=2528，Tc=325℃，可以满足压电变压器等大功率器件应用方面的要求。     

压电膜叠层对微型压电传声器性能的影响

对比分析了在微型传声器中采用4种不同的叠层方法来提高压电传声器灵敏度的效果。证实了在微型传声器中,采用直接压合或用导电胶粘接多张压电膜串联的叠层方式无效果。采用导电环连接的方式进行微型压电传声器中的叠层,叠层后压电传声器的灵敏度提高约6dB。实验表明,采用薄导电环连接的叠层压电传声器性能比采用厚导电环连接的叠层压电传声器性能更稳定,频响曲线更平整。     

镨掺杂对锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响

用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量，镨含量为3％（摩尔比），制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明：与未掺杂PZT相比，掺镨后的PZT相界发生了移动，即移向了富锆的一端，其在锆钛比约为1.17-1.27之间；居里温度Tc随锆钛比的增加而降低，在本研究的系统内，锆钛比最小和最大时分别为1.04和1.50，其相应的居里温度分别为330℃和278℃；压电系数d33、机电耦合系数kp及介电常数ε/ε0均在1．17处达最大值，d33=420pC/N,k0=0.53;极化前的ε/ε0达1400，极化后ε33^T/ε0达2000；介电损耗tanδ随锆钛比的增加呈上升趋势，而机器品质因数Qm大幅度下降，在锆钛比为1．17处达最小值75。     

BNKT BZN无铅压电陶瓷的制备及电学性能研究

采用传统固相法制备得到(0.8-x) Bi0.5 Na0.5TiO3-0.2Bi0.K0.5TiO3-xBi(Zn2/3 Nb1/3)O3(摩尔分数0≤x≤0.06)(简称(0.8-x)BNT-0.2BKT-xBZN)无铅压电陶瓷.利用XRD、SEM等测试技术表征了该体系陶瓷的晶体结构、表面形貌及介电和压电性能.研究结果表明,所有组分的陶瓷样品均形成典型的钙钛矿结构;同一烧结温度下,随着Bi(Zn2/3 Nb1/3)O3含量的增加,晶粒尺寸增加;在1 180℃烧结温度保温2h的条件下,组成为x=0.02的陶瓷样品经极化后,压电常数d33=48 pC/N,相对介电常数ε33T/ε0=598.9,介电损耗tan δ=0.048 45.     

电极层对压电微悬臂梁动态性能的影响

采用解析方法就电极层对压电微悬臂梁动态性能的影响进行了研究,并得出结论:当弹性层、压电层与电极层的厚度比值较大时,可忽略电极层对压电悬臂梁横向位移及谐振频率的影响。当各层的厚度都在微纳米量级时,电极层的影响不容忽视;同时,微纳尺度下该解析方法的适用性还有待进一步研究。这些对微纳尺度下压电悬臂梁的设计及应用都有一定的指导作用。     

PMSZT压电陶瓷的镍掺杂改性研究

探讨了Ni2O3掺杂对Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响。结果发现,合成温度900℃时可以得到钙钛矿结构。随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动,且居里温度增加。掺杂w(Ni2O3)=0.05%时,rε、d33、kp和Qm达到最佳值:rε=1 780、tanδ=0.003 5、d33=375 pC/N、kp=0.665、Qm=2 580。谐振频率变化率随温度变化由正到负。体系适于大功率陶瓷材料的应用。     

银掺杂对低温烧结四元系陶瓷压电性能的影响

研究了微量银掺杂对多层压电陶瓷器件中使用的高性能低温烧结PMN－PNN－PZT（PMNNZT）基陶瓷压电性能的影响。结果表明：在烧结后没有产生明显的新相，少量银掺杂促进了陶瓷的烧结，增强了PMNNZT陶瓷的铁电性。对其压电性能的影响比较显著，具体表现为：微量的银掺杂增强了压电性能，但更多的银掺杂恶化了陶瓷的压电性能。该文解释为银掺杂影响了压电陶瓷材料的应变性能，从而进一步影响了压电性能。     

PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究

采用二次合成工艺得到了PSN—PZN—PMS—PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明：组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上，分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明，在合成温度为860℃时可得到钙钛矿结构。烧结温度1260℃保温3h条件下，得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为：ε33^T/ε0=1390，tanδ=0．32％，d33=303pC／N，kp=55．1％，Qm=1180。定量Sr^2＋、Ba^2＋的加入使相界向富锆方向移动，性能参数为，ε33^T/ε0=1162，tanδ=0．30％，d33=307pC／N，kp=56．8％，Qm=1230。     

NBT-KBT-NN无铅压电陶瓷性能研究

采用传统陶瓷的制备方法,制备出(1-x)Na0.44K0.06Bi0.5TiO3-xNaNbO3(x=0~0.10)的无铅压电陶瓷。X-射线衍射(XRD)分析表明,所研究的组成均形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体,其晶体结构则随NaNbO3含量的增加由三方转变为假立方结构,并最终转变为立方结构。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料为弛豫型铁电体,随着NaNbO3的增加,材料的弛豫性增强;采用改进的居里-外斯定理可较好地描述材料的介电常数-温度关系。测试了不同组成陶瓷的压电性能,当NaNbO5含量为0.08 mol时,陶瓷的压电常数d33和平面机电耦合系数kp比基础组成略有下降,但其介电常数3Tε3/0ε和介质损耗tanδ则有较大程度的增加。     

KNN-BT-BZ-CT基无铅压电陶瓷的性能研究

采用两步烧结法制备了(0.91-x)K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-0.03BaTiO_3-0.06BaZrO_3-xCaTiO_3[KNN-BT-BZCT]基无铅压电陶瓷,探究了在不同CaTiO_3(CT)含量下,KNN基压电陶瓷相结构变化以及对压电性能的影响。结果表明,x<0.02时,陶瓷物相出现菱方-正交双相共存。随着CT含量的增加,陶瓷晶粒尺寸先减小后增大,且其居里温度(TC)和四方-正交(TO-T)转变温度随之逐渐降低。当x=0.01时,在室温下陶瓷出现菱方-正交准同型相界,其压电常数d33=224pC/N和机电耦合系数kp=40.2%分别达到了最佳。因此,KNN基压电陶瓷中掺入BCZT可以较好地提高其压电性能。     

PSN-PNN-PZT系压电陶瓷的制备及其性能研究

在1 280℃下,采用传统固相反应法制备出Pb(Sn_(0.5)Nb_(0.5))O_3-Pb(Ni_1/_3Nb_2/_3)O_3-Pb[Zr_xTi(_(1-x))]O_3(PSN-PNN-PZT,质量分数x=0.42,0.43,0.44,0.45)压电陶瓷。研究了不同的x对PSN-PNN-PZT压电陶瓷的相结构、显微组织形貌及电学性能的影响。结果表明,当x=0.43时,样品为单一的钙钛矿结构,存在准同型相界,并且晶粒饱满,晶界清晰,颗粒大小均匀,综合电学性能达到最优,压电常数d_(33)=625pC/N,介电常数ε_r=3 005,介电损耗tanδ=1.75%,电容C_p=1 280nF。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。     

CeO2 掺杂BNLKT陶瓷的压电性能与微观结构

利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的CeO2掺杂可改进该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,CeO2掺杂对该陶瓷体系的综合性能有较大改善,室温下该体系配方的压电常数d33可达199 pC/N,径向机电耦合系数kp达39.3%,同时降低了陶瓷的介电损耗(tanδ=2.0%),提高了其机械品质因数。     

Li-Ta改性KNN基无铅压电陶瓷结构与性能

采用传统固相反应法成功制备出了(1-x)K0.48Na0.52NbO3-xLi(Ta0.5Nb0.5)O3无铅压电陶瓷.研究Li(Ta0.5Nb0.5)O3(LTN)对K0.48Na0.52NbO3材料晶体结构和压电性能的影响.结果表明,随LTN摩尔分数的增加陶瓷由正交钙钛矿相向四方钙钛矿相转变,陶瓷的准同型相界位于0.06相似文献