高可靠性、高基频及小延时晶体滤波器

研究了一种高可靠性,高基频及小延时晶体滤波器的设计方法。采用减少晶体元件和在滤波器的幅频曲线上引入衰耗峰的方法,同时实现了滤波器的小延时和小矩形系数等指标。为了保证滤波器的高可靠性,采用离子刻蚀工艺加工了高基频晶体谐振器,并对磁芯采用充磁处理,实现了滤波器的全密封结构。该滤波器的工作频率为70 MHz,3dB带宽为151.4kHz,带内波动小于0.5dB,通带内(69.95~70.05 MHz)的群延时波动小于3μs,矩形系数小于2.8。     

高基频晶体滤波器的研制

本文介绍了一种高基频晶体滤波器,通过采用倒台面晶片实现高频化,同时优化设计工艺参数,使各项性能指标要求满足用户要求。     

钽酸锂晶体宽带滤波器

本文简要介绍钽酸锂晶体及器件的一些特性,对用该材料制作的21.4MHz宽带滤波器的设计、制作和测试结果作了较详细的介绍,滤波器的带宽达225kHz,矩形系数(BW_(?0dB)/BW_(3dB)为2.66,带外衰减在50dB以上。该材料在做宽带滤波器和压控振荡器方面具有优越性。     

小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

介绍比较了钽酸锂(LiTaO3,简称LT)晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器.结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%～4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值.     

钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究

以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。     

高频宽带晶体滤波器的研制

在目前获得高频钽酸锂晶体谐振器较难的情况下,该文以石英晶体为材料,通过化学腐蚀法,将谐振器的基波频率从45 MHz提高到63 MHz,并采用在传统差接桥型电路中插入LC调谐回路的电路展宽方式,将石英晶体滤波器的相对带宽从0.3%拓展到1%。基于该法研制出相对带宽约1%的63 MHz晶体滤波器,其带宽大于600 kHz,损耗为4 dB。     

小体积高频5次泛音晶体滤波器

该文提出了一种小体积高频晶体滤波器的设计方法.通过采用5次泛音的设计,实现了140 MHz的工作频率,降低了生产成本,提高了器件的可靠性.同时为了实现较小的外形尺寸封装,在保证滤波器性能的情况下,对晶片尺寸和磁芯进行小尺寸设计,使其体积仅为常规晶体滤波器的一半.结果表明,该滤波器的工作频率为140 MHz,3 dB带宽...     

压电元件机电耦合系数定义研究

用作转换器的压电元件的一个重要特性是衡量其能量转换效率。常用来表征这一特征的参数是机电耦合系数。对于机电耦合系数这一参数,没有一个统一的定义,对目前常用的三种定义方式进行了分析,通过一个实例 — —长条片横向长度伸缩振动模式压电振子,比较了三种定义的联系、差别以及适用范围。分析结果表明:开路-短路计算方法是一种适用范围更广的方法。     

高频电子电路中的耦合系数及耦合电容

在高频电路中,有时用到电容耦合回路,其调谐特性和频率特性与耦合系数直接相关.因此,耦合系数的确定与耦合电容的选择是该电路设计中的一个重要问题.在现有高频电路教材中,一般对电容耦合回路耦合系数的确定与耦合电容的选择这一重要问题未作深入讨论.为此,本文归纳总结了电容耦合回路设计中,耦合系数的确定与耦合电容的选择这个重要问题.     

2.1305GHz高频反台温补晶体振荡器的研制

介绍了一种应用离子束刻蚀技术制作的三次泛音355MHz高频反台晶体谐振器,制作2．1305GHz温补晶体振荡器（TCXO）的方法。经测试,该温补晶体振荡器性能优良,且体积和功耗都较小,适用于导弹、无人机、卫星等飞行器。     

单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究

采用离子注入剥离法转移制备了43°Y 切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70~-90)×10-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。     

超大机电耦合系数声波谐振器的研究

该文研究了Pb(In1/2Nb1/2)O3 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PbTiO3(PIN PMN PT)基片上声表面波（SAW）的传播特性。利用COMSOL软件建立SAW谐振器三维模型并进行模拟仿真。通过优化谐振器参数,设计了一种具有超大机电耦合系数（K2）的谐振器结构。结果表明,当欧拉角为（0°,-70°,0°）时,SH0模态的K2可优化到约85%,且通带内无寄生响应。     

三次泛音单片式、高频及高阻带晶体滤波器

研究了三次泛音模式下单片式晶体滤波器的设计方法、制作工艺。通过优化滤波器结构、合理控制晶片镀回频率等方法,实现了晶体滤波器的高阻带和高杂波抑制。制作出一种工作频率为41.4 MHz,响应模式为三次泛音的单片式晶体滤波器。结果表明,该晶体滤波器的-1 dB带宽为2.9 kHz,带内波动为0.3 dB,阻带抑制为82 dB。