交叉耦合盒式结构微带带通滤波器设计

设计了一种交叉耦合盒式结构微带带通滤波器。采用耦合矩阵方法对交叉耦合盒式结构带通滤波器频率响应特性进行了分析,并且在此基础上研制了一种基于E型双模谐振器的非对称响应带通滤波器。滤波器中心频率为6.4 GHz,带宽为0.8 GHz,最小带内插损为1.9 dB,两个传输零点分别位于4.5 GHz 和7.6 GHz,上下阻带抑制度分别大于35dB、47dB。滤波器有效尺寸约为0.34λg *0.43λg。该滤波器具有结构紧凑、带外抑制度高、选择性高的优点。     

小型化高阻带抑制声表面波滤波器组件设计

基于声表面波(SAW)滤波器技术,采用两级滤波器级联、滤波器环绕开关、多通道抗干扰布局等方法,实现了一种小型化、高阻带抑制组件的研制。实验结果表明,研制的多通道滤波组件尺寸为18 mm×15 mm×5 mm,其-3 dB带宽大于48 MHz,插入损耗小于7 dB,带内幅度波动小于1.5 dB,近端阻带抑制大于70 dBc,具有很好的实用性。     

三次泛音单片式、高频及高阻带晶体滤波器

研究了三次泛音模式下单片式晶体滤波器的设计方法、制作工艺。通过优化滤波器结构、合理控制晶片镀回频率等方法,实现了晶体滤波器的高阻带和高杂波抑制。制作出一种工作频率为41.4 MHz,响应模式为三次泛音的单片式晶体滤波器。结果表明,该晶体滤波器的-1 dB带宽为2.9 kHz,带内波动为0.3 dB,阻带抑制为82 dB。     

V波段波导短截线带通滤波器设计

设计和分析了V波段E面波导短截线带通滤波器。利用E面波导短截线带阻滤波器的通带-阻带特性与矩形波导的高通特性相结合,将波导短截线带阻滤波器嵌入WR-15矩形波导中,设计具有高阻带抑制性能、过渡边带陡峭、宽阻带范围的V波段宽带带通滤波器。采用"场"、"路"相结合的方法设计的带通滤波器,仿真与测试结果吻合较好,验证了该设计方法的有效性。经测试实现了18%的1 dB带宽,在50.0～57.8 GHz通带内插入损耗≤1 dB,阻带频率58.9 GHz处抑制为43.6 dBc。     

小型化宽阻带抑制LTCC低通滤波器设计

设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的小型化宽阻带抑制低通滤波器,该滤波器的体积仅为3.2mm×1.6mm×1.0mm。设计时为了增强阻带的抑制作用,以具有一个传输零点的低通滤波器为原型,通过合理设置各个元件的外形及位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合效应,额外形成了多个传输零点,产生了较好的宽阻带抑制效果。该滤波器截止频率为2.4GHz,通带内最大插入损耗为1dB,在3.8、6.2和7.15GHz处阻带抑制分别达到46、65和52dB。另外,从7.2GHz到12GHz阻带抑制均大于20dB,在电路中利用该滤波器可有效地防止寄生通带的产生,减少其他频段的信号干扰,增强电路的抗干扰能力。     

一种新型超宽带带通滤波器的设计与实现

传统的超宽带带通滤波器阻带较窄,不能有效抑制谐波.为了抑制超宽带系统中的高次谐波,进一步提高接收机的灵敏度,在分析叉指谐振器、半圆型缺陷地结构和阶梯阻抗并联枝节结构的基础上,设计了一种新颖的超宽带带通滤波器,该滤波器具有较好的阻带特性.最后使用Agilent N5230A矢量网络分析仪对其进行测试,测试结果表明该滤波器工作频带为3.1～10.6GHz,通带内插损小于1.5dB,上阻带的工作频率可以超过18GHz,抑制电平达到-10dB,能有效抑制谐波.     

一种新型超宽带带通滤波器的设计

针对超宽带(UWB)系统易受无线网络信号干扰及传统的超宽带带通滤波器阻带较窄,不能有效抑制谐波的问题,提出了一种新型的UWB带通滤波器,该滤波器由两级交指梳状耦合谐振器级联组成,通过增加耦合指的个数来实现陷波特性,然后在两个交指谐振器的中间添加一个槽线锥形谐振器,使该滤波器具有抑制高次谐波特性,达到拓宽高阻带的效果,同时由于槽线谐振器的加入,陷波频段的抑制电平进一步提高.实验结果证明,所设计的滤波器既能保证3.1～10.6 GHz频段内的插入损耗小于3 dB,陷波频段为5.7～5.8 GHz,陷波频段的抑制电平高达-43 dB,同时又能拓宽高频阻带.     

一种高抑制带通滤波器频选组件的研制

介绍了一种低频段高抑制频选组件的设计方法和试验结果。该频选组件由多个带通滤波器、开关组件、转换开关、远控电路组成。测试结果表明在-20℃-＋55℃温度范围内带通滤波器的高端阻带衰减≥84dB；低端阻带衰减≥74dB。     

低频高阻带抑制SAW有源滤波组件

介绍了一种低频高阻带抑制SAW有源滤波组件的设计方法，并介绍了最新研制的滤波组件的性能。其中心频率18MHz，通带波动0.5dB，近端阻带抑制达105dB，远端阻带抑制大于95dB（其中三次谐波抑制大于75dB)，增益8dB。     

低频大带宽声表面波滤波器

介绍了一种低频大带宽声表面波滤波器(SAWF)的设计方法，并介绍了最新研制的滤波器的性能。其中心频率16．28MHz，通带波动1．0dB，插入衰耗23dB，阻带抑制达40dB。     

基于磁性光子晶体的高性能微波带通滤波器

提出了一种基于磁性光子晶体的高性能微波带通滤波器。仿真计算和实验测量结果表明,该滤波器矩形系数好,插入损耗小,带外抑制高且带内平坦。研制的中心频率为10.75 GHz的通带滤波器,带宽达1.3GHz,通带内插入损耗小于5dB,带外抑制50dB以上。改变磁性圆柱的半径或磁性光子晶体的晶格常数可设计出工作在不同频段,具有不同带宽的微波滤波器。     

Design of compact low pass filter with wide stop band using tri-section stepped impedance resonator

This paper reports the design of a compact low pass filter (LPF) with wide stop band region using tri-section stepped impedance resonators in microstrip medium. Experimental results of a low pass filter designed at 1 GHz have been compared against the analytical and EM simulation results for the validation of the design. Results are satisfactorily matching each other. The maximum insertion of the measured filter is 0.2 dB and minimum return loss is 13.5 dB over the pass band. The stop band rejection is better than 20 dB from 1.5 GHz to 4.2 GHz and hence wide stop band performance is achieved. Overall size of the filter is 30 mm × 20 mm × 0.78 mm which is 0.1λ × 0.066λ × 0.0026λ at 1 GHz.     

声表面波纵向耦合谐振滤波器通带特性研究

在理论方面,作者应用COM理论分析研究了纵向耦合谐振滤波器通带波纹大小和耦合换能器与输入/输出换能器间距离的关系。在工艺上,作者采用剥离工艺制作了相应的纵向耦合谐振滤波器,并给出了所设计的纵向耦合谐振滤波器频率响应的测试结果。实验测得样品滤波器中心频率为895 MHz,1 dB带宽40.5 MHz,阻带抑制达到47 dB,插入损耗3.8 dB,通带波纹小于0.9 dB。实验与理论分析比较一致。     

10.7MHz带阻型石英晶体滤波器研制

采用如今晶体滤波器设计中最为常用的格型电路,成功设计和研制出了用于通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品.主要技术指标是:插损IL≤3dB、3dB带阻宽度BW3dB≤±3KHz、带阻衰减(限波)≥50dB、体积小、加工难度大等.研制的结果较好的满足了设计要求.     

96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器

介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。     

基于DGS的微带DBR双工器的研究

提出了一种高隔离度的微带双工器结构.在微带双重行为谐振(DBR)滤波器中引入基于缺陷地结构(DGS)的低通滤波器,利用DGS的慢波特性减小DBR滤波器奇偶模之间的相速差,从而改善滤波器的上阻带特性.使用本文提出的微带滤波器结构设计并研制了一C波段的微带双工器,仿真和测试结果表明:微带双工器的插入损耗小于1.3dB,隔离度大于65dB.     

An HTS Wideband Filter Using Interdigital-Like Resonators at UHF Band

A wideband superconducting interdigital-like filter at UHF band has been successfully designed and fabricated. An interdigital-like resonator is proposed to realize both strong coupling and compact size. A ten-pole demonstration high temperature superconducting filter is developed with a center frequency of approximately 340 MHz and a fractional bandwidth of 26%. The measurements show that the insertion loss of the filter is less than 0.2 dB, the return loss is better than 17 dB, and the out-of-band rejection is better than 70 dB.      

平坦通带高频纵向耦合谐振滤波器的研制

应用耦合膜理论,重点研究了纵向耦合谐振滤波器耦合换能器与输入/输出换能器间距对纵向耦合谐振滤波器通带波纹的影响,探讨了制作纵向耦合谐振滤波器中金属铝的干法刻蚀工艺。基于理论模拟得出的结论,文中给出了中心频率为900MHz纵向耦合谐振滤波器频率响应的计算模拟结果和实验测试数据。测得1dB带宽25.9MHz,3dB带宽28.7MHz,阻带抑制达到50dB,插入损耗3.85dB,通带波纹小于0.7dB。实验结果与理论分析相吻合。     

一种高性能腔体带通滤波器的研究与设计

为了抑制CDMA800网络下行频段的噪声,利用HFSS和二维电路仿真软件AWR的协同仿真,设计了同轴腔体滤波器,该滤波器利用交叉耦合结构实现了边带外的高抑制性能。所设计滤波器中心频率为875MHz,带宽10MHz;插入损耗〈-0．25dB;回波损耗〉-20dB;带外抑制〉-80dB,满足了设计要求。仿真结果表明：该滤波器结构设计尺寸小、频带宽、带外抑制高、带内插损小等,在通信领域具有良好的应用前景。     

基于128°YX-LiNbO3压电材料的DMS滤波器设计

设计了一种基于128°YX-LiNbO₃压电材料的双模耦合声表面波(DMS)滤波器。采用耦合模(COM)模型进行理论分析,得到DMS滤波器的二维器件模型,再采用COMSOL进行二维器件仿真分析,得到单级DMS滤波器。为了消除该DMS滤波器在其低端近阻带附近出现的肩峰,该文提出将DMS滤波器表面覆盖一层SiO₂薄膜,形成温度补偿结构,从而解决低端近阻带附近的肩峰。结果表明,设计的DMS滤波器的中心频率为891.0 MHz,最小插入损耗为-1.29 dB,1 dB带宽为34.0 MHz,相对带宽为3.8%,矩形系数为2.94,带外抑制约为-20 dB。