降低铬钼铜白口铸铁磨球破碎率的工艺措施

根据对磨球失效机理的研究,作者提出将砂型铸造铬钼铜白口铸铁磨球改为金属型铸造磨球,同时进行适当的热处理,其结果磨球在运行过程中的破碎率有了明显的下降,且耐磨性亦有显著提高,获得了较好的经济效益和社会效益。     

现代铬系抗磨白口铸铁的应用与发展

综述了国内外现代铬系白口铸铁的应用和发展状况,介绍了其强韧化的主要方法,作者还就目前铬系白口铸铁生产及控制方面的问题提出了看法。     

基材表面粗糙度对镀铬层膜基结合性能的影响

为了提高紧固件的摩擦磨损性能,采用直流电镀工艺,在1Cr13钢表面制备了单层标准镀铬层,研究了基材1Cr13钢表面粗糙度对其表面镀铬层的组织结构与膜基结合强度的影响.利用激光共聚焦显微镜、扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪、显微硬度计与多功能材料表面性能测试仪对镀铬层的微观组织、相结构、显微硬度及膜基结合强度进行了分析.结果表明,随着基材表面粗糙度的降低,镀铬层表面更加致密、均匀,微裂纹数量明显减少,镀铬层的显微硬度增加,临界载荷达到了38.7 N,膜基结合强度得到明显提高.     

深松犁铲CO2焊/喷射高铬钼合金粉复合堆焊层耐磨特性

为解决传统深松犁铲易磨损的问题.提出了CO2气保焊-喷射送粉复合堆焊新工艺,在深松犁铲易磨损部位制备高铬钼合金堆焊层.用金相显微镜、扫描电镜、磨料磨损试验机对堆焊层与基体的结合状况、微观组织结构和耐磨料磨损性能,进行观察和测试.试验结果表明：堆焊层组织主要由下贝氏体、残留奥氏体构成且堆焊层与基体间为良好的冶金结合.耐磨料磨损性能与传统深松犁铲相比提高2.38倍,延长了其使用寿命.     

贝氏体型白口铸铁组织结构及其抗磨料磨损特性的研究

本文应用光学显微镜、电子显微镜、扫透电子显微镜和X-射线衍射仪对贝氏体型白口铸铁的组织结构和形态进行了观察和测试,同时还对上、下贝氏体在不同试验条件下的抗磨性和残余奥氏体在磨损过程中的行为进行了研究。     

回火温度对高Cr铸铁衬板组织结构与力学性能的影响

主要对比了高Cr铸铁热处理工艺中的不同回火温度的影响,对经过热处理后的高Cr铸铁试样进行硬度及腐蚀磨料磨损试验,并比对观察试样表面形貌,分析探讨了回火温度对高Cr铸铁的组织结构及力学性能的影响。     

结构特点与施工关键工艺分析

南昌生米大桥超长系杆全长606 m,针对其工程特点和平行钢丝拉索的结构及使用特点,阐述了生米大桥专用系杆索的设计、受力等结构特点及架设、张拉、索力调整等关键施工工艺,以对类似体外预应力工程的设计和施工有一定的参考价值.     

热处理温度对CrMoNi铸铁基化学镀Ni-P层显微结构与性能的影响

采用化学镀技术在CrMoNi高合金铸铁表面沉积Ni—P合金镀层,采用维氏硬度仪、M-2000摩擦磨损机、SEM和EDAX等手段研究了热处理温度对Ni-P合金镀层组织结构和性能的影响,并对磨损机理进行了分析．研究结果表明：CrMoNi合金基体表面沉积Ni—P合金镀层能有效改善CrMoNi合金基体硬度和耐磨性．经过350℃热处理时,获得的Ni-P合金镀层硬度达到极值1072HV,为基体硬度的4．5倍,耐磨性最佳,磨损率仅为基体的0．68％o,镀层的磨损机制为轻微的黏着磨损．     

低阶烟煤结构组成与工艺特性的差异性研究

基于低灰低硫的低阶烟煤用于配煤炼焦工业生产,对比研究了几种低阶烟煤(长焰煤与气煤)的结构组成与工艺特性的差异,结果表明长焰煤的氧及酸性官能团含量明显较高,该类煤及其显微组分均没有粘结性,对粘结性煤具有较强的降粘作用;尽管长焰煤与气煤及其抽提物、萃余物波谱特征具有一定的相似性,但结构参数存在差异。     

控制油压波动对液体粘性调速离合器油膜稳定性和输出转速的影响

在液压流体力学理论和非线性控制理论的基础上 ,建立了液体粘性调速离合器的数学模型 ,分析了控制油压中脉动的频率和幅值对液体粘性调速离合器的输出转速以及摩擦片间工作油膜稳定性的影响 .得到了能够使液体粘性调速离合器稳定工作的控制油压脉动的频率和幅值范围 ,分析结果为使用变频调速驱动定量泵作为液体粘性调速离合器的控制油压调节方式提供了理论依据     

TiN薄膜对碳钢和铬钢耐磨性影响的研究

利用空心阴极离子镀膜机在碳钢(T7A)和铬钢(Cr12MoV)上制备TiN薄膜，采用销一盘式磨损试验机，在润滑条件下，研究了不同基体材料上TiN薄膜的耐磨性．结果表明：铬钢Cr12MoV上的TiN薄膜耐磨性明显好于碳钢T7A上TiN薄膜的耐磨性。     

高铬铸铁的正火组织与性能研究

研究正火温度对新型高铬铸铁组织、硬度(HRC)及冲击韧性的影响。实验结果表明高铬铸铁在800~950℃正火时,其组织由珠光体+少量铁素体+网状共晶碳化物组成;在1 000~1 050℃正火时,碳化物溶解析出,珠光体球化,得到铁素体基体上分布的粒状碳化物+共晶碳化物+少量珠光体,硬度略有降低;在1 100~1 150℃正火时,共晶碳化物溶解得更多,冷却过程中奥氏体中析出弥散碳化物,冷却后得到马氏体(过饱和铁素体)基体上弥散碳化物+共晶碳化物,硬度明显升高,并在1 150℃时硬度达到最大值,在800~1 150℃正火加热温度范围内,冲击韧性在4.2~4.7 Jcm2之间波动,总体变化不大。     

数据库系统和知识库系统与第五代计算机

本文简述知识库系统的概念和特征,评述日本第五代计算机系统中的知识库的构造和开发。     

基于PLC的长螺旋和螺杆电动履带式桩机设计

主要介绍一种由PLC控制的螺旋、螺杆履带式桩机。通过直流调速器改变直流电机的转速实现长螺旋或螺杆桩机的选择。采用PLC AD模块对提升或加压卷扬的绳速进行采集,送入PLC进行处理,处理后的数据通过PLC DA模块送入直流调速器对提升或加压直流电机进行调速,达到匀速提升或加压.     

热处理工艺对高铬白口铸铁组织和性能的影响

分析了铸态及不同热处理工艺条件下高铬白口铸铁的组织和性能,结果表明：高铬白口铸铁铸态组织中共晶碳化物呈宫续和断续网状分布,对材料的韧性损害较大,通过热处理后可改善共晶碳化物的形态及分布,同时使基体组织到强韧化配合。     

通用U 盘加密系统的研究、设计与实现

U 盘的广泛使用为计算机之间交换数据提供了极大的方便, 但是在使用U 盘的同时也存在着U 盘可以未经允许而随意地读取的问题。针对这一问题, 现有的技术手段主要通过软硬件加密的方式解决, 但仍存在兼容性低、操作过程复杂、可移植性低等问题。为了解决这一问题, 提出了一个基于单板计算机的U 盘加密系统。该系统的设计以运行Linux 操作系统的单板计算机为基本框架, 采用了Linux 统一密钥设置(LUKS) 加密规范, 按照高级加密标准(AES) 为U 盘上数据提供加密保护; 通过媒体传输协议(MTP) 为计算机提供安全的连接, 为整套系统对计算机的连接提供极佳的兼容性。实验结果表明, 该U 盘加密系统可以为所有兼容USB 大容量存储设备的U 盘提供加密功能, 也兼容Windows 和Linux 等常见操作系统, 在确保安全性的同时具有极佳的通用性。     

基于网络环境的数据库系统模式的研究

介绍了网络环境中两种常见的数据库系统模式：客户机／服务器系统（Client/Server)和分布数据库系统（Distributed Database System)的主要技术特征及体系结构,针对目前较流的客户机／服务器系统模式,提出实际数据库应用系统开发中一些常用技术和方法。     

退火温度及基片晶向对(Zn1-xCox)2-W薄膜结构和磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）和Si（111）基片上沉积的六角铁氧体（Zn1-xCox）2W薄膜,利用XRD（X射线衍射仪）物相分析证明Si（111）基片有利于C轴垂直膜面生长,且在950℃退火时,薄膜结构较好。SEM（扫描电镜）分析表明,晶粒尺寸随着温度升高而变大,950℃退火时薄膜出现六角结构,温度过高出现缺陷;而Si（100）基片上的薄膜在950℃退火时则出现大的裂痕,这影响薄膜的磁性能。采用VSM（振动样品磁强计）测量了垂直膜面饱和磁化强度Ms⊥,在950℃退火时,Si（111）基片上的薄膜垂直饱和磁化强度较大。     

Dependence of Magnetic Properties and Microstructure of Ni81Fe19 Film on Base Vacuum and Sputtering Pressure

The Ni81Fe19/Ta films with different NiFe thickness were prepared at different base vacuums and sputtering pressures,The results of magnetic measurement and atomic force microscope(AFM),showed that the films prepared at higher base vacuum and lower sputtering pressure had larger ΔR/R,The reason should be that higher base vacuum and lower sputtering pressure introduce larger grain-size and lower surface roughnes,which will weaken the scattering of electrons,reduce the resistance R,and increase ΔR/R.