铝制品的电化学抛光

研究了铝制品电化学抛光液的组成及工艺参数，讨论了抛光温度、时间及电流密度等工艺条件对铝制品抛光的影响，介绍了一种铝制品的抛光工艺。     

铝型材三酸化学抛光技术研究

阐述了磷酸—硫酸—硝酸法化学抛光的机理，通过实验确定了槽液中各成分的最佳含量，论述了它们在抛光过程中的主要作用，对抛光时间、抛光温度等工艺条件及阳极氧化工艺参数对抛光质量的影响进行了实验和论证，并在此基础上确定了最佳的生产工艺。     

ULSI 制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究

对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究，着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题，并实现了技术突破。     

磨液射流磨削抛光钛合金的试验研究

介绍了磨液射流磨削抛光实验装置的组成及实验过程，通过磨液射流磨削抛光钛合金(TC4)试件，取得了磨削抛光的工艺参数，为异型曲面工件的表面抛光探索了一种有效方法。     

钛合金材料OIM试样的电解抛光及制备工艺

由于钛合金材料强度硬度较高，机械抛光通常不能去除试样表面的残余应变层，因而采用电解抛光是制备电子背散射衍射试样的理想方法。本研究通过正交试验进行优选，并对优选的电解抛光工艺参数进行调整，制定出了钛合金电子背散射衍射试样的快速制备工艺。     

电化学抛光对NiTi支架生物相容性的影响

针对目前NiTi支架电化学抛光表面形貌不理想的情况, 提出了一种改进的电化学抛光方法(冰醋酸-高氯酸-A-B), 并采用此抛光工艺对NiTi支架(Ti-50.8at.%Ni)进行了电化学抛光. 采用扫描电子显微镜(SEM)表征了抛光工艺对NiTi支架表面形貌的影响, 并利用电化学方法研究了不同表面处理(电化学抛光、机械抛光、酸洗)对同种成分的NiTi试片在Hanks'溶液中腐蚀性能的影响. 研究结果表明, 此工艺下的电化学抛光有效降低了NiTi支架的表面粗糙度, 改善了表面质量;电化学抛光的NiTi试片在Hanks'溶液中耐蚀性的提高也为电化学抛光NiTi支架的应用提供了实验依据.     

新型不锈钢修磨、抛光工艺和设备的特点

修磨、抛光工艺是提高不锈钢产品表面质量的重要措施，本文主要论述了现代不锈钢修磨、抛光新工艺和机组设备的主要特点，并着重对修磨机内辊子的不同定位所带来的不同修磨效果进行了阐述。     

硅片近边缘形态的研究进展

关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会（SEMI）标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度（ROA）、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评价方法,可以依据不同的应用场景选择适合的评价方法来判断近边缘形态。对于硅片近边缘形态的测量手段,可以分为近边缘卷曲（ERO）和近边缘微粗糙度两个方面。探究了抛光工艺和抛光前道制程对硅片近边缘形态的影响：抛光工艺会影响硅片近边缘局部平整度和硅片ROA,通过控制抛光压力、抛光时间和转速等工艺参数以及抛光垫和抛光浆料等工艺耗材可以改善硅片近边缘局部平整度;对于300 mm硅片,通过对抛光垫的改良和创新,设计出双层抛光垫以及3层抛光垫,可以缓解硅片近边缘塌陷。对于200 mm硅片,通过匹配腐蚀工艺和双面研磨工艺有益于改进局部平整度。近边缘形态相关专利主要通过改进工艺流程、引入单面磨削、改变硅片形状来改善硅片近边缘形态。     

化妆品包装用光亮型铝材生产工艺的研究

探明了各常量及微量元素含量对抛光铝材反射率的影响，确定了化妆品包装用光亮型铝材的化学成分，研究了中间退火对热轧板和冷轧板组织影响的差异及不同成品退火工艺下不同状态铝材的冲制性能，最终确定了适合现有装备状况下化妆品包装用抛光铝材的生产工艺。     

光学玻璃抛光用稀土抛光粉的制备

以碳酸稀土为原料制备稀土抛光粉,研究了焙烧、分级等工艺条件对制备光学用高性能稀土抛光粉的影响。通过抛光机理,分析影响抛光粉抛光能力的因素,从而找出最佳工艺条件,生产出适合光学玻璃抛光的高性能稀土抛光粉。     

不锈钢抛光表面缺陷分析研究

在实验室完成不锈钢表面机械抛光实验,通过扫描电镜观察分析表明,影响抛光缺陷的主要因素分三大类:基体硬质夹杂物、原始表面质量以及抛光工艺中的机械划伤。针对各种缺陷的产生原因,提出了相应的改进措施:通过对炼钢工艺进行夹杂物塑性化控制,减少硬质夹杂物的数量,以及通过调整后续轧制工艺,可避免表面凹坑,提高表面质量,从而较少表面抛光缺陷的产生。     

300 mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化

通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。     

铈基抛光粉抛光工艺的多响应稳健优化设计

以铈基抛光粉的化学机械抛光工艺过程为研究对象设计正交试验,选取抛光时间、抛光盘转速、抛光浆固含量、抛光浆pH值作为可控因子,分析其对铈基抛光粉的切削率及划痕度这2个重要技术参数的影响.在试验结果的基础上考虑各响应的主客观权重,结合信噪比与满意度函数构建多响应稳健优化设计模型,获得确保抛光过程稳健性的较优工艺参数组合,从...     

精矿稀土抛光粉制备工艺研究

采用稀土精矿为原料，研究了制备稀土抛光粉工艺过程，通过ＤＴＡ、ＴＧ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、物化分析等检测手段，对试制样品的结构、形貌、物化性能等进行了分析。试制的精矿稀土抛光粉抛光效果优良，制备工艺简短，成本低廉     

建筑铝型材化学抛光新工艺的开发和生产实践

对传统的“三酸”化学抛光工艺存在的问题进行了详细分析。在此基础上，通过试验研究开发出了建筑铝型材无烟化学抛光新工艺。采用这一新工艺后，工作环境基本无酸雾，槽液分析简便，易于观察和监控槽中反应，抛光质量稳定，磷酸消耗量显著下降，取得了较好的经济效益和社会效益。     

提高LED钨铜散热基板表面质量研究

钨铜复合材料以高导热率,LED芯片热匹配等特性,成为LED散热基体的重点开发对象,而钨铜箔片轧制表面高平整性是首要前提,研究高效可行的微观整平方法意义深远。本文采用电解抛光的方法对钨铜箔片(W90Cu10)进行多次重复正交试验。以硫酸-磷酸系作为电解液,通过对抛光后箔片宏观表面质量评定、反射率测量及SEM微观表面形貌分析,初步确定了W90Cu10电解抛光的最佳工艺参数,分析了抛光液及工艺参数对抛光质量的影响及钨铜箔片电解抛光机理。实验表明:在硫酸与磷酸体积比2∶7、温度为45～55℃、抛光时间4～6 min、电流密度15～25 A/dm2条件下电解抛光试样表面相对反射率高达90%以上,表面呈镜面光亮。     

在国产抛光机上改善硅抛光片TTV值的工艺探索

本文介绍了用国产有蜡抛光机生产加工抛光片时，对改善硅片ＴＴＶ值的工艺探索，并指出影响硅抛光片ＴＴＶ值和ＴＩＲ值的重要因素－抛光片载体，对其进行经常性质量检验与修正的必要性。     

GaAs抛光表面损伤的RBS研究

本文以卢瑟福离子背散射技术（ＲＢＳ）检测了半绝缘ＧａＡｓ（１００）化学机械抛光表面的微损伤状况，并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度。研究了以胶体ＳｉＯ２和ＮａＯＣｌ溶液的混合液对ＧａＡｓ进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响。把ＲＢＳ法同Ｘ射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较，二者对应得很好。通过逐层腐蚀与ＲＢＳ相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度，发现如果抛光条件不适宜，获得的晶片表面尽管目视光洁度很好，也还有一定厚度的损伤层。ＲＢＳ法测得好的非掺半绝缘ＧａＡｓ（１００）（由ＬＥＣ法生长）抛光表面散射粒子最低产额低达３１％，这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层。     

表面织构：电解抛光和平均表面粗糙度（Ra）

采用机加工工艺对不锈钢表面进行机加工，研磨，手动或机械化抛光会使不锈钢表面凹凸不平。这种凹凸不平包括由刀头，研磨轮或抛光布轮在表面产生的凸起点和凹陷点。可对这些凸起峰值和凹陷深度值进行测量，用来确定表面的状态，有时也能确定其使用性能。测量表面和分析测量结果的方法达一百多种。但是，评估表面织构最常用的方法是采用粗糙度测量值。     

钢丝连续电化学抛光

解决不锈钢丝、电阻丝的表面光洁度问题,我们认为电化学抛光比机械抛光有较多的优点,它能使钢丝获得较好的表面质量和较高的抗腐蚀能力,提高劳动生产率。为此,我们对钢丝的电化学抛光进行了初步的试验研究。 (一)钢丝电抛光工艺和设备我们试验采用的工艺是:除油→清洗→电抛光→清洗→中和→热水洗→干燥→卷线。抛光前的除油、清洗均为预先单独进行的。