异质结构掺锰氧化物（La0.60Sr0．4-xNaxMnO3）的磁电阻研究术

利用掺杂锰氧化物La0.60Sr0.05Na0.05MnO3和La0.60Sr0.15Na0.25MnO3两种块体材料串联焊接成异质结构样品,其磁电阻在不同温度出现两个峰值。得到启示：选取一系列磁电阻峰值在不同温度的材料,制成异质结构样品多层膜,适当调整各层膜厚度的比例,可以使多层膜的磁电阻在一个较宽的温度区间内保持基本稳定,并且有较好的磁场灵敏度,从而成为较好的磁电阻磁场传感器。     

双掺杂稀土锰氧化物La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3薄膜的输运特性

采用射频磁控溅射法制备了Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3Sr2/3)1/3MnO3(LCSMO)薄膜。电阻率-温度特性表明,薄膜在387K时发生铁磁金属相-顺磁非导体相相变。同时测试了薄膜在180,230和280K温度下的伏安特性．表明所制备的薄膜具有自阻效应,并分析了产生该现象的原因。     

Sr掺杂量对La1-xSrxMnO3-σ离子导电性能的影响

本文从La1-xSrxMnO3-σ,材料的缺陷结构出发,探讨了材料在高温条件下离子(氧离子)导电的形成机制.分析了Sr掺杂量对氧离子导电性的影响,发现当Sr掺杂量x＝O.5时,由La1-xSrxMnO3-σ材料的离子电导率达到最大,因为在这一掺杂浓度时,材料中形成了最佳的氧空(氧离子)传输通道.     

Sr掺杂量对La1—xSrxMnO3—δ离子导电性能的影响

本文从Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３－δ材料的缺陷结构出发,探讨了材料在高温条件下离子（氧离子）导电的形成机制。分析了Ｓｒ掺杂量牟氧离子导电性的影响,发现当Ｓｒ掺杂量Ｘ＝０．５时,Ｌａ１－ｘＳｒＭｎＯ３－δ材料的离子导电率达到最大,因为在这一掺杂浓度时,材料中形成了最佳的氧空（氧离子）传输通道。     

锰位Cu离子掺杂对层状锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7电磁性能的影响

研究了Cu离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7电磁性能的影响.观察到低含量Cu掺杂样品铁磁性减弱,出现金属-绝缘转变与团簇玻璃态行为;高含量Cu掺杂样品为绝缘体,出现顺磁与自旋玻璃态行为.相对小极化子跃迁模型或热激活半导体带隙模型而言,可变程跃迁模型更好地描述了载流子在顺磁状态的电输运机制.     

La掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

利用传统的固相烧结工艺制备了Sr2LaxBi1-xTi5O18(x=0．00、0．05、0．1、0．25、0．5、0．75、1．00)陶瓷样品。用X射线衍射对其微结构进行了分析．并测量了其铁电、介电性能。X射线衍射结果表明La掺杂对Sr2Bi4TixO18的晶体结构几乎没有影响。样品的铁电、介电结果表明。随着La掺杂量的增加，样品的剩余极化(2Pr)和矫颈场(Ec)逐渐减小。这是由于离子半径较大的La取代类钙钛矿层A位Bi离子。使得样品晶格畸变变小，从而导致2Pr降低。晶格畸变的减小也使得沿着外电场方向氧八面体中的阳离子更易运动。导致Ec减小。样品的相变温度L随着La含量的增加而降低。这也与样品晶格畸变有关。     

A位置复合掺杂对钙钛矿氧化物(La1-xPrx)2/3 Sr1/3 Co0.8 Ni0.2 O3化学扩散系数的影响

采用固相反应法合成了(La1-xPrx)2/3 Srl/3Co0.8Nio.203(LPSCN,x=0.2、0.4、0.6、0.8)钙钛矿型氧化物系列样品,采用电导弛豫法研究了LPSCN样品的氧化学扩散系数.结果表明,LPSCN样品具有较高的氧化学扩散系数,且随着镨含量的减少、温度的升高而增大;LPSCN样品的电导率与氧分压呈oOC Po.2n关系,且电导率随镨含量的减少、温度的降低而增大.样品LPSCN-82在800℃下的氧化学扩散系数Dchem值为1.18×10-4cm2/s;样品LPSCN-82在500℃下氧分压为1.0×lO5Pa时电导率有最大值为974.74S/cm,是比较理想的固体氧化物燃料电池的阴极材料.     

固体燃料电池阴极材料La0．6Sr0．4Co0．2Fe0．8O3-δ的微观结构与阻抗特性研究

复合钙钛矿氧化物La1-xSxCo1-yFeyO3-δ是一种适于中温固体氧化物燃料电池的阴极材料.采用柠檬酸螯合法合成了La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ粉体,并通过XRD和SEM,研究了前驱体溶液pH值和煅烧温度对其粉体晶相结构的影响;同时,通过烧结体的SEM和交流阻抗分析,详细讨论了前驱体溶液pH值和烧结温度对烧结体显微结构和阻抗特性的影响.结果表明,前驱体溶液pH=4、煅烧温度为900°C的粉体,1400°C下烧结2h获得的烧结体,具有最低的阻抗.     

La(2-x)/3(Ag(0)1-2x/3Ag(I)x)TiO3光致变色粉体的制备与表征

通过固相反应法合成了具有光致变色性质的La(2-x)/3(Ag(0)1-2x/3Ag(I)x)TiO3(简称Ag-LST)钙钛矿结构复合氧化物粉体,采用XRD、XPS、ICP和SEM等实验技术对Ag-LST进行了表征.结果表明,Ag-LST具有立方晶相钙钛矿结构,其表面层元素组成为Ag:La:Ti=0.45:0.60:1.00.研究了Ag-LST的光致变色性质,在紫外光(300W汞灯)下照射Ag-LST 1min,样品的颜色从棕黄色转变为蓝紫色;在可见光(500W氙灯)下照射Ag-LST 1h,样品恢复为原来的棕色.Ag-LST的光致变色性质可能与Ag(0)-Ag(I)相互转换有关.     

La0．7Ce0．3（Fel-xCox）11．44Si1．56（x=0．04、0．06、0．08）合金的结构与磁热效应

通过X射线衍射仪研究了1300℃退火1h后的La0．7Ce0．3（Fel-xCox）11．44Si1．56（x=0．04、0．06、0．08）合金的相结构。采用振动样品磁强计研究了合金的磁性能。结果表明，合金主相具有NaZn13型结构，含有少量α-Fe和LaFeSi杂相；x=0．04、0．06和0．08时，合金的居里温度Tc分别为230．8、261、288．9K，在1．1T的外磁场变化下，等温磁熵变｜ΔSM｜分别为2．44、1．86和1．55J／（kg·K）。     

MOD法在La0．47Sr0．53TiO3／LaAlO3沉积YBa2Cu3O7-σ超导层的研究

实验通过无氟的金属有机物液相沉积法在单晶LaAlO3（LA0）基底上生长La1-xSrxTiO3缓冲层,之后在其上生长YBa2Cu3O7-σ（YBCO）超导层,这种制备方法与真空沉积法和三氟乙酸金属有机物沉积法相比,具有成本低、效率高和环境友好等优点,对YBCO涂层导体的实际应用更具有研究价值。X射线衍射（xRD）结果表明,在LAo基底上生成了纯净的La1-xSrxTiO3膜,在La1-xSrxTiO3／LAO结构上生成了单相的YBCO膜,构成两种膜的晶粒均具有沿垂直于基底表面的C轴方向择优生长;通过半定量的能谱分析（EDS）确定缓冲层La1-xSrxTiO3为La0.47Sr0．53TiO3相,表明部分La元素挥发;扫描电子显微镜（SEM）结果表明在LAO基底上生成的La0.47Sr0．53TiO3膜平整光滑;在La0.47Sr0.53TiO3／LAO结构上生长的YBCO成膜颗粒聚集成片状,相互叠加生长,形成平行于基底表面的超导层。     

还原处理对La0.67Sr0.20Cu0.10□0.03MnO3材料磁电阻性能的影响

采用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了名义组分为La0．67Sr0．20Cu0．10□0.03MnO3（□代表阳离子空位）的多晶母体粉体材料,在不同温度（200℃,250℃,300℃）的氢气环境中对母体粉体材料还原15分钟后,在1100℃氩气环境中烧结12小时得到系列块体样品。研究了块体样品的相结构,导电性质、磁学性质以及磁电阻效应。实验结果表明,在适当温度的氢气环境中对粉体材料还原,可减少乃至消除粉体样品中的Mn3O4杂相,从而可以使块体样品电阻率降低,磁电阻峰值提高。在1．8T外磁场下,La0．67Sr0．20Cu0．10□0.03MnO3母体样品的磁电阻在319K出现峰值,其峰值为24．6％;在250℃还原15分钟样品,其磁电阻峰值达到31．5％。     

Sr掺杂量对La_(1-x)Sr_xMnO_(3-δ)离子导电性能的影响

本文从La1 -xSrxMnO3-δ材料的缺陷结构出发 ,探讨了材料在高温条件下离子 (氧离子 )导电的形成机制。分析了Sr掺杂量对氧离子导电性的影响 ,发现当Sr掺杂量x =0 .5时 ,La1 -xSrxMnO3-δ材料的离子电导率达到最大 ,因为在这一掺杂浓度时 ,材料中形成了最佳的氧空 (氧离子 )传输通道。     

Ca2+置换La3+的量对La-Ca-Co-O氧还原催化活性和电导率的影响

为了优化钙钛矿型La1-xCaxCoO3成分,研究了不同量Ca2+置换La3+后,La1-xCaxCoO3催化氧还原反应的交换电流密度和其自身电导率的变化规律.采用溶胶-凝胶法制备了La1-xCaxCoO3粉体,通过XRD检测发现当Ca2+置换量较大时,会析出Ca2Co2O5.在6mol/L的KOH溶液中,通过线性扫描伏安技术测定了催化剂催化氧还原反应的极化特性;通过Tafel技术测定了其催化氧还原反应的交换电流密度.采用粉末压片和直流电路测定了催化剂的表观电导率.结果表明,随着Ca2+置换量增加,La1-xCaxCoO3催化氧还原反应的交换电流密度先增高、然后又降低,在x=0.5～0.6,交换电流密度达到最大,约为0.1382A/m2;表观电导率也是先增大,后又减小,同样在x=0.5～0.6,表观电导率达到最大,约为0.2930Ω-1·m-1.交换电流密度和表观电导率随Ca2+置换量的变化趋势基本一致.     

Sr掺杂对12CaO·7Al2O3电子化合物电输运及发射性能的影响

12CaO·7Al₂O₃电子化合物(C12A7:e ^-)是一种具有低工作温度和低逸出功等优点的新型电子化合物阴极材料。通过高温固相反应结合放电等离子烧结制备Sr掺杂(Ca_1-xSr_x)12A7 (0≤x≤0.05)块体, 并在1100 ℃采用Ti颗粒还原20 h成功制得电子化合物(Ca_1-xSr_x)12A7:e ^-。第一性原理计算结果表明, (Ca_1-xSr_x)12A7:e ^-与C12A7:e ^-相比, 框架导带下移, 费米能级附近态密度增加, 这将有利于电输运和发射性能的优化。室温电输运测试结果表明, Sr掺杂有利于C12A7:e ^-电输运性能的优化, 其中(Ca_0.96Sr_0.04)12A7:e ^-样品在室温下具有最高电导率(1136 S/cm)以及最高载流子浓度(2.13×10 ²¹ cm ^-3), 与相同条件下制备的C12A7:e ^-样品相比, 载流子浓度提高近2个数量级, 表明Sr掺杂可以有效缩短制备C12A7:e ^-的制备时间。热电子发射性能测试结果表明, 随着Sr掺杂量的增加, 热电子发射性能逐渐提高, 其中(Ca_0.96Sr_0.04)12A7:e ^-样品具有最佳的热发射性能, 在1100 ℃外加电压3500 V时, 发射电流密度达到1.45 A/cm ², 零场发射电流密度达到0.74 A/cm ², 理查生逸出功降低至1.86 eV。     

声子模式与电子-声子结合强度对Dy3＋掺杂硒化物玻璃荧光效率的影响

用熔融-淬冷法制备了无稀土掺杂与Dy3 (0.04m01%)掺杂Ge30Ga5Ses5和0.9Ge30Ga5Se65 0.1CsBr玻璃样品.采用Judd-Ofelt理论计算了0.9Ge30GasSe65 0.1CsBr玻璃样品中Dy3 跃迁的强度系数、自发辐射几率与荧光分支比.为了研究多声子弛豫(MPR)随温度的变化,测试了Dy抖的6H11/2能级在20～300K温度范围内的荧光寿命,分析了Ge30Ga5Se65玻璃中声子模式与电子-声子结合强度对Dy3 1.72μm处荧光强度和效率的影响.在硒化物玻璃中引入CsBr使玻璃中形成了Ga-Br键,有效声子能量降低到268cm-1.通过计算得到Ge30Ga5Se65与0.9GeaoGa5Se65 0.1CsBr样品的电子-声子结合强度分别为0.456与0.048.CsBr的引入降低了电子-声子结合强度.声子模式与电子-声子结合强度的改变决定了MPR的变化.     

稀土氧化物Eu_2O_3掺杂对CaCu3Ti_4O_(12)陶瓷微结构及介电特性的影响

以稀土氧化物Eu_2O_3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(质量比:x=0,0.2%,0.5%,1%)的CCTO陶瓷样品,利用SEM、XRD、4294A型高精密阻抗分析仪等测试手段对样品的微观结构、介电性能和交流电阻率进行了测试分析.掺杂之后样品的晶格结构并未发生改变,但是样品内部相对晶相含量和晶粒平均尺寸减小,同时掺杂阻碍了样品内部晶界处富铜相的生成;纯CCTO的XRD图谱中分别出现了CuO、TiO_2和CaCO_3杂相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;样品的介电性能与相同组分材料内部的相对晶相含量,晶粒平均尺寸和晶界处富铜相有很大关系.Eu_2O_3掺杂提高了样品介电性能的频率和温度稳定性.当掺杂量为0.2%和0.5%时,样品的介电性能得到较好改善效果.样品在低频40Hz和高频3.5MHz的交流电阻率测量结果很好的验证了Eu_2O_3掺杂导致的微结构变化对样品介电性能的影响.     

B含量对非晶态Ni_（72－x）Si_（15）B_（13＋x）（X＝0，2，4，6，8）合金脆化温度的影响

通过试验研究了非晶态Ｎｉ７２－ｘＳｉ１５Ｂ１３＋ｘ（Ｘ＝０，２，４，６，８）合金脆化温度与Ｂ原子浓度的关系。根据双层结构单元模型和结构缺陷形成机制，分析了该合金的晶化过程，并对其试验结果进行了初步的解释。     

添加Mg、Y氧化物对Fe-Mo/Si3N4金属陶瓷微观组织与性能的影响

提出在Fe-Mo/Si_3N_4金属陶瓷中添加Mg、Y氧化物,在常压烧结条件下实现金属复合、晶须技术双重强韧化陶瓷,并研究了Mg、Y氧化物对Fe-Mo/Si_3N_4金属陶瓷的微观组织与性能的影响.结果表明:添加Mg、Y氧化物的Fe-Mo/Si_3N_4金属陶瓷,存在与Si_3N_4润湿性极好的金属Fe与MoSi_2相,颗粒状α-Si_3N_4转变成晶须条状β-Si_3N_4,烧结体致密且晶粒得到明显细化,各项性能得到大幅提升,实现了金属复合、晶须技术双重强韧化Si_3N_4陶瓷。