Y2O3掺杂（Bi0．5Na0．5）0．94Ba0．06TiO3无压电陶瓷的研究铅

采用固相合成法制备了Y2O3掺杂（Bi0．5Na0．5）0．94Ba0．06TiO3无铅压电陶瓷。研究了Y2O3掺杂对（Bi0．5Na0．5）0．94Ba0．06TiO3陶瓷晶体结构、介电与压电性能的影响。XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷均能够形成纯钙钛矿固溶体。介电常数-温度曲线显示陶瓷具有弛豫铁电体特征,陶瓷的弛豫特征随掺杂的增加更为明显。在Y2O3掺杂量为0．5％时陶瓷的压电常数d33分别为137pC／N,为所研究组成中的最大值,掺杂量为0．1％时,机电耦合系数kp与kt最大值为0．30,0．47。     

具有超高压电电压常数的镧掺杂0.55Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-0.45PbTiO_3陶瓷材料

研究了不同镧掺杂量与Pb（1－x）Lax（Sc1／2Ta1／2）0．55Ti0．45O3（x＝0，x＝0．005，x＝0．01，x＝0．02，x＝0．03）陶瓷材料居里温度、压电常数及压电电压常数之间的关系以及高温热处理对材料性能的影响。研究表明材料的居里温度随镧添加量的提高按26℃／1atm％的幅度下降，只是在x＝0．005处出现异常现象，即该组份的材料的居里温度与x＝0处相比稍有提高；材料的压电常数d33和压电电压常数g33随镧掺杂量的变化呈一定的规律性，即在掺杂量较低时，随镧掺杂量的提高而提高，但当达到一个峰值后开始降低；高温热处理（900℃8h）使得材料的居里温度提高（提高幅度大约为15℃），并且能明显改善材料的压电性能，这种现象是材料结构由无序向有序转变的结果。绝热处理的陶瓷材料其压电常数最大达d33＝533×10－12C／N，最大压电电压常g33＝63．1mV·m／N。     

V3TiNi0．56Alx贮氢合金充放电性能和吸放氢性能研究

用自蔓延高温合成法制备了钒基贮氢合金V3TiNi0．56Alx（x=0．1、0．3），用EDXRF、XRD等方法分析了合金的组织成分，并对合金进行了充放电性能和吸放氢性能测试。结果表明：随Al含量增加，合金的最大放电容量和吸氢量均减小，但循环稳定性提高；合金的放氢平台均在0．5MPa附近，随Al含量增加，平台宽度变窄、平台倾斜度增加。     

La0.67Sr0.33MnO3中Bi的掺杂效应

将Bi2O3掺杂到用溶胶—凝胶法制备的La0.6Sr0．33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出。随着Bi掺杂量的增加,LSMO／(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0—0．10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降。当X=0．1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级。Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响。低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03Bi使室温磁电阻由-4.4％提高到-5．6％。     

CeO2改性压电陶瓷（Bi0．515Na0．5）0．94（Ba0．8Sr0．2）0．06TiO3备及性能研究的制

实验采用传统陶瓷工艺技术制备无铅压电陶瓷（Bi0．515Na0．5）0．94（Ba0．8Sr0．2）0．06TiO3-x（w％）CeO2（缩写为：BNBST—x）。研究表明：掺杂CeO2的BNBST—x系压电陶瓷,极化电压为4．5kV／mm、极化温度为70℃、极化时间为40min是合适的极化条件,且在CeO2的掺杂含量为0．2wt％时,陶瓷性能最佳,其中压电常数d33=91pC／N、平面机电耦合系数kp=31％、介电常数εr=1666、介质损耗tanδ=0．042、居里温度Tc=338℃。     

（Ba0.6Sr0．4）Ti1-xZnxO3薄膜的介电调谐性能

利用溶胶-凝胶法在Pt／TiO2/SiO2/Si衬底上制备了（Ba0．6Sr0．4）Ti1-xZnxO3（BSTZ）薄膜,用X射线衍射和扫描电镜分析测定了BSTZ的微结构和薄膜的表面形貌,研究Zn掺杂量对其介电调谐性能的影响,结果表明,随Zn含量的增加BSTZ物相无明显变化,其介电常数、调谐量先增加后降低,但介电损耗却先降低后增加。在室温1MHz下,1．5m01％Zn掺杂BSTZ薄膜有最大的调谐量54．26％;2．5mol％Zn掺杂BSTZ薄膜有最低的介电损耗0．0148和最大的优值因子30．3。     

低温燃烧法合成Ce1-xNdxO2-x/2（0≤x≤0．6）纳米粉体

采用低温燃烧合成法，在柠檬酸-硝酸盐体系中合成出Ce1-xNdxO2-x/2（0≤x≤0．6）固溶体纳米粉体。X射线衍射（XRD）结果表明，Nd^3＋取代Ce^4＋进入晶格内部，形成具有单相立方萤石结构的固溶体，其晶格常数随Nd^3＋掺杂浓度的增大而线性增加，晶粒尺寸在15-24nm之间。透射电镜（TEM）结果表明，粉体颗粒尺寸在20-40nm之间，分散性较好，具有较高的烧结活性。拉曼光谱（Raman Spectrum）结果表明，F2g宽化峰的出现与掺杂后固溶体中产生的氧空位有关，并且随着掺杂浓度的增加，氧空位数量也再增加。     

Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3无陶瓷的制备与性能铅压电

采用传统的干压成型法制备了Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3无铅压电陶瓷，研究了不同K0.5Bi0.5TiO3含量对Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3陶瓷的微观结构与电性能的影响规律。结果表明，Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3无铅压电陶瓷随K0.5Bi0.5TiO3含量增加，晶格常数增大，密度减小，晶粒尺寸减小，压电常数先增大后减小，介电常数增大，介电损耗增加，机械品质因数下降，而居里温度不断升高，在200℃附近存在由铁电相向反铁电相转变的一个相变点，组分为0．84 Na0．5Bi0．5TiO3-K0．5Bi0．5TiO3的陶瓷位于准同型相界附近，具有最佳的压电性能。     

La2O3掺杂（Na0．5 Bi0．5）0．94 Ba0.06 TiO3无铅压电陶瓷的介电弛豫研究

采用固相合成法制备了La2O3掺杂(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷.研究了La2O3掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响.XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体.材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰Tf和Tm.修正的居里-维斯公式较好的描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随La2O3掺杂量的增加而增加.掺杂量较低的陶瓷仅在低温介电反常峰Tf附近表现出明显的频率依赖性,随掺杂量的增加,陶瓷材料在室温和低温介电反常峰Tf之间都表现出明显的频率依赖性.并根据宏畴-微畴转变理论探讨了该体系陶瓷介电弛豫特性的机理.     

SrBi4Ti4O15铁电陶瓷A位掺杂改性研究

采用固相烧鲒法，以镧系元素La和Nd为掺杂离子，制备了不同掺杂量的SrBi4Ti4O15（SBTi）铁电陶瓷。X射线衍射谱显示样品呈随机取向的单一层状钙钛矿结构相。铁电测量显示适量的La和Nd掺杂使得SBTi的剩余极化（2P，）得到显著增加。对于SrBi4-xLaxTi4O15（SBLT—x），当x=0．25时，2P，达到极大值，为24．2μC／cm^2，对于SrBi4-yNdyTi4O15（SBNT—Y），当y=0．18时，2P，达到极大值，为25．8μC／cm^2，和未掺杂相比，分别增长近50％和56％。SBLT—x样品的矫顽场随掺杂量的增加而逐步减小，SBNT—Y的矫顽场在y=0．00到0．18之间几乎不变，在更大掺杂量下，随掺杂量的增加而逐步减小。掺杂引起材料中点缺陷浓度的降低和晶格畸变的减小，这两种因素的共同作用决定了刺余极化的变化。样品的变温介电谱显示，晶体的居里温度随掺杂量的增加而下降。在掺杂量大于0．75以后，SBLT—x和SBNT—y样品均出现驰豫铁电体的典型特征。     

La0.7-xDyxSr0.3MnO3体系的输运行为研究

研究了La位Dy掺杂对La0.7～xDyxSr0.3MnO3(x=0．00、0．10、0．15、0．20、0．30、0．40、0．50、0．60、0．70)体系输运行为的影响．实验结果表明：随Dy掺杂的增加，体系由长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变．高掺杂时的输运性质在其磁背景下发生异常，在x=0．50时，发现了在ABO3结构中很少出现过的在Tc附近发生绝缘体-金属相变之后又发生从金属一绝缘体相变的现象；对x=0．60，0．70，在远离Tc的温区体系表现为绝缘体．     

Ga掺杂Zn4Sb3体系热电性能的研究

首先在5-310K温度范围内，研究了Ga替代对化合物（Zn1-xGax）4Sb3的低温热电性能的影响。研究发现相对于无掺杂的Zn4Sb3，（Zn1-xGAx）4Sb3（x≠0）的低温热导率明显减小，而且随着Ga替代量的增加而不断减小。另外，轻掺杂条件下（X≤0．15），掺杂后的电阻率和热电势都减小．而随后对β-Zn4Sb3和β-（Zn0.85Ga0.15）4Sb3的高温（300-670K）热电性能进行了测量，结果充分表明合适量的Ga替代Zn（比如x=0．15），可以优化β-Zn4Sb3的高温热电性能。     

Nb2O5和Sm2O3复合掺杂Ba0.9Sr0．1TiO3陶瓷

研究了NbzO5和Sm2O3复合掺杂对Ba0.9Sr0.1TiO3陶瓷微观结构和介电性能的影响。结果表明：Nb2O5、Sm2O3复合掺杂Ba0.9Sr0.1TiO3陶瓷1510℃致密烧结,Nb5＋、Sm3＋共同占据钛位,形成稳定的、单相的钙钛矿结构。随着添加量X的增加,介电常数ε,和击穿电压Eb先增加后降低,介质损耗tanδ先降低后增大。掺杂适量的Nb2O5和Sm2O3,可明显提高材料的ε,降低tanδ。x=0．04时,获得了较好的介电性能（εr=6168、tanδ=0．0024、Eb=14．3MV·m^-1、绝缘电阻率ρ〉10^12Ω·cm）的高压电容器陶瓷。     

层状结构锰氧化物La2-2xSr1+2xMn2O7的EXAFS研究

采用溶胶—凝胶法和传统的固相反应法相结合,制备了双层钙钛矿结构锰氧化物La2-2xSr1 2xMn2O7较宽掺杂范围内(0．2≤x≤0．6)系列单相样品,并测量了各样品的X射线衍射谱(XRD)和扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)谱。通过对XRD的分析证实样品均为Sr3Ti2O7型四方结构,空间群为I4／mmm,同时发现晶格参数a随掺杂量x的变化几乎不变,而c随x的增加则明显减小。通过对EXAFS的分析和研究得到MnO6八面体中c轴方向的Mn—O键长和Jahn—Teller畸变量△JT随掺杂浓度x的变化,发现在最佳掺杂浓度x=0．33附近,J-T畸变最大,显示出La2-2xSr1 2xMn2O7(0．2≤x≤0．6)系列锰氧化物的磁电性能与畸变量△JT密切相关。     

合金Gd6Mn23-xNix（x=0．0，0．4，0．8，1．0，1．2，1．4）的磁性能研究

本文利用X射线衍射对Gd6Mn23-xNix（x=0．0，0．4，0．8，1．0，1．2，1．4）合金进行了研究，该合金属于立方晶系，为面心立方，具有Th6Mn23结构。随着Ni含量的增加谱线发生偏移，其点阵参数逐渐减少。用振动样品磁强计测定了合金的磁滞回线和磁化强度，剩余磁化强度和矫顽力。实验表明，剩余磁化强度，矫顽力Ho及磁损耗都非常低，较好地达到了软磁材料的性能要求。还研究了饱和磁化强度及磁化率随点阵参数及Ni含量的变化规律。     

La0．7Ce0．3（Fel-xCox）11．44Si1．56（x=0．04、0．06、0．08）合金的结构与磁热效应

通过X射线衍射仪研究了1300℃退火1h后的La0．7Ce0．3（Fel-xCox）11．44Si1．56（x=0．04、0．06、0．08）合金的相结构。采用振动样品磁强计研究了合金的磁性能。结果表明，合金主相具有NaZn13型结构，含有少量α-Fe和LaFeSi杂相；x=0．04、0．06和0．08时，合金的居里温度Tc分别为230．8、261、288．9K，在1．1T的外磁场变化下，等温磁熵变｜ΔSM｜分别为2．44、1．86和1．55J／（kg·K）。     

Na0．75Co1-xErxO2的磁电阻

NaxCoO2具有奇异热电性质和电磁性质的强关联体系。为进一步探索材料中的电磁性质,制备出Na0．75Co1-xErxO2（0≤x≤0．10）多晶样品。对系统的电阻率、磁电阻和磁化率进行测量,结果显示,加磁场后系统的电阻减小,表明磁性离子对传导电子的散射作用;有效磁矩会随着Er的掺杂浓度增加迅速增大,3％的Er掺杂就能使有效磁矩几乎增大一倍;当系统的磁电阻达到15％,意味着Er的掺杂导致系统出现异常的电磁性质。     

La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的输运行为

研究了Co位Fe掺杂对La0．67Sr0．33Col—xFexo3体系的电输运性质和超大磁阻效应的影响．实验结果表明：在低掺杂(x≤0．1)时电阻率表现出金属性输运行为，在高掺杂(x＝0．2和0．3)时则为半导体行为．Fe掺杂削弱了Te处的MR峰值，但增加了低温下(T《Te)的MR值．La0．67Sr0．33Col—xFe2o3体系的磁电阻的起源可由外加磁场导致的自旋态转变来解释。     

Bi掺杂对La0.67Ca0.33MnO3化合物磁性和导电特性的影响

与La的离子半径基本相同的Bi掺杂对钙钛矿锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的磁性和电输运性质有显著影响。掺杂使居里温度和磁化强度单调降低，电阻率和磁电阻随掺杂量增加先得到加强，然后又随着掺杂量的继续增加而降低。掺杂量达x=0.2时，试样在5－300K温度范围内表现为半导体特性，在ρ（T）及M（T）曲线上有两个以上相变，认为是铁磁相互作用与电荷有序转变竞争的结果。     

Y3+共掺杂对掺 Er3+: Al2O3粉末光致发光的增强作用

采用非水性溶胶-凝胶法制备了Y^3＋共掺杂的掺Er^3＋：Al2O3粉末，Er^3＋浓度为0．1和1．0mol％，Er^3＋和Y^3＋浓度比为1：0-10．X射线衍射和光致发光（PL）光谱结果表明：900℃烧结的掺0．1和1．0mol％Er^3＋：Al2O3粉末为具有非晶化特征的γ和θ混合相结构，非晶化趋势随Y^3＋共掺杂浓度增大而增加．掺0．1mol％Er^3＋：Al2O3粉末，PL光谱强度和半高宽随掺Y^3＋浓度增大无明显变化．掺1．0mol％Er^3＋：Al2O3粉末，PL光谱强度和半高宽随掺Y^3＋浓度增大而增加，10mol％Y^3＋共掺杂粉末的发光强度提高50倍，约为掺0．1m01％Er^3＋：Al2O3粉末的10倍，半高宽从77nm增至92nm．Y^3＋共掺杂对较高浓度掺Er^3＋：Al2O3粉末PL性能的增强作用归因于Y^3＋对Er^3＋在基体中的分散和配位结构多样性的提高．