P-Ge_(0.05)Si_(0.95)/P-Si异质结的I-V特性和光响应

在P型（100）Si衬底上，采用MBE法生长一层厚约2．5μm的P-Ge0.05Si0.95，形成P-GeSi／P－Si异质结。测试了它的I一V特性，并用双肖特基二极管模型进行了分析，两者大体符合。测试还发现，在白光强度和爱光面积相同的情况下，P－Ge0.05Si0.95／P－Si异质结的光响应电流是SiPIN结构的7-8倍。     

CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n(SOI)光电探测器(英文)

报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表明 :其工作波长范围为 0 .7～ 1.1μm,在峰值响应波长为 0 .93μm,响应度为 0 .38A/W.在3.0 V的偏压下 ,其暗电流小于 1n A,寄生电容小于 1.0 p F,上升时间为 2 .5 ns.其良好的光电特性以及与 CMOS工艺的兼容性 ,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试 ,在高速光信号探测等应用中有一定的价值     

16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺

研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性，实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高沉积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。     

近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试

设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了可能     

Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长

采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质结中SiGe外延层生长的影响。结果表明,低能条件下(30keV)离子注入有利于形成SiGe外延层;通过对SiGe外延层高分辨晶格像的傅立叶分析得出,900℃下进行固相外延能够有效抑制SiGe外延层中点缺陷的生成;而且利用该技术外延生长的SiGe层完全弛豫。     

GeSi／Si异质结红外探测器结构参数设计

文章对分子束外延的GeSi／Si异质结红外探测器关键参数进行了分析研究,采用经典理论对器件结构参数进行了计算,结果与实验数据吻合。     

Si_(1-x)Ge_x/Si多层异质外延结构的研究

对制作的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多层异质外延结构进行了研究。并对其做了反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扩展电阻（ＳＲ）等测量,给出了利用这种结构研制出的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的输出特性曲线。     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si超晶格光探测器与Si波导的集成探讨:光场分析

对Ge0.4Si0.6／Si超晶格探测器光场进行了分析，并用京传播法（BPM）进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输的条件下，推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。另外还提出了这种探测器的设计长度与波导尺寸之间的依赖关系。     

量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)在阱平面方向上的电子能带色散关系

采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ge0．3Si0．7（001）衬底上的导带电子量子阱Ge0．3Si0．7／Si／Ge0．3Si0．7的电子束缚能级，对它们在阶平面方向上的色散关系进行了讨论。     

Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的光场分析及设计

利用有效折射率法分析了Ge0.05Si0.95／Si脊形光波导的光场分布，得到了这种光波导在传输单模时内脊高b、外脊高h和脊宽W的合理取值，还为其它光波导器件的设计奠定了基础。     

Si电光调制器与GeSi／Si异质结探测器的集成

提出了一种调制器与探测器集成的方案。它是在＜１００＞ｎ＾＋－Ｓｉ衬底上用外延、两次扩散等常规工艺先制作Ｓｉ脊表波导光调制器，接着在调制器光输出端的波导上用分子束外延和反应离子刻蚀制作ｐ－Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／ｐ－Ｓｉ探测器。     

复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构

采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7／（Ge0.3Si0.7）m-（Si）m／Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx＜0.1（2π/a）范围内基本上不随kx变化。     

三组三元合金异质结的价带带阶

采用基于LMTO－ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法，研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs，（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs和AlxGa1-xAs／GaAs的价带带阶△Ev（x）值。研究表明：AlxGa1-xAs／GaAs异质结的Mv（x）值随合金组分x的变化接近于线性；（GaAs）x（Ge2）1-x／GaAs和（AlAs）x（Ge2）1-x／GaAs的△Ev（x）值随合金组分x的变化是非线性的。△Ev（x）的理论计算值与实验结果相当符合。     

Ge_xSi_1-x/Si异质结构的近红外吸收光谱测量

测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)合金层的带隙分别为1.02eV 和O.88eV,与相同组分的体合金一致。结果表明用红外吸收光谱测量研究异质结构薄层材料的能带结构及带隙是一种准确、简便的方法。     

Ge_xSi_(1-x)电光调制器与探测器的集成

在Ge_xSi_1-x电光调制器和探测器已经问世的基础上，提出了一种将它们集成起来的结构，通过原理和工艺技术的分析，认为这种光电集成是完全可以实现的。