脉冲激光法室温下沉积紫外发光AZO薄膜

在室温下利用脉冲激光沉积法,以石英玻璃为基体成功制备了具有优良光改发光特性的铝掺杂氧化锌晶体薄膜(AZO),激光烧蚀所用的靶材采用自制的合金靶(Zn∶Al 3%,质量分数,下同),沉积过程中保持固定的氧压(10 Pa)和不同的激光能量密度,薄膜结构以XRD表征,铝掺杂氧化锌薄膜的室温PL谱表明,紫外发光中心在359～361 nm.     

靶基距对脉冲激光沉积CNx薄膜微结构和摩擦学性能的影响

用脉冲激光沉积法制备CNx靶材在氮气中进行烧蚀,在不同靶基距下制备了CNx薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子谱(XPS)和Raman光谱等对薄膜的表面形貌、化学成分以及元素化学状态进行了表征.用球盘式微型摩擦磨损试验仪测试了薄膜在大气中的摩擦学特性.结果表明:随着靶基距增大到45 mm时,CNx薄膜中的含氮量(原子数分数)上升至23.9％,有利于sp3C-C键和N-sp3C键的形成.当靶基距从45 mm增大至51 mm时,薄膜的含氮量下降至15.5％,薄膜中sp3 C-N键和N-sp3C键的相对原子数分数亦随之减少,薄膜中的s p2 C-C键的相对原子数分数从45.2％增加至55.9％,磨损率从4.3×10-15m3/Nm上升至3.1×10-14 m3/Nm.CNx薄膜的平均摩擦因数随着靶基距的增大从0.25下降到0.18.     

衬底温度对脉冲激光沉积氧化锌薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。运用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)对衬底温度在300⁷00℃条件下沉积的氧化锌薄膜进行表征,研究了衬底温度对氧化锌薄膜结构和发光特性的影响。实验表明,700℃条件下沉积的薄膜具有相对较好的结晶质量,其X射线衍射峰半高宽(FWHM)最窄,晶粒最大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰的比值显著增强。     

柔性衬底ITO透明导电薄膜的光电性能研究

利用直流磁控溅射方法在柔性聚酯薄膜衬底上制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，采用X射线衍射、紫外．可见分光光度计、四探针电阻测量仪等测试手段对薄膜样品进行表征，研究了氧含量、薄膜厚度、村底负偏压对ITO薄膜的晶体结构和光电性能的影响，优化了柔性衬底ITO薄膜的制备工艺条件。制得样品的最佳可见光平均透过率为85．6％，方块电阻为6Ω／口。     

氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响

采用射频磁控溅射法，在不同氧流量（0～10sccm）的条件下沉积了铟锡氧化物（In2O3-SnO2）透明导电薄膜。紫外分光光度计测试薄膜的透射率，四点探针测试薄膜的方阻，椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度，XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构。结果表明：薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关，薄膜厚度为60nm，氧流量在9sccm时，透射率超过80％（波长λ=400nm～700nm，包括玻璃基体），退火后透射率、方阻明显改善。XPS分析表明，薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能，控制氧流量可减少亚氧化物。     

通过喷涂的方法使用单壁碳纳米管制备柔性透明导电薄膜

采用喷涂的方法将分散剂SDS和去离子水分散好的单壁碳纳米管（SWCNTs）喷到基底为聚对苯二甲酸乙二酯PET上制备柔性透明导电薄膜（TCFs）,这种柔性透明导电薄膜具有很高的柔韧性和透明度,当然这种柔性透明导电薄膜（TCFs）的面电阻和透明度与单壁碳纳米（SWCNTs）的长度、直径、缺陷、手征、纯度及分散度等相关,而且分散程度对于柔性透明导电薄膜（TCFs）的特性有很大的影响。     

柔性基底上直流磁控溅射沉积金属铝膜的研究

采用直流磁控溅射法在棉布、涤纶、芳纶织物上制备金属铝膜,研究了铝膜的沉积速率、组织结构和表面形貌。结果表明:在一定的范围内,沉积速率随溅射功率的增大近似呈线性增加,随溅射气压的增加先升后降;基底材料对铝膜的组织结构有较大影响,在涤纶和棉布上沉积的铝膜才呈现出典型的多晶态面心立方结构,在芳纶和涤纶上获得的铝膜较棉布上的铝膜更为均匀、致密;在一定范围内,溅射功率的增大有助于提高铝膜质量。     

基片温度对铌掺杂ITO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率。XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相;AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2×10-4·cm。电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加。ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87%,且随着温度的升高,吸收边发生"红移",禁带宽度逐渐增加。     

退火时间对射频溅射p型透明SnO_2/Al/SnO_2导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响(英文)

采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火处理,研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。X射线衍射结果表明:所制备的p型导电薄膜具有四方金红石型多晶SnO2结构。霍尔效应结果显示:500°C,1 h为最佳退火条件,该条件下SnO2/Al/SnO2复合薄膜的孔隙浓度为1.14×1018 cm-3、电阻率为1.38?·cm。退火时间为1~8 h时,p型SnO2/Al/SnO2复合薄膜的光透射率可达80%以上,退火1 h时薄膜的光透射率达到最大值。     

还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响

纳米银线和还原氧化石墨烯为导电相,混合纤维素膜为基底,采用真空抽滤法制备了柔性透明导电薄膜。研究了还原氧化石墨烯对柔性透明导电薄膜的光电及机械性能的影响。研究结果表明,随着还原氧化石墨烯含量的增加,导电薄膜的透过率变化不大,但薄膜的方阻逐渐下降。通过胶带测试200次原位监控方阻变化以及弯曲疲劳200次测试原位监控方阻变化研究纳米银线和石墨烯导电相在混合纤维素膜表面的附着力和薄膜的弯曲疲劳特性。研究结果表明,经过200次的胶带测试,薄膜的方阻几乎没有改变。弯曲测试结果表明,薄膜方阻约有3%的改变。说明薄膜具有良好的稳定性。分析认为,纳米银线-石墨烯复合薄膜具有良好的稳定性与纳米银线和石墨烯埋在混合纤维素膜表面有关。     

脉冲激光沉积技术制备IrO2薄膜的研究

利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜.讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响.结果表明20 Pa为最佳O2分压、400℃～500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm.     

脉冲激光沉积掺W类金刚石膜的性能

采用氟化氪（KrF）脉冲准分子激光烧蚀沉积（PLD）技术,在硅基体表面制备不同掺W时间的类金刚石薄膜（W-DLC）。利用AFM、XRD、Raman、纳米压痕等手段分析和研究薄膜的表面形貌、结构以及部分性能。结果表明：W掺入后形成了α-W2C和WC相,并且没有明显改变薄膜中sp2和sp3键的含量,薄膜的表面粗糙度基本不受W掺入时间的影响,残余应力降低约1个数量级（二十几个GPa下降到几个GPa）,硬度和弹性模量随W掺入时间的增加而逐渐降低。     

基于石墨烯透明导电薄膜的OLED研究进展

作为透明导电薄膜材料,石墨烯（Graphene）因具有十分优异的力学、光学和电学特性,在未来的柔性光电器件如触摸屏、有机发光二极管（OLED）和有机光伏电池（OPV）中表现出极大的发展潜力和广阔的应用前景。然而,受面电阻大、功函数不匹配以及表面粗糙度等关键因素的影响,基于本征石墨烯薄膜的光电器件的性能较低、稳定性较差,严重阻碍了石墨烯薄膜在柔性光电器件中的发展和应用。主要针对近年来石墨烯透明导电薄膜在OLED中应用的研究进展进行概述,并总结得出可以通过石墨烯薄膜掺杂、表面功函数修饰、清洁无损转移,以及器件结构优化等方法,进一步提高器件的性能。最后分析了石墨烯透明导电薄膜在OLED器件应用中的关键技术瓶颈,并对石墨烯透明导电薄膜在OLED中的应用前景进行了展望。     

功能梯度类金刚石薄膜的脉冲激光制备

长期以来 ,高质量的纯类金刚石薄膜的成功制备一直受其巨大内部压应力的阻碍 ,因为这种压应力导致严重的附着问题。厚度大于 50 0nm的类金刚石薄膜中的压应力常使薄膜与基体剥离。作者采用功能梯度的设计概念 ,应用准分子脉冲激光沉积方法 ,成功制备了厚度超过 1 0 μm的高质量类金刚石薄膜。薄膜中的SP3碳原子含量超过 6 0 %。纳米硬度测试表明 ,薄膜的弹性模量高达 50 0GPa ,纳米硬度高达 6 0GPa ,薄膜与基体间附着良好。证明功能梯度的设计概念可以用于制备较厚的超硬类金刚石薄膜。     

脉冲激光沉积羟基磷灰石(HAP)生物陶瓷涂层的研究进展

脉冲激光沉积法制备HAP生物陶瓷涂层是一项极有发展潜力的新技术。本文介绍了采用脉冲激光沉积法制备HAP生物陶瓷涂层的研究背景、原理与意义,并对其4个主要研究方向：溅射机理、沉积条件与涂层质量的关系、HAP涂层的生理功能、脉冲激光沉积新工艺的最新研究现状进行了概括与总结。     

纯相磷酸铁锂PLD靶材合成和表征

本研究着眼于确定制备纯相Li Fe PO4脉冲激光沉积靶材的合成条件。通过TG-DTA实验分析合成过程,XRD检测确定晶相,SEM观察表面形貌。结果表明,采用液相法在800℃、通有氩气(93%)和氢气(7%)的混合气体中焙烧制得纯相的Li Fe PO4粉末,经压合焙烧获得了纯相、高结晶度、大晶粒的Li Fe PO4靶材。利用脉冲激光技术沉积Li Fe PO4薄膜,薄膜结构致密,晶粒粒径达纳米级别。     

纳米银线柔性透明导电薄膜的制备及应用现状

纳米银线因拥有良好的导电性,优异的透光性、柔性,原料来源广等特点,被认为是透明导电薄膜领域的下一代新型材料,其制备研究日益受到人们的广泛关注。以此为基础,对纳米银线柔性透明导电薄膜的制备方法及其研究进展进行了简介,并对其发展及应用现状进行了展望。