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基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13~14GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率Po>38dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20dB,典型功率附加效率PAE>28%;第二款电路的饱和输出功率Po>40dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19dB,典型功率附加效率PAE>28%。结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能。 相似文献
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介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程。芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAsMM IC测试技术等进行了相应描述。在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计。在4英寸(100 mm)0.25μmGaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5~15.0 GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率Po大于34.7 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4 dB。该芯片可以应用到许多微波系统中。 相似文献
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采用GaAs离子注入工艺,研制了GaAsX/Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm,频率9—13GHz,增益大于9.5dB,输出功率3W(f=11GHz时达4W),效率≥22%(11GHz时达30%)。 相似文献
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固态功率放大器(SSPA)常应用于微波发射机系统.相对于传统电真空发射机,固态发射机具有寿命长、易获得长脉冲宽度、工作电压低及不需要预热时间等主要优点.固态功率放大器可完成功率放大、对射频信号进行脉冲调制、高电压隔离变换及过压、过热等多种保护功能. 相似文献
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报道了工作频率分别为10.7-11.6GHz和11.7-12.2GHzGaAs单片接收机的研制结果。接收机并包括四种电路,即低噪声效大器、介质稳频振荡器、混频器和中频放大器。电路均采用GaAs全离子注入平面工艺创作,并封装在金属管壳内测试.10.7-11.6GHz接收机的噪声系数达到3.5dB,增益大于35dB;11.7-12.2GHz接收机的噪声系数可达到4dB,增益大于31dB。 相似文献
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在芯片尺寸为4.3×2.1×0.1mm的GaAs片上设计和制造了工作在X波段的单端宽带功率放大器。该放大器的1dB小信号带宽为2GHz,在频带中心点连续波工作具有9dB增益,大于1.6W的功率输出以及20%的功率附加效率。最近发展起来的,并具有潜在高产能力的Ta_2O_5电容器技术使小芯片尺寸成为可能。 相似文献
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随着GaAsFET 和MMIC 技术的发展,GaAs 微波功率器件在微波系统中得到了广泛的应用。文中设计了由3个固态功率器件级联的微波功率放大器,通过减宽腔体有效的抑制了因增益过高引起的自激现象,设计了紧凑的MMIC偏置电路以及散热结构。经测试证明,该模块在13.9~14.4GHz 范围内输出功率大于42dBm 相似文献
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本文报道了一款工作于Ku波段的高功率密度单片集成功率放大器。该放大器采用金属有机化学气相淀积技术在2英寸半绝缘 4H-SiC衬底上生长0.2um AlGaN/GaN HEMTs工艺制作而成。在10%占空比的脉冲偏置Vds=25V,Vgs=-4V条件下,该单片放大器在12-14GHz频率范围内得到最大输出功率38dBm(6.3W),最高PAE 24.2%和线性增益6.4到7.5dB。以这种功率水平而论,该放大器的功率密度超过5W/mm。 相似文献
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本文报道了一种工作在16.0~17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内. 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2016,(4)
报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该器件设计了三级放大电路,在75~110GHz频段内最大小信号增益为21dB。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117W,PAE为13%,功率增益为11dB,输出功率密度为2.33 W/mm。 相似文献
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介绍了X波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果。该放大器工作频率高、增益高,同时具有一定的输出功率,适用于各种应用环境。X波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8~10 GHz,典型输出功率≥20.5 dBm,功率增益≥19 dB,工作电流≤100 mA。 相似文献
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<正>自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,逐渐取代了采用PIN管作为控制器件的移相器. 相似文献
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研制了Ku波段多级功率放大器。该放大器采用难度大但尺寸小的级间共用匹配电路方式进行级间匹配。达到指标要求。 相似文献