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以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃~ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃~ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。 相似文献
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用sol-gel法在不锈钢基片上制备TiO2薄膜 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍利用钛酸丁酯为前驱液, 用sol-gel法在不锈钢基片上制备TiO2 薄膜。研究分析了冰醋酸、乙酰丙酮等添加物对溶胶性能的影响,对制备在不锈钢基片上的TiO2 薄膜进行XRD分析,并检测薄膜的阻-温特性、V-I特性、绝缘强度等电学特性。实验显示添加一定比例的H2O、冰醋酸、乙酰丙酮, 可以得到长时间不胶凝、性能稳定的溶胶,通过适当工艺, 能在金属基片上制备出致密、不开裂、电阻率为105 ~106 Ω·cm 的TiO2 薄膜。 相似文献
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采用激光束反射偏转法测量了用溶胶-凝胶法在Si(11)基片上制备的TiO2-SiO2复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力,应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系,其应力随热处理温度的增加而由张应力转变为压应力;当热处理温度较低时,随膜厚的增加,其应力增大,而最终导致膜的开裂,薄膜的最大不开裂厚度随热处理温度和TiO2含量的增加而增加。 相似文献
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本文对采用MOD法制备的PLZT(8/65/35)铁电薄膜的电性能进行了研究。MOD法可以在ITO/G,Pt/Ti/Si和Pt/LN基片上制备出具有优良铁电性能的PLZT铁电薄膜,采用Pt下电极的PLZT薄膜,Ps〉32μC/cm^2,而采用ITO电极的也得到了Ps=27μC/cm^2的好结果。本文还讨论了下电极和基片对薄膜电性能的影响。 相似文献
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高度取向ZnO薄膜的介电和光波导特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用溶胶凝胶法在不同的基片上制备了具有高度 c 轴即(002)取向的 Zn O 薄膜,研究了溶剂、稳定剂等对合成的先体溶液的影响。对薄膜的 X R D 分析表明随热处理温度的增加,c 轴取向度增大,并且薄膜的晶粒尺寸在 300 ° C~500 ° C 范围内增幅较大。用端面耦合的方法测量了制备在 Si O2/ Si(111)基片上薄膜的波导损耗,即随热处理温度的增加,波导损耗增大,主要来源于 Zn O 薄膜与 Si O2 的界面及晶粒的散射。制备在 Pt/ Si O2/ Si(111)基片上薄膜的相对介电常数为 7~13,电阻率则为 1.7×104 Ω·cm ~9.8×105 Ω·cm 。 相似文献
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本文采用高温烧结和真空蒸发制备了CdTe光敏薄膜,探讨了制备工艺对CdTe薄膜性能和结构的影响,得到在基片温度为130℃左右制备的CdTe薄膜具有明显的光敏特性,并得到CdTe材料的禁带宽度为1.63eV。利用X衍射对不同基片温度下制备的CdTe薄膜材料进行了结构分析,发现基片温度为130℃左右制备的CdTe薄膜具有明显的衍射峰。 相似文献