灯和指示器

当电流为20mA时,FX5366X系列LED的亮度最高可达2500mcd。该A1GaInP器件有635nm(最大亮度为1800mcd)、609nm(最大亮度为2500mcd)和     

0．5W直角白光LED

直角DomiLED高光照强度白光LED系列DSW-NSG及暖白光LED系列DSF-NSG可取代现有的DSW-USD产品。当驱动电流仅有20mA时,白光LED的发光强度为1200mcd（典型值）,暖白光LED的发光强度为1000mcd（典型值）。由于其采用硅封装和低热阻设计,因此使用寿命长。     

光电器件

5500mcd的LED表面贴装LED的输入电流为75～175mA,亮度为5500mcd,视角为120°,可发出635nm的红色、592nm的黄色、525nm的绿色、470nm的蓝色和白色光。封装尺寸为6.0mm×6.0mm×1.5mm,可采用IR和回流焊。American Opto Plushttp://www.apoled.com用于汽车的红色LED628nm的红色LED在20mA电流时的照明亮度可达25mcd,一半亮度的发射角为60°,每个封装的照明亮度比为1.6和2.0以保证平均发光。使用温度为-40～100℃,采用P-LCC-2封装。Vishayhttp://www.vishay.com低光应用的光电二极管S8593 5-x-5单位的光电二极管阵列用于低光探测应用,…     

涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管

采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在 2 0mA的电流注入情况下 ,得到的发光波长峰值 6 48nm ,平均亮度 38.9mcd ,最高亮度达到4 9.8mcd ,封装成发射角为 15°的LED灯 ,平均亮度达到 2 0 0 0mcd。     

MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.     

新元器件快讯(七) 白色LED驱动器

白色LED不仅用作小型彩色LCD的背光照明，并H由于它发光强度高（可达10000mcd）、寿命长，现在已逐步用于普通照明（手电筒、应急灯、小型照明灯），并且采用大功率白色LED受利用脉冲大电流供电可制成闪光灯，用于数码相机闪光灯、顿闪设备及广告闪光灯。     

安捷伦为户外标志和信号应用推5mm椭圆形AlInGaP LED

这一系列的AlInGaP(磷化铝铟镓)LED可在高达70mA的电流下工作,实现更高的光输出,新型中等功率红色(波长为630nm)和琥珀色(波长为590nm)LED采用椭圆形发光模式的5mm(T-13/4)半圆形双孔直插封装技术。其红色和琥珀色LED在70mA的正向电流下分别可实现3309mcd和2521mcd的典型发光度。如果以相同数量的LED来设计标志,则可大幅提升亮度,改善易读性和对比效果。其引线间距和封装都与传统的高亮度5m m椭圆形LED相兼容,因此在升级时不需要做任何机械的改变。椭圆形发光模式的LED与标准的LED产品相比,不但扩大了视角,而且增强了亮度,这使…     

Fabrication and property analysis of AlGaInP red light LED with high bright

The LED with DBR and enhancing transmission film was grown by MOCVD. At 20 mA DC injection current, the LED peak wavelength was 623 nm, the light intensity was 200 mcd, and the output light power was 2.14 mW. The light intensity and output light power have been improved than traditional LED.     

两种美制LED

东芝美国电子元件公司制造的 TLYA 190P 琥珀色 LED,采用 InGaAIP 技术,在4°观看角范围发光强度达到6000 mcd,透镜直径10 mm,峰值波长590 nm。基片上方的反射器用以防止光吸收。各种不同的透镜直径、发光强度和视角可组成多种多样的 LED。     

高功率GaN p—n结蓝色发光二极管

用具有 GaN 缓冲层的 GaN 薄膜制备出高功率 p—n 结蓝色发光二极管(LEDs)。外部量子效率高达0.18%,输出功率比常规的亮度为8mcd 的 SiC 蓝色 LEDs 高出10倍。在正向电流为20mA 的条件下,正向电压低至4V;这是报导过的 GaNLEDs 中最低的正向电压值。峰值波长和半最大值全宽度(FWHM)分别为430nm 和55nm。     

基于Firpic发光的高效率蓝色有机发光器件

为了充分利用发光层中主客体间的能量转移和空穴阻挡层（HBL）的空穴阻挡作用,制作了结构为ITO/m-MTDATA（25 nm）/NPB（15 nm）/Ir（ppz）3（10 nm）/Simcp：Firpic（30 nm,6%）/HBL（35 nm）/LiF（1 nm）/Al（200 nm）的高效率蓝光器件,研究了3种类...     

ZnO∶Al替代ITO作透明导电膜的应用

研究了AZO(ZnO∶Al)替代ITO透明导电膜在GaN基LED中的应用,通过脉冲激光沉积和磁控溅射法制作了AZO薄膜,分析了AZO与p型GaN不良的欧姆接触的物理机理,并利用插入ITO薄层来改善接触电阻,实验用ITO 20nm/AZO 500nm的复合导电薄膜做透明导电薄膜,成功得到了波长为525.74nm、亮度为380.88mcd、电压为3.35V的GaN基绿光LED芯片,相当于单一ITO透明导电膜的性能,整个试验工艺中减少了ITO的使用量,降低了LED芯片的制造成本。     

Vishay推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装技术的白光功率SMD LED

口前,Vishay Intertechnology,Inc．推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED——VLMW63．．系列和VLMW64..系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN／TAG技术、2240mcd至5600mcd的高光功率。     

采用超亮InGan技术的新款LED

VLHW4100是一款新型白光、无散射的3mmLED,针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。其使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd。     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器,发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光。这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的     

高亮度AIGalnP红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20mA注入电流下,LED的峰值波长为623nm,光强达到200mcd,输出光功率为2.14mW。与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高。     

高亮度AlGaInP红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为623 nm,光强达到200 mcd,输出光功率为2.14 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.     

宽反射角DBR红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为630 nm,轴向光强达到137 mcd,输出光功率为2.32 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.     

采用PLCC-2封装的新款紫外线LED

VLMU3100面向粘合剂固化等非常广泛的应用市场,可用做水银蒸汽灯的固态替代产品。VLMU3100在20mA下的典型发光强度为11mcd,典型波长为405nm,3.2V的正向压降有助于降低功耗。VLMU3100的PLCC-2封装由引线框组成,引线框嵌入在白色的热塑性塑料里,具有很长的使用寿命。封装里的反射镜是用纯净的硅树脂铸成的,具有     

Vishy推出采用超亮InGan技术的新款LED

日前,Vishay宣布,推出一款新型白光、无散射的3mmLED—VLHW4100。该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd。