氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制行出氮化铁梯度薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对样品进行了深度剖面分析，铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。Ｘ射线衍射表明膜中含有α＝Ｆｅ，－Ｆｅ１６Ｎ２，ε－ＦｅｘＮ（２〈ｘ≤３）和δ－Ｆｅ２Ｎ各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响．加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的．当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ~（－１）时,矫顽力 Ｈ_ｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ．当氮流量为０．８ｍＬ·ｍｉｎ_（－１）时,饱和磁化强度达到Ｍ_ｓ＝２．３６Ｔ．在 Ｆｅ－Ｎ薄膜中未发现γ’－Ｆｅ４Ｎ和 α”－Ｆｅ１６Ｎ２．     

磁控溅射Fe—N薄膜及Fe—N／TiN多层膜的结构和磁性

用磁控溅射法制备了Ｆｅ－Ｎ薄膜和Ｆｅ－Ｎ／ＴｉＮ多层膜。结果表明,在常温下,使用较小的氮、氩比溅射,生成的Ｆｅ－Ｎ薄膜主要是含氮α－Ｆｅ固溶体,并且Ｎ原子进入α－Ｆｅ晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Ｆｅ－Ｎ／ＴｉＮ多层膜的层间耦合作用以及减小每－Ｆｅ－Ｎ层厚度而引起的晶粒尺寸的减小可以有效地降低薄膜的矫顽力,从而获得更好的软磁性能。     

Fe—N／Ti—N纳米多层膜结构和磁性研究

用磁控溅射技术制备了周期性良好的Ｆｅ－Ｎ／Ｔｉ－Ｎ纳米多层膜。Ｔｉ－Ｎ单的厚度固定为３ｎｍ，Ｆｅ－Ｎ单层的厚度在２．５－１１ｎｍ之间变化，用振动样品磁强计研究了样品的磁性，用Ｘ射线衍射研究了样品的结构。发现在Ｆｅ－Ｎ层罗薄的样品中，饱和磁化强度明显提高，而矫顽力在所有样品中基本相同。     

IBAD薄膜与基体界面的显微结构

采用中能离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术，在单晶Ａｌ２Ｏ３（０００１）基片上沉积Ｍｏ膜，在ＧＡＡｓ（００１）基片上合成Ｆｅ１６Ｎ２薄膜，用ＨＲＥＭ等研究了Ｍｏｅａｊｄ－Ａｌ２Ｏ３（０００１），Ｆｅ１６ｎ２膜－ＧａＡｓ（００１）界面的显微结构，结果表明：Ｍｏ膜的晶粒呈细小柱状或纤维状，晶粒平均尺寸约８ｎｍ，Ｆｅ１６Ｎ２薄膜为等轴晶，晶粒平均尺寸约为１０ｎｍ，在Ｍｏ膜－Ａｌ２Ｏ３（０００１）界面及Ｆｅ１     

对向靶溅射高饱和磁化强度（Fe,Ti）—N薄膜

本实验用对向靶溅射仪分别在Ｓｉ（１００），ＮａＣｌ单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为０．０４－０．０７Ｐａ，衬底温度淡１００－１５０℃时，有利于Ｆｅ１６Ｎ２相的形成，在此条件下制备的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜的饱和磁化强度为２．３－２。．４６Ｔ，超过纯Ｆｅ的饱和磁化强度值。     

一种制备r—Fe2O3薄膜的新方法

采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜。该工艺分３步完成：首先利用Ｆｅ（ＮＯ２）３酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备ａ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，其次ａ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜在氢气流中、３２０￣３５０℃之间热处理３０ｍｉｎ被还原为Ｆｅ３Ｏ４薄膜，最后Ｆｅ３Ｏ４薄膜在空气中２５０℃左右热处理３０ｍｉｎ被氧化为ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＳＥＭ分析结果表明该ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜呈尖晶石物相和     

一种制备γ－Fe_2O_3薄膜的新方法

采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜。该工艺分３步完成：首先利用Ｆｅ（ＮＯ＿３）＿３酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜，其次α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜在氢气流中、３２０～３５０℃之间热处理３０ｍｉｎ被还原为Ｆｅ＿３Ｏ＿４薄膜，最后Ｆｅ＿３Ｏ＿４薄膜在空气中２５０℃左右热处理３０ｍｉｎ被氧化为γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜。ＸＲＤ和ＳＥＭ分析结果表明该γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜呈尖晶石物相和自由取向，晶粒为针形，具有疏松多孔的微结构。     

一种溶胶凝胶新途径制备的氧化铁薄膜

将硝酸铁加入乙酰丙酮及２－甲氧基乙醇混合液，反应后用以制备透明均匀的Ｆｅ２Ｏ３薄膜，ＦＴＩＲ谱主宰在涂膜液中有乙酰丙酮铁生成；ＸＲＤ结果表明４００℃以上热处理后有α－Ｆｅ２Ｏ３结晶相存在，由反射谱结果推算了薄膜的厚度及折射率。     

溅射——气体——聚集共沉积法制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜

提出了溅射－气体－聚集共沉积制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ及ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明，样品中Ｆｅ（Ｃｕ）团簇都较好地镶嵌于Ａｇ（ＣａＦ２）基质中，其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现，与块材相比，Ｆｅ／Ａｇ样品中Ｆｅ团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩，而Ｃｕ／ＣａＦ２样品中Ｃｕ团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。     

SrTiO3（110）上水热法外延生长PbTiO3薄膜

利用低温水热合成工艺，在一定浓度皆Ｐｂ（ＮＯ）３，ＴｉＣｌｒ的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｅＯ３单昌衬底上生长出具有面积构的ＰｂＴｉＯ３外延薄膜。     

热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt／Ti物相与形貌的影响

随着热处理温度上升，在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上溅射的Ｐｔ、Ｐｔ／Ｔｉ电极中，构成Ｐｔ薄膜的晶粒由小变大，由分布均匀到晶粒局部聚集，最后分离成小岛。Ｔｉ层可提高Ｐｔ薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定性。快速热处理可提高Ｐｔ薄膜在高温下的连续性。并研究了Ｐｔ薄膜对ＰＬＴ铁电薄膜的成品率和分散性的影响。     

钛酸锶钡薄膜掺杂改性研究进展

钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景.综述了近年来BST薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前BST薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论.     

ZnO薄膜气相法制备

ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用十分广泛。介绍了ZnO薄膜气相法制备原理中的各类主要方法,包括脉冲激光沉积、磁控溅射、分子束外延、金属有机化合物化学气相沉积、单源化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积等技术;分析了这些方法的优缺点;展望了ZnO薄膜今后的研究方向。     

Preventing Thin Film Dewetting via Graphene Capping

A monolayer 2D capping layer with high Young's modulus is shown to be able to effectively suppress the dewetting of underlying thin films of small organic semiconductor molecule, polymer, and polycrystalline metal, respectively. To verify the universality of this capping layer approach, the dewetting experiments are performed for single‐layer graphene transferred onto polystyrene (PS), semiconducting thienoazacoronene (EH‐TAC), gold, and also MoS₂ on PS. Thermodynamic modeling indicates that the exceptionally high Young's modulus and surface conformity of 2D capping layers such as graphene and MoS₂ substantially suppress surface fluctuations and thus dewetting. As long as the uncovered area is smaller than the fluctuation wavelength of the thin film in a dewetting process via spinodal decomposition, the dewetting should be suppressed. The 2D monolayer‐capping approach opens up exciting new possibilities to enhance the thermal stability and expands the processing parameters for thin film materials without significantly altering their physical properties.     

ZrO_2薄膜的相结构与相稳定性

采用纯 Zr、添 Y_2O_3的 ZrO_2和添 MgO 的 ZrO_2为靶材,以射频溅射方法生成 ZrO_2薄膜。研究了这三个系列薄膜的物相结构,以及退火和研磨对物相结构的影响。研究表明,ZrO_2薄膜为单斜相,Y-ZrO_2和 Mg-ZrO_2薄膜为单斜相和正方相,且以正方相为主。它们的退火规律也各不相同,这与稳定剂的加入与性质有关。同时研磨并未诱导正方相向单斜相的转变。     

铌酸钾钠无铅压电陶瓷薄膜的制备方法研究

铌酸钾钠无铅压电陶瓷薄膜具有居里温度高、机电耦合系数高、介电常数低等优点,制备方法种类繁多。综述了铌酸钾钠薄膜的制备技术,包括溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法等;讨论了铌酸钾钠薄膜各种方法的制备工艺与功能性质的关系等,指出了各种制备技术的优缺点及发展现状;最后提出了目前铌酸钾钠薄膜制备及应用中存在的一些问题及今后的发展方向。     

脉冲激光沉积ZnO及其掺杂薄膜的研究

本文用脉冲激光沉积（PLD）法在SiO2基片上制备了ZnO薄膜和Zn1-xMnxO薄膜。X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计对ZnO薄膜的测试结果表明：薄膜具有（103）面的择优取向，表面比较平坦；SiO2基片上制备的薄膜在387nm附近存在明显的吸收边，且薄膜的吸收对基片温度变化不明显。通过对Zn1-xMnxO薄膜的吸收光谱分析得出：Mn离子的掺杂改变了ZnO薄膜的禁带宽度，随Mn离子的掺杂量的增加，薄膜禁带宽度增加；薄膜的光吸收也从直接跃迁过渡为间接跃迁过程。