大发射电流密度Ir－Ce合金阴极的研究

制作了一种发射电流密度较大的铱－铈两相合金阴极。在１７７３Ｋ时，阴极零场发射电流密度为６７５Ａ／ｃｍ２，有效逸出功为２．７３ｅＶ；在１８２３Ｋ时，观察到最大发射电流密度超过２１．２Ａ／ｃｍ２。同时简介了阴极制作工艺和抗中毒情况以及未来的改进发展方向。     

Ir—Ce合金阴极及其应用研究

重点研究了粉末冶金法制备Ｉｒ－Ｃｅ（铱－铈）合金阴极过程中压制压力和烧结温度对发射性能的影响，建立起了一套稳定的制备工艺。试验得到Ｉｒ－Ｃｅ掺Ｗ阴极在１７５３Ｋ时的发射电流密度达１２．４Ａ／ｃｍ２，电流密度保持为１．７Ａ／ｃｍ２，发射试验稳定达１５０ｈ。从机理上验证了它是一种高温大发射电流的发射体。试验还表明Ｉｒ－Ｃｅ阴极具有良好的抗中毒能力。作为应用研究，测量了该阴极在热阴极微波电子枪中的发射性能，微波腔场强约１０ＭＶ／ｍ，工作温度１９１３Ｋ，零场发射电流密度为１０Ａ／ｃｍ２，最大发射电流密度达２１Ａ／ｃｍ２，在２０２０Ｋ时计算零场发射电流密度可达４２Ａ／ｃｍ２。     

间热式大面积六硼化镧中空阴极

介绍了适用于强流离子源的间热式大面积六硼化镧中空阴极。在１５ｃｍ双潘宁离子湖泊 上放电特性研究表明，该阴极性能良好，能可靠工作，使用过程中多次暴露于大气中，发射性能并未变坏，加热功率为１．４５ｋＷ，ＬａＢ６发射电流密度为２０Ａ／ｃｍ＾２，放电电流４００Ａ，脉冲宽度３０ｍｓ，放电波形重复性很好。使用１００ｈ后，发射体尺寸无明显变化。     

^239Pu,^241Am,^99Tc和^137Cs在高压实缓冲材料中的扩散系数

本文从物质的一维非稳态扩散规律出发，在常温，纯氮条件下，测定了＾２３９Ｐｕ，＾２４１Ａｍ，＾９９Ｔｃ和＾１３７Ｃｓ在作为高放废物深地质处置库缓冲材料的高压实钠质膨润土中的扩散系数，９０ｄ的实验测定结果表明，在膨润土的干密度为１．９ｇ／ｃｍ＾３时，＾２３９Ｐｕ，＾２４１Ａｍ扩散系数为在１０＾－１５ｍ＾２／ｓ，＾９９Ｔｃ约为１０＾－１３ｍ＾２／ｓ，而＾１３７Ｃｓ约为１０＾－１２ｍ＾２／ｓ，都随缓冲材料     

电沉积法制备碲靶

采用电沉积法将Ｔｅ电沉积在以Ｎｉ为底衬的Ｃｕ靶托上，制备出了质子回旋加速器ＣＹＣＬＯＮＥ－３０用碲靶，用以生产放射性医用同位素＾１２３Ｉ。研究了电流密度、电沉积时间、温度、电沉积溶液中碲的质量浓度（以ＴｅＯ２计）、碱度等工艺条件对碲靶质量的影响。推荐最佳工艺条件为：电沉积液介质浓度ｃ（ＫＯＨ）＝１ｍｏｌ／ｌ；ρ（ＴｅＯ２）＝５５－６５ｍｇ／ｍｌ；电流密度Ｊ＝１０－１２ｍＡ／ｃｍ＾２；温度Ｔ＝１８－     

离子注入α—Al2O3陶瓷材料的表面改性研究

研究了α－Ａｌ２Ｏ３单晶注入Ｎ＾＋后的力学性能变化。结果表明，注入剂量为１×１０＾１７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２时，Ａｌ２Ｏ３的显微硬度提高了９２％，注入剂量为３×１０＾１７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２时，在Ａｌ２Ｏ３表面形成晶层，导致表面软化，显微硬度只是其５０％左右。离子注入在样品表面产生了高达－１１５０ＭＰａ的压应力，材料的断裂韧性的改善与此有关，实验亦发现Ｎ＾＋离子注入后Ａｌ２Ｏ３的断裂韧性提高了９５％左右。     

电沉积法制备镅、钚和镎的α源

以０．１ｍｏｌ／Ｌ硫酸铵为电沉积液,在铁阳极与不锈钢阴极之间施加约１５Ｖ直流电压,控制电流密度为０．６５Ａ／ｃｍ＾２,沉积４０ｍｉｎ,镅、钚和镎可以定量地沉积在阴极上,其收率均≥９８％。探讨了１８种有代表性的共存物对电沉积率的影响,结果表明,多数阳离子（碱金属、碱土金属除外）影响电沉积率或分辨率;少量ＮＯ＾－３、Ｃｌ＾－、磷酸三丁酯（ＴＢＰ）、三烷基氧（ＴＲＰＯ）、煤油或草酸不影响沉积结果。当电解     

山西广播电视卫星地球站电磁辐射环境影响评价

报道了山西广播电视卫星地球站环境影响的评价工作。电磁辐射环境现状调查结果表明,评价区环境电磁辐射最高值为４．７２５＊１０＾－５μＷ／ｃｍ＾２,属正常环境水平;发射天线对地面环境电磁辐射贡献最大为３．０２＊１０＾－６μＷ／ｃｍ＾２;高功放室对工作岗位电磁辐射贡献最大为３．１６μＷ／ｃｍ＾２;同时,计算了天线前方建筑物的允许建筑高度。     

高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０＾１５／ｃｍ＾２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０＾１５／ｃｍ＾２）的＾１６Ｏ，使氧在约１．５－２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００－８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０＾８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当     

单晶SiO2表面Ag注入层的结构与光吸收的研究

报道了在室温和２００ｋＶ电压下，以６．７×１０＾１６Ａｇ＾＋／ｃｍ＾２剂量注入单晶ＳｉＯ２的研究结果。Ｒａｍａｎ谱表明６．７×１０＾１６Ａｇ＾＋／ｃｍ＾２注入使单晶ＳｉＯ２非晶化；ＸＰＳ结果初步说明注入的Ａｇ以金属态存在；ＲＢＳ谱表明Ａｇ在ＳｉＯ２中呈现双峰分布。ＴＥＭ明场像显示了Ａｇ在注入层中形成两种主要尺寸的球形超微粒。较大的直径为２５ｎｍ左右，分布相当密集；较小的直径大约为５ｎｍ。注入层的光     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏     

^3H—氮酮透皮吸收示踪研究

氮酮是目前应用最好的药物皮肤渗透促渗剂之一。用＾３Ｈ－Ａｚｏｎｅ作示踪剂，研究了透皮吸收后，Ａｚｏｎｅ能迅速透过皮肤进入血液循环，分布到各脏器中。体外法测定表明，它的平衡渗透率为１．００μｇ／ｈ．ｃｍ＾２，在８ｇ内总渗透率为０．７０％。Ａｚｏｎｅ透皮吸收后，在大鼠血液中的浓度先上升，在２ｈ时达最大；然后下降，峰值浓度为２．７０μｇ／ｍｌ，到２４ｈ时仍高达１．６μｇ／ｍｌ。由此证明Ａｚｏｎｅ在皮肤上     

新的心血池显像剂^99Tc^m—DTPA—HSA的实验研究

＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＤＴＰＡ－ＨＳＡ心血池显像剂于２０只家兔进行实验研究，并与＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＲＢＣ（体内法）及＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＨＳＡ进行比较。由＾９９Ｔｃ＾ｍ＝ＤＴＰＡ－ＨＳＡ所得心血池显像的图像清晰。生物学分布研究表明，＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＤＴＰＡ－ＨＳＡ在肝和肺的浓聚较＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＲＢＣ及＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＨＳＡ略低。心／肝放射性比值，＾９９Ｔｃ＾ｍ－ＤＴＰＡ－ＨＳＡ为０．８５，＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｒ     

亚硝酸与正丁醛和Np（Ⅵ）反应的动力学研究

研究了（１）ＨＮＯ２与正丁醛的反应，得速率方程为：－ｄｃＨＮＯ２／ｄｔ－ｋ１ｃＨＮＯ２．ｃｎ－ｃ３Ｈ７ＣＨＯ．ｃＨＮＯ３，在２０℃、Ｉ＝２．０ｍｏｌ／ｋｇ时，速率常数Ｋ１＝０．７６ｌ＾２（ｍｏｌ＾２．ｍｉｎ）（２）在固定１．０ｍｏｌ／ｌＨＮＯ３条件下，ＨＮＯ２与Ｎｐ（Ⅵ）的反应，得速率方程为：－ｄｃＮｐ（Ⅵ）ＣＨＮＯ２在２０℃、Ｉ＝２．０ｍｏｌ／ｋｇ时，表观速率常数ｋ３＾１＝９３ｌ／ｍｏ     

裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

GaP高能重离子辐照损伤及退火的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究２．４＊１０＾１５／ｃｍ＾２和２．２＊１０＾１６／ｃｍ＾２ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＧａＰ的辐照损伤及其退火效应。结果表明,高低两种注量辐照在ＧａＰ中产生浓度较高的单空位。在３００－１０２３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命温度的变化。低注量辐照品在退火过程中有双空位的形成;而高注量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式,其完全被退火的温度比低剂量辐照的高２５０Ｋ。     

在NH4F介质中电沉积^233Pa源

介绍了在ＮＨ４Ｆ介质中制备薄而均匀的＾２３３Ｐａ镀层的实验方法。对＾２３３Ｐａ电沉积的主要影响因素（电流密度、搅拌速度、电镀时间和溶液的ｐＨ等）进行了实验，得到了在不锈钢片上电沉积厚度为１ｍｇ／ｃｍ＾２的＾２８３Ｐａ源。同时观察了用不同阴极材料对电沉积＾２３３Ｐａ源厚度及电沉积效率的影响，提出了在不锈钢片上制备＾２３３Ｐａ源的工艺流程。     

氚示踪剂在土壤包气层实验中的应用

测定了土壤包气层中氚在天然条件和人工喷淋条件下的扩散系数,研究了氚示踪剂在黄土包气层中的迁移规律。实验结果表明,在华北地区黄土高原天然条件下,包气带中氚示踪剂以０．０３ｃｍ／ｄ速度迁移,纵向扩散系数Ｄｘ为０．１０ｃｍ＾２／ｄ;在２ｍ＾２实验坑中,以５ｍｍ／ｈ喷淋强度每天喷淋３ｈ的条件下,氚示踪剂以２．２７ｃｍ／ｄ的速度向下迁移,Ｄｘ为７．７５ｃｍ＾２／ｄ。     

用主动式活性炭盒测定室内环境的^222Rn和^220Rn浓度

把φ１０ｃｍ被动式活性炭盒稍加改装后进行主动式空气采样，用高效率ＨＰＧｅγ谱仪测量＾２２２Ｒｎ／＾２２０Ｒｎ短寿命子体的３５２ＫｅＶ／２３９ＫｅＶ的γ射线净峰面积，经刻度后可财得到空气中＾２２２Ｒｎ的浓度，＾２２２Ｒｎ和２２０Ｒｎ的实测刻度因子分别为０．２６３Ｂｑ＾－１．ｍ＾３．ｍｉｎ＾－１和０．１８２Ｂｑ＾－１．ｍ＾３．ｃｍ＾－１，给出室内环境和经各种空气处理的试验性测量结果，＾２２２Ｒｎ浓度为     

高注量快中子辐照在α—Al2O3中产生空洞的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究３×１０＾２０／ｃｍ＾２中子注量，Ｅｎ≥１ＭｅＶ快中子辐照在α－Ａｌ２Ｏ３中产生的辐照效应，实验发现α－Ａｌ２Ｏ３在辐照后的８５０℃退火形成尺寸约为０．７ｎｍ的空洞。