袖珍永磁端引出PIG离子源

介绍了一个袖珍永磁端引出ＰＩＧ离子源，它可用于产生各种气体的单电荷和多电荷离子，在不大于３０Ｗ的放电功率下，可引出ｍＡ级离子流，源的阴极寿命大于２００ｈ。     

螺旋管源的离子引出和PIC模拟

离子引出系统的设计通常要求计算机编码的帮助。本文描述了基于配备有三栅引出系统的螺旋管源的实验装置，该装置作为一个离子源使用，介绍了一个基于胞中粒子法（PIC）的数值方法。对于不同的气体，将利用离子源所获得的结果与模拟结果进行了比较并用于证实计算机编码，该数值编码是离子源设计包中的首要组成部分，它涉及到栅的腐蚀和离子束流在靶上的分布。     

引出负离子的永磁边引出PIG源

介绍了一个可引出Ｈ、Ｏ、Ｆ等负离子的永磁边引出ＰＩＧ源。在１５ｋＶ引出电压下，可获得Ｏ＾－离子１３０μＡ，Ｆ＾－，离子７５μＡ，功率消耗分别约为１１０、２８０Ｗ。     

中子管用PIG负氢离子源及其束流引出实验研究

PIG离子源用于中子管引出正离子,但在使用过程中存在一定问题,如单原子离子比低、靶材料溅射严重及功耗大等。为解决这些问题,提高中子管的寿命和稳定性,本文设计一种中子管用PIG负氢离子源,并对其束流引出进行实验研究。分别测量了离子源的磁场、不同阴极材料及引出阴极离子发射孔径对引出负氢离子束流的影响。实验数据表明,该负氢离子源可用于制作性能指标良好的中子管。     

平行极板间等离子体RF共振特性研究

为探索用于ＡＶＬＩＳ的更为有效的离子引出方法,对等离子的ＲＦ共振离子出引方法进行了理论研究,用ＰＩＣ方法对其了模拟。结果表明：在弱磁场下可产生鞘层－等离子体振荡,其振荡频率与理论一致;外加与振荡频率王牟的交流电压后将发生共振,其振荡幅度大幅增加,电流加大,共振在等离子体中产生的最大电位幅可高于外加电压幅度几倍;与离子引出方法中传统的平行板电场相比,ＲＦ共振法使得出出的离子流加大,离子引出时间显著     

工业用的气体团粒离子束设备

已研制了工业用的３０ｋｅＶ和２００ｋｅＶ气体团粒离子束设备。有一个无冷却喷管的气体团粒源用于这两个设备上。用Ｅ×Ｂ过滤器和低引南电压的色差透镜质量过滤器充分地抑制了单体离子。这些设备适用于金属，绝缘体和半导体的低损伤表面处理，而对半导体无重金属污染。     

AVLIS离子引出收集过程的初步研究

通过理论计算研究了１－Ｄ无碰撞ＡＶＬＩＳ离子引出过程，比较了交变场与恒定场对离子引出特性的影响，计算和分析结果表明等离子体离子密度≥１０７ｃｍ（－３），屏蔽效应存在，离子的引出在振荡中完成；对相同离子密度，随电场的增加，离子引出时间有饱和趋势，比较了脉冲场与恒定场的引出效果，结论是两者的引出效果一样，而采用脉冲场可消除斯塔克效应的影响。     

一台可产生直流束和微秒脉冲束的ECR离子源

ECR离子源与其他离子源相比具有一些优点。例如在放电室中具有较低的工作气压,能产生均匀的高密度等离子体,由于无热阴极可耐腐蚀气体,工作寿命长、发射度小、高原子离子比和束流强度大。所以,应用在中子发生器中具有良好发展前景。专门应用于中子发生器的ECR离子源既可引出直流离子束,又可引出微秒脉冲离子束。介绍了这种ECR离子源的工作原理和结构,给出了测量到的主要参数和脉冲波形。     

66 利用引出AIO^-分子离子排除加速器质谱测量^26Al中^26Mg的干扰

加速器质谱测量^26Al时，既可以引出Al^-离子又可以引出AlO^-分子离子。因为Mg不能形成稳定的负离子，通常引出Al^-即不存在同量异位素^26Mg的干扰。但因在Al2O3样品中引出AlO^-比引出Al^-效率高40倍，高效率的引出AlO^-则同时引出了稳定的MgO^-，要排除^26Mg的干扰，用全剥离法可解决问题，但同时损失了部分效率。     

表面电离离子源束引出特性

一、引言表面电离离子源在电磁同位素分离器、质谱计、离子发动机、溅射负离子源等装置中得到了广泛的应用。使用表面源(即表面电离离子源)时,总是遇到离子束的束型问题,即表面源的引出特性问题。表面源由于产生离子的机制不同于气体放电离子源,不存在等离子体“弯月面”。离子发射面是电离器表面,它是刚体,不随引出参数和引出束流的变化而变化。因此,用表面源研究透镜效应和束空间电荷的作用是十分有利的。但到目前为止,还未见到对表面源的引出特性作系统的研究。