微波铁氧体材料与器件的现状与发展

概括介绍近几年国外微波铁氧体市场及材料与器件技术的发展．重点叙述铁氧体移相器、移动通讯用超小型化环行器和隔离器、ＹＩＧ单晶磁调器件、毫米波及射频铁氧体器件、静磁波薄膜器件及相关技术的发展。     

CX双波段YIG调谐FET振荡器设计

采用双耦合ＹＩＧ谐振子和单元化设计技术,设计了一种 ＣＸ双波段 ＹＩＧ调谐ＦＥＴ振荡器。以阻抗国图形式给出了ＣＡＤ优化设计的计算结果,稳定因分析表明理论设计与实验结果一致。样品测试结果为,频率范围 ４－１２.６ＧＨｚ,输出功率大于 １３ｄＢｍ,线性度 ±０．２２７％,功率波动８ｄＢ。     

微波铁氧体器件的新近发展

综述了近年来美日欧等国在微波铁氧体技术上的发展,重点放在环行器／隔离器、相移器析理论,着重介绍了新的ＹＩＧ单晶薄膜器件及薄（厚）膜铁氧体器件与半导体基片相共存的单片组件。军用需求正朝着超小型化、高性能和超宽带铁氧体器件发展,民用需求是尺寸紧凑、重量轻、价格低并能大批量生产。     

掺铈钇铁石榴石磁光薄膜光吸收机理研究

采用热处理结晶化方法制备出Ｃｅ：ＹＩＧ磁光薄膜。Ｃｅ＾３＋掺杂大大增强了ＹＩＧ的光吸收。利用精确的单跃迁光吸收公式对Ｃｅ：ＹＩＧ的光吸收谱进行拟合计算，得到的红外区的光吸收至少归结为两种电子跃迁，跃迁中心分别在１．４５ｅＶ和１．９７５ｅＶ。同时分析了Ｃｅ：ＹＩＧ薄膜中光吸收的一源及其降低方法。     

YIG调谐组件的近期发展及其应用

综述了ＹＩＧ调谐组件近几年来的发展及应用，介绍了两个组件产品的主要性能。     

4～20GHz超宽带YIG调谐FET振荡器CAD计算和实验分析

简要介绍了采用双耦合ＹＩＧ谐振子的超宽带ＹＩＧ调谐ＦＥＴ振荡器的等效电路,并以阻抗圆图形式给出了ＣＡＤ优化设计的计算结果,稳定圆分析表明理论设计与实验结果一致。     

基于铁磁谐振原理的数字式电流互感器的构想

提出了一个基于铁磁谐振原理实现数字式电流互感器的新构想，即利用单晶铁氧体钇铁石榴石（ＹＩＧ）在外磁场的作用下其自旋电子产生铁磁谐振的原理。这一原理已被广泛应用于微波技术领域，如ＹＩＧ调谐的固态扫频信号发生器，ＹＩＧ调谐的滤波器等。而将这一原理用于高压大电流的测量，则是一种新的尝试。本文在可能的条件下进行了原理性实验，结果表明这种新型的数字式电流互感器是可以实现的。     

YIG单晶器件在现代通信系统及其测量中的应用

简要介绍现代通信技术的发展趋势及国内外研究开发的动向,较详尽地说明了ＹＩＧ单昌器件的特点,与半导体现同类器件的比较,及其在系统中的作用,列举出它们在ＱＡＭ数字无系统,卫星通信、ＶＳＡＴ地面站及通信系统测量等方面的应用实例。     

4—16GHz超宽带YIG调谐FET振荡器设计

简要介绍了ＹＩＧ调谐ＦＥＴ振荡器,采用双耦合ＹＩＧ谐振子,实现了超宽带调谐振特性,采用单片集成电路行波放大器作缓冲放大级,实现了１３ｄＢｍ以上的输出功率;采用ＹＩＧ加热器与磁路温度补偿相结合的技术措施,实现了在－４５－＋６５℃内的宽温工作特性。     

液相外延Co—YIG薄膜的制备及光吸收谱分析

采用液相外延法在钆镓石榴石（ＧＧＧ）基片的（１１１）晶面上生长出了掺Ｃｏ钇铁石榴石薄膜，研究了生长温度和基片转速对掺Ｃｏ量的影响，测量和分析Ｃｏ－ＹＩＧ薄膜样品在０．５—１．８μｍ波长范围的光吸收谱，发现Ｃｏ－ＹＩＧ薄膜中八面体位和四面体位的Ｃｏ３十离子在０．６μｍ和１．３１μｍ波长处的晶场跃迁对光吸收有贡献．     

检测高压线电流的一种安全且简便的方法

本文利用霍尔器件线性度的特点,构成高精度磁通计,通过测量流过电流的导体周围的磁场的磁通密度,从而测定电流。是一种非接触测量,既安全又简便。     

基于GAL的步进电机控制电路

本文介绍了由ＧＡＬ器件实现的一种三相步进电机脉冲分配器，以及基于这种脉冲分配器的步进电机控制电路。     

用暗m线法测量YIG磁光薄膜的折射率和厚度

本文采用暗ｍ线法，通过测量棱镜耦合器底面反射光斑中的模式吸收线的位置，来计算ＹＩＧ磁光薄膜的折射率和厚度。此方法特点是只需将光耦合进磁光薄膜而不考虑薄膜本身的光损耗，因此它既可测量透明薄膜的参数也可测量非透明薄膜的参数。     

YIG磁调器件线性度及滞后时间常数的计算分析

对YIG磁调器件而言,电流频率线性度,滞后时间常数以及频率稳定度是此类器件的几个主要指标。YIG磁调器件的磁场～频率特性主要决定于f(MHz)=2.8H(Oe)。因此本文首先在(Ⅱ)中分析了磁体的电流～磁场的线性度与磁滞问题,导出了均匀磁路及略去漏磁情况下,线性度的计算公式。然后分析了考虑漏磁情况下,磁体线性工作上限的求得方法,其结果与实验符合。并得出设计合理时,1J79磁体线性工作上限可达12GHz,1J79与1J50复合磁体可达24GHz。又在(Ⅲ)中分析了滞后时间常数τ的计算。对某典型磁体进行了涡流分析与计算,得出的结果与实验结果相符合,最后在(Ⅳ)中讨论了磁体线性度以外,其他影响磁调器件的线性度与频率稳定性的因素。分析了YIG磁调滤波器中,负载阻抗变化对频偏的计算以及YIG磁调振荡器中,YIG单晶小球线宽对线性度与频稳影响的分析。     

一种用ispLSI可编程逻辑器件实现图象合成的方法

本文介绍一种既有ＰＬＤ的性能与特点、又有ＦＰＧＡ的高密度和灵活性的在系统可编程逻辑器件－－ｉｓｐＬＳＩ器件，并以在屏幕上产生视场限定标志为例说明了用它实现图象合成的方法，及其在视频图象测量中的应用。实验证明：ｉｓｐＬＳｉ器件的应用使视频图象测量系统的可靠性和稳定性得以提高。     

RF MEMS器件时变结构电磁特性数值计算方法

准确掌握射频微机电(RF MEMS)器件的电磁特性是WSN节点射频收发前端设计可靠与否的关键,为解决RF MEMS器件时变结构的电磁特性数值计算问题,建立了RF MEMS器件垂直运动结构的机电耦合模型,实现了模型的时域离散,在时域有限差分的基础上,提出电(磁)介质参数插值的新思路,详细阐述了线性电(磁)介质参数插值法的基本思想,并推导了一维线性插值的计算公式.仿真实验结果表明,该计算方法具有易实现、速度快、效率高的特点.     

非线性器件规范的分段线性化模型

为进一步提高非线性直流电路的分段线性化分析算法的计算效率，必须把器件模拟成分段线性化模型。本文采用的是以标准的参数优化法来构成这样的模型。算法适合于二端和三端非线性器件，也可以进一步推广，模拟（ｎ＋１）端和ｎ端口器件（例如运算放大器和门电路等）。     

多功率器件模块热耦合效应下热阻网络模型研究

在使用IGBT等功率器件模块的电能变换装置中,通常需要利用热阻网络来预测功率器件的温度或者构建电能变换装置的电热仿真模型来进行动态电热联合仿真。多功率器件工作时,各个热源互相影响,需要考虑热耦合效应。基于线性叠加原理,建立了多功率器件模块热耦合效应下外热阻的热阻矩阵表示方法和外热阻网络模型,并采用有限元热模拟方法进行了仿真。根据仿真结果对热阻矩阵进行了计算。     

一种测量等效源失配的直接校准方法

本文介绍了测量三端口器件等效源失配的一种新方法－直接校准法,当定向耦合器,功率分配器等三端口器件用功率测量或校准其它功率检测器时,需要进行等效源失配测量,直接准法是采用常规的向量网络分析仪（ＶＮＡ）单端口校准技术测量三端口器件等效源失配量值的,测量在２～１８ＧＨｚ定向电桥和２～５０ＧＨｚ定向耦合器上进行,其测量精度近似于ＶＮＡ内部的等效源失配的测量所获得的精度。     

高掺铋钇铁石榴石法拉第旋转谱的理论计算

将Ｂｉ离子的浓度ｘ与跃迁中心数联系起来，并给出了具体关系式。在入射光的频率为ω＝１．８－３．５ｅＶ的范围内，分别计算了ｘ＝０，０．３，１．０，２．０时，Ｙ３－ｘＢｉｘＦｅ５Ｏ１２法拉第旋转谱，结果再次表明，Ｂｉ－ＹＩＧ的法拉第旋转角的增加可以由杂化轨道的自旋轨道劈裂增加来解释。