一种新型电流运算放大器的设计

本文设计了一种新型的全差分电流运算放大器(COA)。本放大器采用电源电压2.5V、CMOS0.25μm工艺实现,输出级使用电容进行频率补偿,达到了足够的带宽和相位裕度。经过精心设计,该放大器的开环直流增益为74dB,单位增益带宽45MHz,相位裕度达到53deg,功耗为1mW,满足电流运算放大器要求的所有指标。     

电流检测器MAX4373／74／75

MAX4373、4374及4375是三种由电流检测放大器、比较器及基准电压源组成的微功耗、低价电流检测器IC。MAX4373内部仅有一个比较器,4374及4375内部有两个比较器。工作电压范围从2.7V到28V;工作电流典型值仅50μA;满量程精度0.66%;内部有基准电压源及比较器,可组成过流保护及欠流/过流检测电路(后者仅MAX4374、4375);比较器输出锁存;电流检测放大器有     

一种高速施密特触发器的设计

在数字隔离器系统中,因为存在电路寄生效应和随机噪声,数字信号的波形会发生严重畸变。针对该问题,提出了一种电压—电流模式高速施密特触发器,该电路能有效还原信号的波形。电路主体结构采用电流放大器和跨导运算放大器相结合,在输入高速数据时,电流放大器提供了快速的前馈通路来增加比较器的响应速度,实现施密特触发器的高速翻转。设计采用GF＿0.18μm＿BCD工艺,在电源电压5 V的条件下,可实现500 MHz高速信号的整形,信号的传输延时为652 ps。     

基于电流模电路的通用宽带电流放大器的设计与仿真

设计了一种基于电流模电路的宽带电流放大器。系统由宽带I/V变换器、电压放大器以及宽带压控电流源三模块直接耦合级联而成。详细论述了电路设计原理、电路结构以及元件参数选择方法。通过选用电流反馈型运算放大器设计电路,不受电压反馈型运放增益带宽积和有限压摆率的限制,提高了电流放大器的带宽;用负载接地的豪兰德电流源设计压控电流源,实现较高精度的V/I转换;采用三级结构,增益及带载能力可以根据实际需要灵活调节。系统仿真结果表明,论述的电路设计方法是可行的。测得典型电路的输入电阻约为0.13Ω,输出电阻为约59 kΩ,电流增益为60 d B。     

0.5umCMOS工艺参数电流反馈运算放大器

电流反馈运算放大器在高速高频电子领域得到广泛的发展,但目前市场上流行的基于互补双极性结构的电流反馈运算放大器电源电压和功耗都较高。本篇论文主要在文献1、2、3基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器,使用0.5umCMOS工艺参数(阈值电压为0.7v),模拟获得了与增益无关的带宽、极大的转换速率以及在1.5V电源电压下产生了约6.2mW的功耗。     

Microchip推出低功耗高精度运算放大器

Mieroehip Technology（美国微芯科技公司）已将其线性产品系列拓展至低功耗和高精度领域，推出了最新MCP603X运算放大器系列，包括MCP6031、MPC6032、MPC6033及MCP6034等多款器件。这些新款次微安放大器的静态电流仅为900nA，带宽为10kHz，在25℃温度下的最大电压偏移只有150μV。这些高精度放大器适用于医疗、工业及消费市场的手持式和便携式电子设备。     

一种低电压高性能的运算放大器设计

基于0.18μm CMOS标准工艺设计了一种低电压高性能运算放大器。阐述了具有负反馈的三支路基准电流源、带有正反馈环路增益提高的CMOS源极耦合差分输入级结构电路。基于频率补偿思想,提出一种新型频率补偿方法,能够有效提高运算放大器的系统性能。经版图后仿真表明:该运算放大器在1.2 V电源电压下具有109 d B的直流增益,259 MHz的增益带宽,相位裕度74°,功耗为0.82 m W,能够广泛应用到大多数电路中。     

一种用于非屏蔽SERF态原子磁强计的电流源设计

设计了一种用于非屏蔽SERF态原子磁强计的电流源.利用运算放大器和MOSFET构建基本的电流负反馈V/I转换电路,采用高性能元器件降低输出电流纹波,并通过频率补偿的方法使电路稳定.测试结果表明:在恒负载的条件下,电流源的输出范围为0～500 mA,纹波电流小于30.5μA,对应磁场的稳定性优于10 nT,满足非屏蔽情况下原子磁强计利用磁补偿制备SERF态的要求.     

一种应用于LDO的可编程电流限电路设计

提出了一种应用于线性稳压器(LDO)的可编程电流限电路,可实现调整管电流的精准采样。根据输入—输出压差和负载电流的不同工作情况,通过调节片外的限流电阻来改变电流限值的大小。基于TSMC 0.25μm BCD工艺进行设计,采用H-spice进行仿真验证。仿真结果表明,LDO在2 V～5.5 V的输入电压、1.2 V～5 V的输出电压范围内,实现了最大3 A带载能力的输出,该可编程电流限电路可将电流限值在0.2 A～4.5 A内编程。     

一种超低静态功耗LDO的设计

介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺制作的LDO电路。电路采用工作在亚阈值区的跨导放大器使得电路工作在超低静态电流下,因此实现了超低静态功耗和高效率性能。整个电路所占面积约为0.8 mm2,在典型工作状态下电路总的静态电流约为500 n A,最大负载电流为150 m A。电路输入电压为3.3 V~5 V,输出电压为3 V。     

一种两级误差放大器结构的LDO设计

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种两级误差放大器结构的LDO稳压器。该电路运用两级误差放大器串联方式来改善LDO的瞬态响应性能,采用米勒频率补偿方式提高其稳定性。两级放大器中主放大器运用标准的折叠式共源共栅放大器,决定了电路的主要性能参数;第二级使用带有AB类输出的快速放大器,用来监控LDO输出电压的变化,以快速地响应此变化。电路仿真结果显示:在电源电压为5 V时,输出为1.8 V,输出电压的温度系数为10×10-6/℃;当电源电压从4.5 V到5.5 V变化时,线性瞬态跳变为48 mV;当负载电流从0 mA到60 mA变化时,负载瞬态跳变为5 mV。且环路的相位裕度为74°,整个电路的静态电流为37μA。该电路结构的瞬态跳变电压值远小于其他电路结构,且能实现低功耗供电。     

一种10GHz高增益低噪声放大器设计

提出了一种带有输入匹配网络优化方法的窄带10GHzLNA电路。通过插入全新的输入匹配网络,不仅满足LNA低噪声的要求,同时更使增益有所提高。提出的LNA采用0．181μmSiGeBiCMOS工艺,工作频率为10GHz。结果表明,提出的窄带HBT10GHzLNA电路,在10GHz频段测试增益大于lldB,噪声3．6dB,功耗9mw,达到了较好的匹配效果,有较好的稳定性,满足了收发机对LNA的指标要求。     

一种低成本无滤波器D类音频放大器的实现

介绍了一种低成本应用于音频D类放大器,无需外接滤波器,放大器采用全差分电路,利用脉宽调制方法去除了输出滤波器,电路可以工作在2.5V～5V电源电压下,电路采用6V CSMC0.5μm DPTM工艺,利用MATLAB和Hspice工具仿真,放大器接8Ω的负载,电源电压为3.6V,在高保真音频范围内(20Hz～20kHz),转换效率可以达到88%,连续平均功率0.1W时,其THD+N小于0.06%。     

一种高线性调整率无电容型LDO的设计

提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化VBE技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺(其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V),整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示:在2.5 V-5.5 V电源供电下,LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V,负载调整率小于1.56 mV/mA;在正常工作模式下,整个LDO消耗56μA静态电流(其中测试用的放大器消耗电流约18μA)。     

一种面向无源RFID电子标签的电流灵敏放大器设计

提出了一种适用于无源射频识别RFID电子标签中多次可编程MTP非易失性存储器NVM的新型电流灵敏放大器结构。该电路在不增加面积的情况下具有低功耗、高速度、高可靠性和高灵敏度的优越性能。基于GSMC 0.13μm CMOS工艺下的仿真结果表明,新型灵敏放大器在-40℃~80℃的环境下具有很高的读取速度,且能够工作在低电压（0.8 V）下。在1.2 V工作电压、27℃室温下电路的读出延时是10.5 ns,平均功耗为6.1 μW@25MHz,分辨率可达到33 nA。     

压电传感器信号调理及输出芯片设计

为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片.集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路.仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 mA.     

低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化

分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。     

利用平均值电路提高直流电压基准源的温度特性

根据不同直流电压基准源芯片的温度漂移互相独立的特点,研究单个电压基准源芯片输出的温度特性,提出一种利用平均值电路降低基准电压温度漂移系数的方法。实验结果表明:温度系数最优为4.5μV/℃的4个基准源芯片,经过平均电路融合输出后,温度系数减小到2.46μV/℃,可以有效地降低直流电压基准的温度漂移系数。     

一种用于微加速度计的低输入电容运算放大器

采用0.5μm CMOS工艺设计了一种低输入电容运算放大器。该运算放大器通过采用正反馈回路消除运算放大器输入管的密勒电容来实现低输入电容。分析了寄生电容对加速度计灵敏度的影响,并提出了一种采用低输入电容运算放大器的开环加速度计接口电路实现方法。结果表明:采用低输入电容运算放大器能够有效地提高加速度计灵敏度。