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并联UPS系统均流控制 总被引:16,自引:1,他引:16
研究了一种不间断电源(uninterrupted power supply,UPS)均流控制方法,在有功功率和无功功率控制逆变基准电压幅值和相位的基础上加入了输出滤波电感电流的直流分量控制。有功功率和无功功率以及电感电流直流分量通过CAN总线进行传输,提高了并联系统的抗干扰能力和可靠性。滤波电感电流直流分量控制的加入可以有效地提高整个并联UPS系统的均流特性以及稳定性。2台DSP控制的30 kVA三相四线UPS并联系统验证了该方法的可行性,实验证明该控制方法可以取得良好的并联均流效果和稳定性。 相似文献
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本文介绍二极管在HERA质子环超导磁体失超保护中的应用。二极管与超导磁体并联,在磁体失超时它将分流磁体电流以保护超导磁体,二极管装置安装在磁体低温容器中并在液氦温度下运行。总共有246个四极磁体的二极管装置和465个二极磁体的二极管装置在液氦温度下进行过试验。本文还将介绍对失超保护用二极管的技术要求,二极管装置的装配与试验以及磁体失超时二极管的保护效果。实验表明,二极管作为HERA超导磁体失超保护是可靠和令人满意的。 相似文献
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研究基于自主均流法并联Buck变换器的稳定性问题。基于系统精确的状态方程,数值仿真观察系统随参数变化时呈现的均流失败、低频振荡以及输出电压上浮等现象。使用一种改进的离散建模方法得到系统的映射模型,并结合仿真结果对系统的稳定性进行分析,揭示了低频振荡的Hopf分岔本质。最后给出系统的稳定性边界,讨论了均流环对系统性能的影响。 相似文献
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逆变器并联运行是提高UPS容量的一种有效方法,逆变器输出电压幅值、频率或相位的微小差异都会引起巨大的环流,因此需要进行均流.目前的均流方法中,无通信线的下垂控制和虚拟阻抗技术有较大发展潜力,引入相等的虚拟电抗和虚拟电阻,对功率进行线性组合,减小了功率之间的耦合,取得了很好效果.本文分析了这种方法在推理过程中存在的纰漏,给出了更准确的推理方法,提供了完整的论证过程,指出加入虚拟阻抗后电压需作相应修正并提供了修改方法,最后用Matlab进行了仿真研究,验证了方法的正确性. 相似文献
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针对处于混沌状态的降压(Buck)变换器并联均流效果不佳且均流的稳态和动态特性差的现象。首先建立电压控制型Buck变换器的分段光滑开关模型以及离散模型,并分析系统通往混沌的道路。然后确立初值不同的驱动与响应系统。将所设计的终端滑模控制率施加到响应系统上从而实现并联系统的混沌同步控制。基于混沌的同步特性,可以实现电压控制型Buck变换器的并联均流控制。最后通过MATLAB/Simulink仿真平台搭建施加控制后的并联系统模型进行实验仿真。结果显示,并联系统均流误差接近于0,并当输入电压发生突变时,均流误差未发生改变,表明施加终端滑模控制后,Buck变换器并联均流误差小且具有较好的稳态和动态特性。 相似文献
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随着功率开关器件速度的提升及数字信号控制器普及化应用,环路响应快,精度高的多逆变器并联系统瞬时电流均流方式基本上代替了基于相位的均流控制方式。为了在控制上实现起来更加简单,在此详细分析了在电压闭环控制的基础上,引入基于虚拟阻抗瞬时环流反馈,并将该虚拟阻抗配置为纯阻性的控制策略。最后详细分析了该均流控制策略的稳定性和虚拟电阻的不同阻值对均流性能的影响。分析表明,通过合理配置该阻值可以实现良好的瞬时均流调节特性。仿真与实验结果验证了所提均流控制策略效果良好。 相似文献
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外部汇流母排对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
压接型IGBT器件内部芯片之间的动态均流特性直接影响着IGBT器件的坚固性与可靠性。考虑到并联均流实验的困难,现有的压接型IGBT芯片级并联均流研究通常都是通过提取器件内部封装结构的寄生参数,并结合IGBT芯片的等效电路模型,在电路仿真环境中开展的,不考虑器件外部电磁条件对器件内部电流分布的影响。然而,该文通过9枚压接型IGBT芯片的并联均流实验发现,各个通流支路之间存在显著的动态电流不均衡,而且电流的分布特性不仅与内部并联芯片的相对位置有关,还与连接器件的外部汇流母排存在明显的关联。为了揭示器件内部电流分布特性与外部汇流母排之间的耦合关系,该文对被测器件与外部汇流母排进行三维有限元建模,从频域和时域2个方面,计算IGBT器件内部的电磁场分布特性。频域计算表明,由于外部汇流母排与内部并联芯片存在磁场耦合(即电感耦合),当频率超过一定数值后,外部汇流母排会对各个通流支路的电流产生显著影响。时域计算进一步再现了并联均流实验中外部汇流母排对各个通流支路上动态电流分布的影响规律。结果表明,在压接型IGBT器件的设计和应用中,不仅需要关注器件内部芯片间的相对位置对动态均流特性的影响,同时也要关注外部汇流母排引入的电磁不对称性。最后提出一种对称化的母排设计方案,并通过三维有限元计算,证实对称化母排设计可明显改善器件内部的动态均流特性。 相似文献
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绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的串联使用是一种较为有效的提高耐压的方法.作为电感储能型脉冲功率系统中的主断路开关,IGBT串联组合会在开关的动作瞬间在各串联模块两端出现动态不均压的现象.工程应用中,各串联IGBT栅极驱动信号的不同步是导致动态不均压的主要原因.文中分别从负载侧被动均压和栅极侧主动均压对驱动信号的同步性补偿作用进行了理论分析和实验验证,结果表明均可以达到很好的动态均压效果.在此基础上提出利用阻容二极管有源均压法实现多个IGBT块的串联应用,仿真验证了该方法在3个IGBT串联应用中的可行性.对工程实际应用具有一定的参考意义. 相似文献
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本文通过分析IGBT的结构及安全工作区,解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因,并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护,从而确保了IGBT安全可靠地工作。 相似文献