改进达林顿管输出特性的措施

单片功率达林顿器件既保持了分立器件的高耐压、大电流、高功率容量的优点,又是一种简单的功率集成。为了提高其热稳定性及改善输出特性,R_1及R_2的选取是十分重要的。本文着重介绍了一种方法:采用双次P扩散和对T_1、T_2管隔离的办法,利用基区薄层电阻作为R_1,从而提供了一种可以独立控制电阻R_1的办法,工艺上很容易实现,R_1的一致性又非常好,全部控制在5kΩ以上,I_c达10A时,I_b注入<0.2mA即可开启。     

高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品及其应用

ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、湿度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003A电路是美国Texas Instruments公司和Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路,文中介绍了它的电路构成、特征参数及典型应用。     

达林顿管瞬态热阻测试方法的研究

达林顿管是一种两级或多级的复合管。功率型的达林顿管的功率级是后极,而后极功率管的δVbe不能直接测量,所以,达林顿管瞬态热阻测量仪器的研发一直是一个的难点。从晶体管的瞬态热阻测量原理出发,研究了达林顿管的热阻测量方法。此方法也可以引申到达林顿管稳态热阻的检测中。     

一种高压大电流PIN管开关驱动器的设计

介绍了一种PIN管开关驱动电路.该电路采用了控制信号与高压源相隔离的方法,可支持300 V以内的高压,并具有800 mA的电流驱动能力,驱动电路的开关切换时间小于2.6 μs.通过对高压器件的防击穿保护,并增加适当的延时电路,大幅度提高了驱动电路的工作稳定性.该电路可应用到高电压、大电流、高功率容量、高速切换的PIN管...     

高压大电流VDMOS研究

本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω。设计中,按照要求,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数。在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功地实现了把大约二万人元胞集成在一块芯片上。同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积。     

高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究

鉴于现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，提出了受主双质掺杂新技术的研究，经工艺论证和对比实验，首先成功的研制成开管铝镓扩散法，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径。     

论FH205达林顿晶体管电流放大倍数变化及其主要原因

达林顿晶体管通常是由两个双极性晶体管组成,这种结构最显著的优点是:它具有很高的电流放大倍数。它的电流放大倍数β达林顿和两个单一晶体管的电流放大倍数β1、β2之间的完整的表达式是:β达林顿=β1·β2+β1+β2。     

屏蔽在高压大电流环境中抑制电磁干扰的应用

屏蔽是抑制电磁干扰的一种主要方法，它对提高电子设备工作可靠性有着十分重要的作用。针对延时电路高压大电流的电磁兼容问题，通过对实际工作电路的测试和比较，分析了延时电路的电磁干扰及屏蔽技术在抑制高压大电流回路电磁干扰中的作用，初步得到了抑制电磁干扰的屏蔽措施，并证明了该屏蔽措施对抑制高压大电流放电干扰的有效性。     

达林顿晶体管的PSpice建模和仿真

达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的,一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIP120仿真的,比如在不同的集电极-射极饱和电压状态下的电流增益（hVE）,集电极电流VS,输入级电流,以及集电极-射极饱和电压和集电极电流之间的关系。     

高线性度PHEMT达林顿放大器

使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压的情况下,新型放大器可以保持21.5 dBm以上的P1dB;8 V情况下,更是能达到23.5 dBm以上的P1dB;采用有源自偏置技术以后,取消了传统结构中的偏置电阻,减少了电压消耗,使电源效率提高了近40%,并且使得偏置电流、增益、IP3和P1dB对温度的敏感度大大降低。     

一种低失调高压大电流集成运算放大器

基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器。电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作为放大管,采用复合有源负载结构;输出级采用复合npn达林顿管阵列,与常规推挽输出结构相比,在输出相同电流的情况下,节省了大量芯片面积。基于Cadence Spectre软件对该运算放大器电路进行了仿真分析和优化设计,在±35 V电源供电下,最小负载电阻为6Ω时的电压增益为95 dB,输入失调电压为0.224 5 mV,输入偏置电流为31.34 pA,输入失调电流为3.3 pA,单位增益带宽为9.6 MHz,具有输出9 A峰值大电流能力。     

SOI高压器件及高压集成技术

SOI技术被誉为21世纪的硅集成技术。文章综述了SOI材料的特点与制备、高压功率器件的最新发展劝态，以及相关的高压功率驱劝集成技术的发展现状；介绍了作者在功率，特别是高压SOI器件和集成电路方面的工作，以作引玉之砖。     

一款超高压LDMOS管的物理建模

借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTIII,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等.所得结论与实测结果基本吻合.     

基于高压大电流模块应用的3300V软穿通快速IGBT的设计

设计了3 300V/50A的软穿通型IGBT芯片(SPT IGBT),利用数值仿真软件MEDICI对其各项特性进行了仿真研究,包括静态特性、开关特性、动态雪崩特性、短路特性、电容特性和闩锁特性,在满足设计需求的同时重点进行动态失效特性仿真,验证了该器件的可靠性。仿真结果显示,器件的额定工作电流为50A、正向阻断电压为4 178.8V、阈值电压VTH为7.8V、导通压降为2.67V、短路电流为857A、工作电流为100A时的雪崩耐量为1.755J。利用局域载流子寿命控制的方法对器件进行优化后,器件的正向阻断电压仍为4 178.8V,导通压降为4.13V,没有明显的改变,关断时间由6 725.75ns降低到了1 006.49ns,关断速度提高了568%,大大提高了器件的性能,降低了损耗。     

薄型双漂移区高压器件新结构的耐压分析

提出与CMOS工艺兼容的薄型双漂移区(TD)高压器件新结构.通过表面注入掺杂浓度较高的N-薄层,形成不同电阻率的双漂移区结构,改变漂移区电流线分布,降低导通电阻;沟道区下方采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线曲率,在表面引入新的电场峰,改善横向表面电场分布,提高器件击穿电压.结果表明:TD LDMOS较常规结构击穿电压提高16%,导通电阻下降31%.     

一种新型高压功率器件终端技术

为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术.采用TCAD(ISE)时该技术进行模拟,结果表明,该技术具有比较好的面积优化和击穿电压优化特性.     

横向高压器件LIGBT的新型结构

围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作为较系统的分析与对比。     

低压大通流氧化锌压敏陶瓷材料

提出了一种研制低压大通流压敏陶瓷材料的方法。根据已有的微观结构和导电机理的理论，着重研究了添加剂ＴｉＯ２对器件性能的影响，对得到的结果进行了分析和讨论。认为在六元配方基础上，加入适量的ＴｉＯ２和Ｈ３ＢＯ３并对器件进行热处理，可得到质量较好的产品     

用高压I~2C电流和电压监视器进行测量

采用分立元器件和其他电源监视器的传统实施方法在复杂性、功能或性能方面往往达不到要求,LTC4151提供一种简单但非常有效的方法来监视电流、电压和温度.本文介绍了一个通用电源监视器LTC4151如何应对多种电源监视应用的功能需求.