哈斯效应在建声和扩声系统设计中的应用

简要介绍了哈斯效应,并指出它不仅为立体声技术的发展提供了理论基础,也为厅堂音质设计和扩声系统设计提出了一个方面的设计原则。     

一种基于哈斯效应的立体声混音技法探析

混音是一门艺术,它需要艺术上的创造性思维和熟练的专业技术保障.哈斯效应为立体声技术的发展提供了原理基础.深入探析了基于哈斯效应的差异镜像扩展法及其应用技巧,以便在探索学习混音技术的过程中,适当地运用这个技法,使混音这份技术性的工作能创造性地实现新的艺术成果.     

厅堂扩声系统中舞台声像问题

舞台扩声系统中，前区声像不一致以及后区出现的双声问题，都是哈斯效应引起的。本文应用哈斯效应原理和厅堂扩声系统中加数字延时器的方法，有效地解决了拉声像问题和多功能厅后区的双声问题。     

哈斯效应在厅堂扩声中的应用

哈斯效应可以用在厅堂扩声系统中来解决声像不一致的问题。文章首先对哈斯效应作了具体阐述，然后根据Ｍｅｙｅｒ和Ｓｃｈｏｄｄｅｒ得出的回声（或延时声）刚能被辨别时声级差和延时之间的关系曲线及Ｌｏｃｈｎｅｒ和Ｂｕｒｇｅｒ得出的延时实际上已被当作一个声源时，声级差和延时之间的关系曲线，得出了具体设计时应采用多少延时和声级差的简单估算。     

电声知识20行

哈斯效应哈斯效应也称先入效应是个听觉效应,当人耳倾听一个声信号时声信号往往来自不同的声源(如厅堂中的直达声和各次反射声、也如扬声器分散式安装的厅堂扩声系统,观众听到多个扬声器重放同一个信号),在这多个声源中,听者听到的第一个声源和相继在50毫秒内到达人耳的声源的方位由听到的第一个声源方位决定,并作为第一个声源的一部分,而在50毫秒外到达的声源当声级足够时人耳才感觉到其方位,更详细些说5—35毫秒内的延迟声,声级高于第一个声音10dB时也能感觉到其方位。例如在以分散式扬声器安装的扩声系统的厅堂中后排的观众他们听到的声音是来自离他最近的常安装在侧墙或天花板上的扬声器,而不在午台或银幕上。又例如在直达声后50毫秒以外     

室内声学设计中早期反射声的作用及控制

简述了哈斯效应和梳状滤波效应及其对主观听音的影响,然后对厅堂和听音室早期反射声的作用及控制进行说明,重点说明了厅堂最佳侧向反射声和听音室或控制室最佳初始延时,最后介绍了反射面有效工作频率下限的计算公式.     

多层前向感知机汉语孤立数码语音识别

本文从模板匹配的角度研究了多层前向感知机（ＭＬＰ）在汉语孤立数目字语音识别中的应用,针对训练样本数受限的情况提出了新的训练方法,研究了语音固化、特征提取、学习算法和策略诸方面问题。对特定人和非特定人汉语孤立数目字语音识别分别达至了９５．７％和９３．０％（无拒识）的识别率。     

一种面向语音识别的新型神经网络

提出了一种新型神经网络模型，描述了该网络的工作原理和训练方法以及识别算法。为克服神经网络对时序信号建模能力差的缺点，引入了非线性分段处理和代表帧特征提取方法。最后介绍了根据这一模型所设计的一个汉语语音识别系统，试验表明该网络在汉语语音识别方面具有较大的潜力。     

基于词向量的句子相似度计算及其应用研究

目前计算机辅助翻译在相似度计算方面存在很大的局限性,精度较低。针对特定领域,收集领域相关的训练语料,采用Google的word2vec进行英语和汉语的词向量模型构建,设计并实现汉语句子的相似度计算方法,提出基于词向量Jaccard相似度与基于词向量依存句法相结合的相似度计算方法,实验结果显示其效果比传统方法有较大提升。最后,将相关英汉句子相似度算法以接口的形式封装,作为商品化软件华建IAT系统的相似度计算模块投入实际应用。     

基于分形维的连续语音实时分割技术

为能准确有效地判断出连续语音中各个音节的起止点,提出了一种改进的分形维计算方法,该算法将插值分形维的步长因子进一步精确到采样频率的数量级上,先求出语音分形维的最小二乘能量轨迹,再差分求其动态特征;在此基础上,设计了连续语音的两级搜索实时分割算法,并进行了基于DSP的硬件系统实验。结果证明,该算法较好地实现了语音段的实时分割和汉语音节切分,鲁棒性好,使得系统在信噪比为0 dB时音节分割准确率仍可保持在一个较高的水平上。最后开发了一个在线汉语语音标注器,借此阐述了论文工作在语音识别方面的应用。     

Growth and properties of HgSe:Fe quantum wells and superlattices

Single quantum wells (SQW) and superlattices of mercury-iron selenide (HgSe:Fe) have been grown by molecular beam epitaxy (MBE) and characterized by in-situ high-energy electron diffraction (RHEED) and magneto spectroscopy investigations. The influence of the structural parameters of the ZnTe buffer layer on the properties of the HgSe:Fe microstructures has been investigated by RHEED-mosaic structure analysis. The onset of strain relaxation at the critical thickness has been determined by intensity-profile analysis of different reflexes in the RHEED pattern. These results are compared with high resolution X-ray measurements (HRXRD) of the lattice relaxation of the HgSe layer. Different types of HgSe:Fe/HgSe quantum well structures and superlattices have been characterized by magneto transport investigations. The clear resolved plateau structure of the Hall voltage (Quantum Hall Effect) indicates the existence of a Q2D electron gas in the layers which is also corroborated by the cosine dependence of the peak shift of the Shubnikov de Haas (SdH)-oscillations in tilted magnetic fields.     

固态调制开关设计与实验

随着半导体器件研制及其应用的发展,使得以大功率半导体开关器件作为固态的调制开关,在高压脉冲调制器中的应用越来越多。基于模块化设计的思想,设计了基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)串联的固态调制开关模块,并讨论了该模块的技术难点,同时通过实验验证了单个固态调制开关模块的性能,在此基础上,进行两个固态调制开关模块串联的实验,进一步验证了其性能,并给出了实验波形。     

用于YAG激光器聚光腔的高反膜系

本文介绍了一种用于YAG激光器聚光腔的高反射膜系的设计与制备技术。膜系设计采用总极值法和共轭方向法相结合的优化方法,并考虑色散和系统误差的影响。获得了结构简单、制备容易、实用的高反射膜系.     

一种便携式VDMOS单粒子试验测试系统

设计了一种在线测试系统,用于监测垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件在单粒子试验中的单粒子效应。简述了实验原理,从偏置设计与波形获取及仪器控制与远程监测多个方面详细论述了测试系统的硬件结构;给出了软件的设计流程及测试系统的操作界面。最后应用该自动测试系统开展了试验,结果表面该系统稳定可靠,便携易用。     

Energy relaxation of light holes in InAs.15Sb.85/InSb multiple quantum wells

The energy relaxation rate of light in-plane holes in InAs_.15Sb_.85/InSb quantum wells has been measured using a Shubnikov-de Haas technique. In this Type II system, the holes reside in the InSb layers; strain reverses the heavy-light hole ordering and thus light holes are the charge carriers. The samples consist of 20 to 100 InAs_.15Sb_.85/InSb periods 100Å/200Å thick. The InAsSb barriers are doped with Be. The total carrier concentration p ≈ 1×10¹¹ cm⁻² is obtained from Hall data. Shubnikov-de Haas oscillation amplitudes are measured and used to determine the light hole temperature for a given applied power. The steady state power per carrier is equated to the energy relaxation rate to determine the carrier temperature T_H. The measured rate for low electric fields is proportional to T_Hⁿ-T_Lⁿ with n ≈ 3.2 and 2.5 for two different samples. These data are compared with theory and experiment for light holes in InGaAs/GaAs quantum wells.     

On the experimental data processing of magnetoresistance oscillations in two-dimensional electron gas

A new method for processing data on the Shubnikov-de Haas effect in quasi-two-dimensional systems is suggested.     

CMOS数字电路抗热载流子研究

介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些搞热载流子加固方法。通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考。     

Microwave Magnetoabsorption Oscillations in Fe-Doped HgSe Crystals

Magnetoresistance oscillations are considered in the case of microwave-radiation absorption in HgSe samples with a different Fe-impurity concentration. From the simultaneous analysis of the field and temperature dependences of the Shubnikov–de Haas oscillations, the effective mass, the Dingle temperature, and the quantum-limit field corresponding to the Fermi level are obtained. A method for analyzing the spectra with several oscillation frequencies, i.e., the beating effect, is proposed. The results are compared with data obtained by Hall measurements.     

Electrical Manipulation of Spin Precession in an InGaAs-Based 2DEG Due to the Rashba Spin-Orbit Interaction

The paper demonstrates a spin interference effect in small arrays of mesoscopic InGaAs rings, which is the time reversal Aharonov-Casher effect. Spin-orbit interaction parameters obtained from the spin interference are consistent with those estimated from Shubnikov-de Haas analysis. This result shows evidence for electrical manipulation of the spin precession angle in an InGaAs 2-D electron gas channel. The precession rate was controlled in a precise and predictable way with an electrostatic gate